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[发明专利]一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片-CN201510177748.3有效
发明人：陈红荣;胡动力;徐云飞;雷琦;何亮 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，包括以下步骤在坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶的生长面晶向同为[001]或同为所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向属于同一晶向族且构成重合位置点阵类型的晶界当籽晶的侧面晶向为<110>时，将相邻籽晶生长面晶向按[001]、正反面交替拼接或将相邻籽晶中的一个籽晶旋转90°；当籽晶的侧面晶向为非<110>晶向族时，将相邻籽晶生长面晶向按正反面交替拼接，或按正反面交替拼接后再将相邻籽晶中的一个籽晶旋转本发明通过铺设籽晶减少了引晶过程中位错源的发生；本发明还提供了一种准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片。
一种籽晶铺设方法单晶硅制备

[发明专利]机电转换元件及其制造方法-CN201280004177.8有效
发明人：流田贤治;村井勇气;林敦浩;舞田雄一 -专利权人：本多电子株式会社
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H04R17/00 文献下载
摘要：提供一种即使有横跨斜方晶向正方晶相变的温度的温度变化，也难以发生压电特性经时劣化的机电转换元件。压电陶瓷组合物（11）的结晶构造为，在比斜方晶向正方晶相变的温度低的温度侧为斜方晶，在比斜方晶向正方晶相变的温度高且比正方晶向立方晶相变的温度低的温度侧为正方晶，在比正方晶向立方晶相变的温度高的温度侧为立方晶
机电转换元件及其制造方法

[发明专利]离子注入方法及离子注入系统-CN202010000507.2有效
发明人：艾义明 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入方法及离子注入系统，离子注入方法包括如下步骤：提供晶圆，晶圆内形成有若干个沟道孔，且位于晶圆中心区域的沟通孔与晶圆的表面相垂直，位于晶圆边缘区域的沟道孔相较于垂直于晶圆表面的方向倾斜小于90°的角度；使晶圆沿第一方向进行弧形往返运动，并沿第二方向向晶圆内进行离子注入，第一方向与第二方向相垂直。本发明的离子注入方法在沿第二方向进行离子注入过程中使晶圆沿垂直第二方向的第一方向做弧形往返运动，可以确保离子能够注入至各沟道孔的底部，使得各沟道孔底部的离子注入量相同，消除了晶圆不同区域内沟道孔相较于垂直于晶圆表面的方向倾斜程度不同而对离子注入效果造成的影响，可以确保器件的电性及良率，使得整个晶圆具有更佳均匀的电性。
离子注入方法系统

[发明专利]双层SOI混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的制备方法-CN201210133934.3有效
发明人：黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-03 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种双层SOI混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的制备方法。本发明中PMOSFET采用(110)表面晶向硅层，NMOSFET采用(100)表面晶向硅层。在低温剥离技术中，随着氢气的压力增大，裂缝更倾向于沿(100)晶向生长，因此沿(100)晶向更容易进行硅层剥离，方便了层转移工艺实现。
双层 soi 混合向后栅型反型模式 sinwfet 制备方法

[发明专利]制备双层SOI混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的方法-CN201210136020.2有效
发明人：黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种制备双层SOI混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的方法。本发明中PMOSFET采用(110)表面晶向硅层，NMOSFET采用(100)表面晶向硅层。在低温剥离技术中，随着氢气的压力增大，裂缝更倾向于沿(100)晶向生长，因此沿(100)晶向更容易进行硅层剥离，方便了层转移工艺实现。
制备双层 soi 混合向后栅型反型模式 sinwfet 方法

[发明专利]一种单晶硅片的制备方法、电池片及电池组件-CN202010388082.7在审
发明人：王彪;仲春华;王建波;朱琛;吕俊;杨飞 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明提供的一种单晶硅片的制备方法、电池片及电池组件，包括：利用具有预设晶向的籽晶，制备得到具有预设晶向的单晶硅棒；沿平行于单晶硅棒的轴线方向对单晶硅棒进行开方操作；根据预设晶向和目标晶向，确定单晶硅棒的切割方向，并沿切割方向切割单晶硅棒，得到具有目标晶向的单晶硅片。本发明中，利用具有预设晶向的单晶硅棒，并沿根据预设晶向和目标晶向确定的切割方向切割所述单晶硅棒，因此在切割单晶硅棒时，切片机的金刚线会沿切割方向对所述单晶硅棒进行斜切，从而在不用增加单晶硅棒尺寸的情况下，得到具有较大尺寸和目标晶向的单晶硅片，提升了大尺寸单晶硅片的质量，降低了大尺寸单晶硅片的生产成本和制备难度。
一种单晶硅制备方法电池组件

