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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶体管-CN201710430180.0有效
发明人：后藤尚人;保坂泰靖;矢口瑞穂 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个方式的目的是提供一种占有面积小的晶体管。另外，本发明的一个方式的目的是提供一种可靠性良好的晶体管。在具有凸部的绝缘层上设置晶体管。在该凸部上至少设置半导体层的沟道形成区。由此，可以减小该晶体管的占有面积。由于该晶体管具有弯曲的结构，因此从外部入射的光不容易到达半导体层的沟道形成区。由此可以减轻外部光所引起的该晶体管的劣化，而可以提高该晶体管的可靠性。
晶体管

[其他]晶体管-CN85105124无效
发明人：田中忠彦 -专利权人：三洋电机株式会社;东京三洋电机株式会社
申请日： 1985-07-04 - 公布日： 1986-12-31 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：上述第2发射极电极及上述第2基极电极形成梳齿状，使上述第2发射极电极和上述第1发射极电极在每个梳齿上进行带状的接触，通过大幅度地扩大接触面积来抑制电流的集中，小芯片面积而有较强的耐破坏力的高电流容量的晶体管
晶体管

[发明专利]晶体管-CN201610356218.X在审
发明人：王佳佳;丁庆 -专利权人：深圳市华讯方舟科技有限公司;深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体管，在晶体管的势垒层中设置了低掺杂漏区，由于低掺杂漏区与势垒层中除低掺杂漏区外的区域的电负性的差异，低掺杂漏区的存在可以调节势垒层中二维电子气，改变势垒层中栅极下方的耗尽层的电场强度，减小电场峰值，降低陷阱效应，从而提高击穿电压，同时引入了场板，栅极边缘耗尽层边界的弯曲程度减弱，电场分布得到调制，峰值电场减小，陷阱效应降低，进一步提高了击穿电压，在低掺杂漏区和场板的共同作用下，极大地提高了晶体管的击穿电压，增加了晶体管工作的稳定性。
晶体管

[发明专利]晶体管-CN201910851852.4在审
发明人：袁锋;何嘉政;王梓仲;李东颖;蔡劲;林铭祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：多个所述的实施例提供具有负电容的晶体管、及其制造方法。晶体管包含具有铁电层的栅极结构。铁电层是通过形成厚铁电膜、退火铁电膜以具有所需相态、以及薄化铁电膜至铁电层的所需厚度而形成。
晶体管

[其他]晶体管-CN101985000005124在审
发明人：田中忠彦 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 1985-07-04 - 公布日： 1989-07-19 - 主分类号：文献下载
摘要：及上述第２基极电极（２８）形成梳齿状，使上述第２发射极电极（２９）和上述第１发射极电极（２６）在每个梳齿上进行带状的接触，通过大幅度地扩大接触面积来抑制电流的集中、小芯片面积而有较强的耐破坏力的高电流容器的晶体管
晶体管

[发明专利]晶体管-CN201910906107.5在审
发明人：金志昀;徐梓翔;李彦儒;李启弘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供的晶体管包括源极/漏极区，且源极/漏极区包括第一层，其第一平均硅含量介于约80％至100％之间；第二层，其第二平均硅含量介于0至约90％之间，第二平均硅含量比第一平均硅含量低至少7％，且第二层位于第一层上并与第一层相邻
晶体管

[发明专利]晶体管-CN202110571787.7在审
发明人：马可范达尔;布兰汀杜里兹;乔治奥斯韦理安尼堤斯;荷尔本朵尔伯斯;马礼修 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种晶体管包括第一栅极电极、复合沟道层、第一栅极介电层以及源极/漏极接触件。复合沟道层在第一栅极电极上，且包括依序堆叠的第一覆盖层、结晶半导体氧化物层以及第二覆盖层。
晶体管

[发明专利]晶体管-CN202110571808.5在审
发明人：马可范达尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种晶体管包括第一栅极结构、沟道层以及源极/漏极接触件。第一栅极结构包括纳米片材。沟道层位于第一栅极结构上。沟道层的一部分包绕第一栅极结构的纳米片材。源极/漏极接触件位于纳米片材旁。
晶体管

[发明专利]晶体管-CN202210112332.3在审
发明人：陈嘉伟;赖启胜;林士豪;陈建豪;游国丰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：提供一种晶体管。此晶体管包括：一第一源极/漏极外延特征部件、一第二源极/漏极外延特征部件以及二或多个半导体层配置于第一源极/漏极外延特征部件与第二源极/漏极外延特征部件之间。晶体管还包括一栅极电极层围绕此二或多个半导体层的至少一部分，其中晶体管具有二或多个阈值电压。
晶体管

[发明专利]晶体管-CN202210030432.1在审
发明人：崔泰荣;赵承奂;孙炳泽 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开涉及一种晶体管，所述晶体管包括：有源层，包括第一端部区域、与第一端部区域相邻的中间区域和通过中间区域与第一端部区域间隔开的第二端部区域；第一电极，在有源层上，与第一端部区域重叠，并且通过第一接触孔连接到第一端部区域
晶体管

[发明专利]晶体管-CN202080105740.5在审
发明人：渡边伸介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本公开所涉及的晶体管具备：半导体基板；源极焊盘，设置于半导体基板的上表面；多个源极电极，设置于半导体基板的上表面，具有与源极焊盘连接的第一端和与源极焊盘相反的一侧的第二端，并沿与半导体基板的上表面平行的排列方向排列
晶体管

[发明专利]晶体管-CN202310100911.0在审
发明人：金尚昱;卞卿溵;申建旭;郑文一;金恩太;杨智恩;李光熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种晶体管包括氧化物半导体层、在氧化物半导体层上彼此间隔开设置的源电极和漏电极、与氧化物半导体层间隔开的栅电极、设置在氧化物半导体层和栅电极之间的栅极绝缘层以及设置在栅电极和栅极绝缘层之间并掺杂有金属的石墨烯层
晶体管

[发明专利]晶体管-CN200910265488.X有效
发明人：骆伯远;彭玉容;胡堂祥;詹益仁 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体管，包括衬底、栅极、半导体层、绝缘堆迭层以及源极与漏极。栅极配置于衬底上。半导体层配置于衬底上，以第一型态载流子作为主要载流子。
晶体管

[发明专利]晶体管-CN201310114440.5有效
发明人：佐佐木善伸;久留须整 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明获得能够防止高电压施加所导致的破坏的晶体管。在半导体衬底(1)上配置有发射极电极(2)、集电极电极(3)以及基极电极(4)。集电极电极(3)与发射极电极(2)分离。
晶体管

[发明专利]晶体管-CN201580024522.8有效
发明人：黛哲;马克·费希尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：晶体管栅极向下延伸到所述第二半导体材料中。栅极电介质材料是沿着所述晶体管栅极的侧壁及底部。源极/漏极区域是沿着所述晶体管栅极的所述侧壁，且所述栅极电介质材料处于所述源极/漏极区域与所述晶体管栅极之间。沟道区域在所述源极/漏极区域之间延伸且处于所述晶体管栅极的所述底部下方。所述沟道区域中的至少一些处于所述应变区域内。
晶体管

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