“晶体”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果184689个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]OLED显示器驱动电路和显像分析算法及其网络应用方法-CN201110389282.5有效
发明人：陈怡然 -专利权人：陈怡然
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种OLED显示器驱动电路和显像分析算法及其网络应用方法，它包括驱动电流、第一控制电压、第二控制电压、第三控制电压、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、电容，当第一控制电压为高电平时，第一晶体管、第二晶体管和第四晶体管处于工作状态，驱动电流流经第一晶体管和第四晶体管，同时驱动电流流经第二晶体管并为电容充电；当第一控制电压为低电平时，第一晶体管和第二晶体管处于截止状态，驱动电流无效，第二控制电压为高电平，第三晶体管处于工作状态，第三控制电压与第四晶体管相导通并使第四晶体管处于饱和状态，电容放电。
oled 显示器驱动电路显像分析算法及其网络应用方法

[发明专利]整合型晶体管及其制造方法-CN200310113625.0有效
发明人：陈豪育;杨育佳;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-11-13 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明是一种整合型晶体管及其制造方法，主要提出制作一完全空乏晶体管的方法，并且将完全空乏晶体管、部分空乏晶体管与多重栅极晶体管整合于单一芯片上。可透过调整栅极层的长度，以决定平面晶体管是完全空乏或是部分空乏。完全空乏晶体管的栅极层长度较部分空乏晶体管的栅极层长度为长。或是透过调整晶体管主动区的宽度，以决定晶体管是完全空乏或是部分空乏。完全空乏晶体管的主动区宽度较部分空乏晶体管的主动区宽度为窄。不断地减少主动区的宽度，可以形成一多重栅极晶体管，当上述多重栅极晶体管的主动区宽度减少至小于空乏区宽度的两倍时，上述多重栅极晶体管便是完全空乏。
整合晶体管及其制造方法

[发明专利]人工晶体套装、设计方法、选择方法及设备-CN201811154771.0有效
发明人：罗敏;曹立 -专利权人：东莞东阳光医疗智能器件研发有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： A61F2/16 文献下载
摘要：本发明公开了人工晶体套装、设计方法、选择人工晶体的方法及设备。人工晶体套装由多个衍射多焦点非球面人工晶体构成，多个衍射多焦点非球面人工晶体具有不同的基础度数，衍射多焦点非球面人工晶体有2个或多于2个焦点，衍射多焦点非球面人工晶体由对应的基础非球面人工晶体设计而成，所述设计方法包括：使多个基础非球面人工晶体的多个襻平面到基础非球面人工晶体光学面的第二主平面之间的距离相等。上述人工晶体套装的设计方法合理，可提供准确反映不同基础非球面人工晶体的度数的多个晶体参数；在临床使用中，基础非球面晶体的度数计算准确，不需使用通过统计获得的常数(如SRK/T公式使用的A常数)，进而指导医生为病人选择合适的衍射人工晶体
人工晶体套装设计方法选择设备

[发明专利]CMOS兼容非易失性存储器单元结构、操作和阵列配置-CN200810147128.5无效
发明人：李迪;周显峰 -专利权人：隆智半导体公司
申请日： 2008-08-20 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：根据本发明的非易失性存储器单元包括编程晶体管，所述编程晶体管具有作为第一编程端子的编程晶体管源极；选择晶体管，所述选择晶体管具有作为选择端子的选择晶体管栅极和作为第二编程端子的选择晶体管漏极；以及擦除晶体管，所述擦除晶体管具有连接作为擦除端子的擦除晶体管源极和擦除晶体管漏极，其中所述擦除晶体管与所述编程晶体管共享浮栅，并且所述编程晶体管漏极被连接到选择晶体管源极。
cmos 兼容非易失性存储器单元结构操作阵列配置

[实用新型]一种液晶波片双折射滤光器-CN201520878127.3有效
发明人：张洋;王东光;孙文君 -专利权人：中国科学院国家天文台
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： G02B5/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种液晶波片双折射滤光器，包括晶体座、端盖和套筒。晶体座内包括用于设置晶体的晶体腔，晶体在晶体腔内多级Lyot结构且轴向贯穿设置。晶体室外设置有套筒，套筒两端设置了用于密封的端盖。端盖上设置了真空插座，真空插座上包括了连接到晶体的电极线。晶体室内设置了导流槽，导流槽及晶体腔与晶体之间的间隙内充满了硅油，端盖内侧设置了与导流槽连通的储油腔。真空插座上包括电极线，通过电流改变晶体结构，达到延迟相位的目的。晶体室内设置了流通硅油的导流槽，使晶体之间的间隙被硅油充满，从而达到不会因为晶体之间的间隙而影响折射率。
一种液晶双折射滤光