[实用新型]一种单晶硅棒晶向检测装置-CN201420129785.8有效
发明人：朱亮;傅林坚;叶欣;石刚;沈文杰;陈明杰;孙明;周建灿;杨奎 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G01N21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生长炉领域，旨在提供一种单晶硅棒晶向检测装置。该单晶硅棒晶向检测装置用于检测装夹在切方工作台上的圆形单晶硅棒的晶向，包括支架、支撑臂、晶向检测传感器支架、气缸、固定护罩、升降护罩、晶向检测传感器。本实用新型能自动检测装夹于工作台上的晶棒的晶向，采用非接触式测量方法，检测精度高、响应快、耗时短、可自动控制；结构简单，陈本低，不需人工参与，适用于单晶硅棒流水线加工车间的全自动控制。
一种单晶硅检测装置

[发明专利]晶向角度校正方法-CN201810966745.1在审
发明人：张帅;雷向阳;张剑锋;苏文虎;张利平;惠浩浩 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供的晶向角度校正方法，涉及晶向角度校正技术领域。其中，晶向角度校正方法包括：提供一待校正晶体，其中，该待校正晶体包括相对且平行的第一待校正表面和第二待校正表面；分别沿不平行于所述第一待校正表面和第二待校正表面的方向对所述待校正晶体进行两次切割，以得到包括第一校正表面和第二校正表面的校正后的晶体
校正角度校正晶向不平行匹配平行切割

[发明专利]硅晶向鉴别仪-CN201910129809.7有效
发明人：王振宇;乔治;蔡一博;高文强;沈世华;焦新兵 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅晶向鉴别仪，本鉴别仪包括沿光束方向依次设置的激光发射器、透镜、检测单元、分束单元以及光强探测器和偏振探测器，激光发射器发射的激光通过透镜聚焦后照射至检测单元，检测单元形成反射光输出至分束单元本鉴别仪有效提高硅晶向鉴别的精度，从而提高掩膜版与晶圆大晶向的对准精度，且光路元件结构简单，降低设备成本，具有反应速度快，精度高、可靠性高等优点。
鉴别

[发明专利]一种维持晶圆背压稳定的方法-CN201610795383.5在审
发明人：朱亮;柳小敏;陈伟;邰晓东 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种维持晶圆背压稳定的方法，包括：将晶圆放置到静电卡盘上；使静电卡盘向晶圆提供一个设定的托盘电压；向晶圆通入气体；在向晶圆通入气体后使得晶圆背压稳定；在晶圆背压稳定后判断晶圆背压是否符合工艺要求；在判定晶圆背压不符合工艺要求时，根据晶圆背压调节设定的托盘电压的数值，随后再次回到第二步骤；在判定晶圆背压符合工艺要求，执行处理工艺。
一种维持晶圆背压稳定方法

[实用新型]一种基于孔径仪的晶圆测量装置-CN201921753252.6有效
发明人：张瑶瑶;胡冬冬;李娜;侯永刚;程实然;王铖熠;刘海洋;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G01B21/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于孔径仪的晶圆测量装置，包括孔径仪和晶圆自动定位机构，所述晶圆自动定位机构用于将晶圆定位输送至孔径仪的测量点；所述晶圆自动定位机构包括水平的X向电缸；X向电缸包括沿X向直线往复动作的X向动作件；水平的Y向电缸；Y向电缸固定在X向动作件上；Y向电缸包括沿Y向直线往复动作的Y向动作件；Z向升降底座；Z向升降底座固定在Y向直线往复动作件上端；Z向升降底座可沿Z向直线升降；Z向升降底座上固定有水平的定位板本实用新型能够自动将晶圆定位至孔径仪的测量点，提高了孔径仪测量晶圆的准确性，操作方便。
一种基于孔径测量装置

