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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电流再利用型场效应晶体管放大器-CN201780088820.2有效
发明人： 久留须整 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03F3/68 文献下载
摘要：本发明涉及的电流再利用型FET放大器在初级的第一FET的漏极和次级的第二FET的栅极之间设置电容，将第二FET的栅极电压与第一FET的漏极电压电气分离，该电流再利用型FET放大器具备控制电路，该控制电路以相对于FET的饱和电流(Idss)的变动，对第二FET的漏极电流的变动和第一FET的漏极电压的变动进行抑制的方式控制第一FET的栅极电压和第二FET的栅极电压。并且，本发明涉及的电流再利用型FET放大器仅使用耗尽型的FET，提供能够通过正的单一电源进行动作的电路结构。
电流再利用场效应晶体管放大器

[发明专利]半导体装置-CN202080098435.8在审
发明人： 久留须整 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/8232 文献下载
摘要：本公开所涉及的半导体装置(1)具备：n沟道耗尽型的晶体管(10)；输入匹配电路(24)，将栅极端子(11)与接地用端子(22)进行DC连接；自偏置电路(26)，具有电阻(14)以及电容(15)，电阻(14)通过由在自身中流动的电流而引起的电压降来偏置晶体管(10)，电容(15)与电阻(14)并联连接，在高频下被视为短路；以及一级或在同一方向上串联连接成多级的二极管(31)，最端部的阳极与源极端子(12)连接，最端部的阴极与接地用端子(22)连接。
半导体装置

[发明专利]集成电路-CN201710263586.4有效
发明人：杉谷拓海;久留须整 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路，涉及具有适合在高频带进行利用的多级放大器的集成电路，目的在于得到一种具有多级放大器、能够抑制经由接地面的反馈的集成电路。本发明涉及的集成电路具有：第1放大级；第2放大级；第1信号线路，其将所述第1放大级的输出和所述第2放大级的输入连接；第1接地面，其与所述第1放大级连接；第2接地面，其与所述第2放大级连接；以及至少1个接地线，其将所述第1接地面和所述第2接地面连接，所述接地线的中心线的长度为10μm～1mm，所述接地线的宽度的总和小于或等于所述第1接地面的宽度的3分之1，将所述中心线的长度除以所述宽度的总和得到的值即图案比大于或等于1。
集成电路

[发明专利]倍频器-CN201610082047.6有效
发明人： 久留须整;塚原良洋 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种倍频器，该倍频器能够使栅极接地晶体管所显示出的负电阻特性等不稳定性稳定化，而不在高频信号所通过的路径上设置电阻。该倍频器的特征在于，具有：输入端子；输出端子；第1晶体管，其具有从该输入端子被输入高频信号的第1栅极、将输出信号向该输出端子发出的第1漏极、和接地的第1源极；第2晶体管，其具有第2栅极、从该输入端子被输入该高频信号的第2源极、和将输出信号向该输出端子发出的第2漏极；以及稳定化电阻，其是连接于该第2栅极和接地之间的电阻，在该高频信号的路径上无电阻，该稳定化电阻对由该第2晶体管所生成的反射增益进行抑制。
倍频器

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201780089183.0在审
发明人：前田和弘;日坂隆行;久留须整 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-04-04 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：在半导体衬底(1)之上形成有多指晶体管，该多指晶体管具有多个控制电极(2)、多个第1电极(3)及多个第2电极(4)。树脂膜(14、15)覆盖晶体管。在树脂膜(14、15)之上形成有将多个第1电极(3)彼此电连接的第1配线(8)。树脂膜(14、15)覆盖第1配线(8)和多个第1电极(3)的接触部分。在多个控制电极(2)及多个第2电极(4)周围形成有由树脂膜(14、15)密闭的中空构造(16)。
电极树脂膜晶体管控制电极配线中空构造电连接密闭衬底覆盖半导体

[发明专利]晶体管-CN201310114440.5有效
发明人：佐佐木善伸;久留须整 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明获得能够防止高电压施加所导致的破坏的晶体管。在半导体衬底(1)上配置有发射极电极(2)、集电极电极(3)以及基极电极(4)。集电极电极(3)与发射极电极(2)分离。基极电极(4)配置于发射极电极(2)与集电极电极(3)之间。发射极电极(2)具有部分(2a、2b)。散热板(5)不与发射极电极(2)的部分(2a)接合，而与部分(2b)接合。
晶体管

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