[实用新型]人工晶体推注器-CN201520676150.4有效
发明人：赵振辉 -专利权人：河北诺奇医疗器械贸易有限公司
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： A61F2/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种人工晶体推注器，包括推注筒和晶体夹，所述推注筒包括筒状壳体，筒状壳体的前端靠近端部处设置用于安装固定晶体夹的卡槽，所述晶体夹包括一体的锥形尖端、圆柱形晶体仓以及连接在圆柱形晶体仓外壁上用于安装的翼片，晶体夹固定安装在卡槽中，所述晶体夹的翼片中部靠近圆柱形晶体仓的部分设置半圆凸棱，卡槽上设置半圆定位槽，凸棱与定位槽相匹配，晶体夹通过凸棱与定位槽在卡槽中定位。本实用新型的通过凸棱和定位槽实现晶体夹的卡紧定位，提高推注过程中晶体夹的稳定性，提高手术效果，同时通过改变晶体夹结构，使人工晶体在晶体夹中的状态更加容易调整和定位。
人工晶体推注器

[实用新型]晶体管储存自动送料机构-CN201921005274.4有效
发明人：王翠 -专利权人：王牌智能设备(深圳)有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： B65G47/90 文献下载
摘要：本实用新型公开一种晶体管储存自动送料机构，包括：晶体管夹持固定机构、晶体管推送机构，以及直震，晶体管推送机构设置在晶体管夹持固定机构的底部，用以将晶体管夹持固定机构夹持的最底部的晶体管推送至所述直震处；直震置于晶体管夹持固定机构的下方，并位于晶体管推送机构的一侧，用以对晶体管推送机构推送过来的晶体管产生震动，将晶体管内的晶体逐个输送至指定区域。本实用新型在原来料管装的状态下将晶体自动逐个输送到指定的区域，无需人工操作，极大提高晶体送料效率，减少人工成，而且防静电，保障产品品质，操作简单，精确定位。
晶体管储存自动机构

[发明专利]一种带有控制晶体温度功能的晶体夹持框-CN201510658606.9在审
发明人：张鹏;卢礼华;孙付仲;于福利;向勇 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01S3/02 文献下载
摘要：一种带有控制晶体温度功能的晶体夹持框。本发明涉及一种采用恒温循环水对大口径晶体进行加热的温度控制装置，具体涉及一种带有控制晶体温度功能的晶体夹持框。本发明为解决现有夹持装置无法实现大口径晶体精确温度控制并能保持晶体面温度梯度控制在0.2℃以内的问题。一种带有控制晶体温度功能的晶体夹持框包括晶体框、入水口、出水口、多个锁紧机构、多个水道通孔、多个连接螺栓和多个紧定螺钉，晶体框套装在晶体的外侧，晶体框的一侧端端面上设有多个锁紧机构，晶体框的每个边框的端面上沿长度方向分别设有一个水道通孔，多个水道通孔相互贯通，晶体框的一个外侧面上设有入水口，入水口的下方设有出水口。本发明用于大口径晶体的夹持。
一种带有控制晶体温度功能夹持

[发明专利]一种防止倒灌电流的升压电路-CN201610371490.5在审
发明人：曾子玉 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：升压电路具有开关端、输入端和输出端，升压电路包括：第一晶体管，藕接于输入端和输出端之间；第二晶体管，第二晶体管的漏极与第一晶体管的衬底端连接，第二晶体管的衬底端与第一晶体管的衬底端连接，第二晶体管的源极与开关端连接，第二晶体管的栅极接入一控制信号；防倒灌电流二极管，阳极与开关端连接，阴极与第一晶体管的衬底端连接；第三晶体管，第三晶体管的漏极与第一晶体管的衬底端连接，第三晶体管的衬底端与第一晶体管的衬底端连接，第三晶体管的源极与输出端连接，第三晶体管的栅极接入一控制信号。
一种防止倒灌电流升压电路

[发明专利]一种光子晶体复合结构及半透明有机太阳能电池-CN202010854365.6在审
发明人：顾嘉陆;兰伟霞;周朋超;吴世伟;刘媛媛;彭艳;魏斌 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光子晶体复合结构及半透明有机太阳能电池。该光子晶体复合结构包括：第一光子晶体、第二光子晶体和微腔结构；第二光子晶体的下表面设置在第一光子晶体的上表面，微腔结构的下表面设置在第二光子晶体的上表面；第一光子晶体的材料与第二光子晶体的材料相同，第一光子晶体的材料的厚度与第二光子晶体的材料的厚度不同，第一光子晶体的中心波长与第二光子晶体的中心波长互补；第一光子晶体和第二光子晶体均用于反射光子；微腔结构的材料与第一光子晶体的材料不同，微腔结构的材料具有复折射率；微腔结构用于实现光的相长干涉。
一种光子晶体复合结构半透明有机太阳能电池