[实用新型]一种具有圆周定位结构的晶圆检测装置-CN202222654774.9有效
发明人：王晓飞;顾文豪;张宵雨 -专利权人：嘉兴微拓电子科技股份有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提出一种具有圆周定位结构的晶圆检测装置，包括支承装配组件、晶圆置放组件及晶圆感测组件，晶圆置放组件通过运动机构安装于支承装配组件上，运动机构包括横向平移组件及周向旋转组件，晶圆置放组件安装于周向旋转组件上，可携带晶圆片随周向旋转组件一同进行横向移动及周向旋转。该晶圆检测装置的置放载台中开设避位通口，形成圆周定位结构，使晶圆片边缘可置于置放载台上，带动晶圆片进行横向移动的同时进行周向旋转，形成螺旋扫描路径，减少晶圆片在扫描过程中因边缘垂坠形成的形变，提升检测过程的稳定性和精度，准确剔除不合格晶圆片，减少不合格晶圆片对光刻过程的影响，提升集成电路芯片的良率。
一种具有圆周定位结构检测装置

[发明专利]一种适用于8吋半导体晶棒的粘接方法-CN202310222555.X在审
发明人：张亮;邢胜昌;张倩;王一鸣;邵奇;张昊 -专利权人：麦斯克电子材料股份有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：一种适用于8吋半导体晶棒的粘接方法，S1、采用晶体定向设备依据晶向偏离度确定8吋晶棒粘接需要偏转的角度α和β，然后8吋晶棒绕其轴线旋转使其Notch旋转β角，并将其水平放置在粘棒装置上；S2、设置有树脂板的晶托放置在粘棒装置上，并旋转晶托使其旋转角度为α后将其固定在粘棒装置上；S3、升高晶托使晶棒与树脂板的圆弧顶面贴合并压紧，直至树脂板与晶棒之间的胶水初步固化；S4、取出初步固化后的晶棒进行复检，若晶棒粘接合格，继续固化晶棒与树脂板的胶水直至粘接完成，否则，调整晶棒和晶托的偏转角度直至晶棒粘接合格；S4中，使用晶棒晶向复检仪检测初步固化的晶棒得到Z，计算得到晶棒实际水平晶向X实和实际垂直晶向Y
一种适用于半导体方法

[实用新型]一种固晶机筛盘固晶横移机构-CN201821316559.5有效
发明人：陈永胜;张晓飞 -专利权人：奥特马（无锡）电子科技有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种固晶机筛盘固晶横移机构，包括固晶机，所述固晶机左右两侧的表面固定连接有X向横移模组，所述X向横移模组的右侧固定连接有X向伺服马达，所述固晶机上下两侧的表面固定连接有Y向横移模组，所述Y向横移模组的右侧固定连接有Y向伺服马达，所述固晶机的底部固定连接有工作台，本实用新型涉及固晶机技术领域。该固晶机筛盘固晶横移机构，通过配置XY向横移模组，然后均采用伺服马达控制，运行中可根据需要到达工作区域的任何位置，将筛盘放到工作台面后，侧面固定气缸会将筛盘夹紧定位，将筛盘底部开设真空孔，放置芯片后，芯片即被真空吸住
固晶机筛盘横移模组固晶横移机构伺服马达本实用新型表面固定芯片侧面固定工作区域工作台面夹紧定位任何位置左右两侧共用性真空孔工作台气缸吸住节约能源配置

[实用新型]晶圆抓取装置及晶圆切割机-CN202120365364.5有效
发明人：施心星 -专利权人：苏州镭明激光科技有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆抓取装置及晶圆切割机，包括吸附机构、升降机构以及移动机构，吸附机构用于吸附晶圆，升降机构连接吸附机构，且用于带动吸附机构沿第一方向运动以移送晶圆，移动机构连接升降机构，且用于带动升降机构和吸附机构沿第二方向运动以移送晶圆吸附机构抓取晶圆后，在升降机构的作用下带动与之连接的吸附机构沿第一方向运动，在移动机构的作用下带动升降机构以及吸附机构沿第二方向，使得晶圆分别沿第一方向以及第二方向移动至加工工位上，采用自动化机械设备来取放晶圆，提高了晶圆的移送速度，从而提高了晶圆的生产效率。
抓取装置切割机