[发明专利]电荷泵电路-CN201980009711.6在审
发明人：有马大裕;清水泰秀;后藤和纪 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H03L7/089 文献下载
摘要：提供了一种电荷泵电路，包括：第一晶体管；供给恒定电流的第二晶体管；连接到第一晶体管和电压源的第三晶体管；一组N个第四晶体管，以级联方式布置在第一晶体管侧上，并且其所有控制端子连接到第二晶体管；一组N个第五晶体管，以级联方式布置在第二晶体管侧上，并且其所有控制端子连接到第二晶体管，用于连接第一晶体管和第二晶体管的第一开关，用于将第一晶体管连接到地节点的第二开关；用于连接第三晶体管和第五晶体管组的第三开关；以及用于将第三晶体管连接到地节点的第四开关
电荷电路

[发明专利]一种多气氛导模法蓝宝石晶体生长方法及装置-CN202310163412.6在审
发明人：王晓亮;黄存新;赵鹏 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种多气氛导模法蓝宝石晶体生长方法及装置，通过将籽晶和晶体生长原料放入晶体生长炉中，然后将晶体生长炉抽真空，再将还原性气体与氩气充入晶体生长炉中，再将晶体生长炉升温至2060℃～2500℃，使得晶体生长原料熔化，然后使籽晶与熔化的晶体生长原料接触，生长晶体。本申请通过在晶体生长炉中增加了还原性气体，为晶体生长炉中易氧化的热场材料提供了还原性气氛，有效抑制了晶体生长炉中热场材料的氧化挥发，提高了晶体生长炉中热场材料的使用寿命，也降低了热场材料的氧化挥发对晶体生长原料的污染，进而降低了蓝宝石晶体中的杂质含量，提高了蓝宝石晶体的质量。
一种气氛导模法蓝宝石晶体生长方法装置

[发明专利]一种基于部分连续晶体的PET探测器及PET成像系统-CN202211325159.1在审
发明人：何文;顾峥;赵阳洋;赵鑫;黄文杰;张志在 -专利权人：深圳湾实验室
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于部分连续晶体的PET探测器及PET成像系统。本发明的PET探测器包括闪烁晶体阵列和单端读出的光电探测器阵列；其中，所述闪烁晶体阵列为多个复合晶体层沿X方向排列构成的阵列，相邻复合晶体层之间设有第一高反射率材料层；每个所述复合晶体层包含一块晶体阵列和一块连续晶体片，所述晶体阵列与所述连续晶体片之间为光学透明耦合；所述晶体阵列包括多根沿Y方向排列的晶体条，相邻晶体条之间设有第二高反射率材料层；各所述复合晶体层沿Z方向的两端面分别作为所述闪烁晶体阵列的输入端、输出端；X方向、Y方向和Z方向两两相互垂直；所述闪烁晶体阵列的输出端与所述光电探测器阵列的输入端面耦合。
一种基于部分连续晶体 pet 探测器成像系统

[发明专利]半导体装置及电子设备-CN201510087445.2有效
发明人：梅崎敦司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明的一个方式包括晶体管101、晶体管102、晶体管103及晶体管104。晶体管101的第一端子与布线111连接，且晶体管101的第二端子与布线112连接。晶体管102的第一端子与布线113连接，且晶体管102的第二端子与布线112连接。晶体管103的第一端子与布线113连接，且晶体管103的栅极与布线111或布线119连接。晶体管104的第一端子与晶体管103的第二端子连接，且晶体管104的第二端子与晶体管101的栅极连接，且晶体管104的栅极与晶体管102的栅极连接。
半导体装置电子设备

[发明专利]单晶体的制造方法和制造装置-CN201510691694.2有效
发明人：佐藤利行 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： C30B13/30 文献下载
摘要：本发明涉及单晶体的制造方法和制造装置。本发明的单晶体的制造方法具有：锥形部培养工序，一边使在晶种的上方生长的单晶体的晶体直径增加一边使单晶体生长；以及直筒部培养工序，在将晶体直径保持为固定的状态下使单晶体生长。锥形部培养工序包含：分别测定当前的原料直径和晶体直径的步骤；参照将单晶体生长单位长度时的晶体直径的目标增加量即直径差与增加前的晶体直径关联起来记录的直径差分布来求取与当前的晶体直径对应的直径差的步骤；求取对当前的晶体直径加上直径差后的目标晶体直径的步骤；以及计算对目标晶体直径与当前的原料直径的比的平方乘以当前的晶体传送速度而得到的目标原料传送速度的步骤。
单晶体直径差单晶体生长目标晶体制造装置锥形部制造目标增加原料传送直径增加固定的直筒部晶种传送关联生长记录