“晶体学参数”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果992296个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于晶体结构数据库的材料解析方法、系统及应用-CN202180009006.3在审
发明人：潘锋;李舜宁;董成;张文韬;侯晨昕;陈历涛;潘俊杰;郑世胜;林原;林海 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：一种基于晶体结构数据库的材料解析方法、系统、计算机可读存储介质及应用。上述材料解析方法包括，将待测样本检测的实验图谱信息与晶体结构数据库中材料结构数据计算的理论图谱信息进行比对，通过智能分析获得待测样本的晶体学信息及物相成分；晶体学信息包括空间群、晶胞参数、晶胞中原子具体坐标；晶体结构数据库具有实验测量和/或理论预测得到的材料结构数据，包含化学式、空间群、晶胞参数，和晶胞中原子具体坐标。上述方法，采用材料基因大数据研究新范式，通过晶体结构数据库实现自动化的晶体学信息及物相成分分析，是一种新型材料解析方法；基于该方法，可实现大规模高通量高精度的材料解析，为搭建材料学图谱数据挖掘分析平台奠定了基础
一种基于晶体结构数据库材料解析方法系统应用

[发明专利]互补金属氧化物半导体结构及其制作方法-CN200710167205.9有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-11-01 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：该CMOS结构包括位于使用半导体基板内的第一有源区的第一器件，其中第一有源区是平坦的并具有第一晶体学取向。该CMOS结构还包括位于使用半导体基板内的第二有源区的第二器件，其中第二有源区是非平的且具有不存在第一晶体学取向的第二晶体学取向。第一晶体学取向和第二晶体学取向典型地对于电荷载流子迁移率，为第一器件和第二器件提供了性能优化。非平的第二有源区也具有单一厚度。该CMOS结构可以使用晶体学选择蚀刻剂形成非平的第二有源区来制作。
互补金属氧化物半导体结构及其制作方法

[发明专利]检测单个晶体结构中的异常的方法-CN202010030751.3在审
发明人：杰奎琳·格瑞菲斯;斯科特·杜菲维尔;纳西莎·C·平扎里乌;卡洛斯·爱德华多·梅斯基塔弗里亚斯 -专利权人：劳斯莱斯有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G01N23/2055 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测晶体学结构中的异常的方法，所述方法包括：在相对于所述晶体学取向的已知方向上利用x射线辐射对所述结构进行照明；对所述结构进行定位使得所述结构的晶体学取向是已知的；对透射穿过所述结构的衍射的所述x射线辐射的图案进行检测；基于相对于所述晶体学取向的所述已知方向来生成模拟的所述图案；将所检测图案与在所述已知方向上进行照明的x射线辐射的模拟图案进行比较；以及基于所述比较来检测所述晶体学结构中的所述异常
检测单个晶体结构中的异常方法

[发明专利]一种基于生成对抗网络的晶体结构预测方法-CN202110310358.4在审
发明人：王鹏;柳书博 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于生成对抗网络的晶体结构预测方法，属于材料结构技术领域，包括导入晶体结构数据、数据预处理、数据增广、模型训练、数据后处理和模型验证；本发明通过将生成的结构模型输入原子尺度材料模拟的计算机程序包进行自洽计算通过从已有晶体学结构数据中进行数据挖掘的方式，让机器提取现有晶体学结构数据中的规律，完成晶体学新结构预测任务，保证晶体学预测成功率，通过将人工智能数据挖掘技术引入新材料、新晶体结构的预测任务中来，将原有的第一性原理“从头算”的思路，改为从已有数据中进行数据挖掘，使得晶体学新结构预测所需的时间显著降低，同时保证了预测的精度和准确度。
一种基于生成对抗网络晶体结构预测方法

[发明专利]测定电工钢和铁芯的磁感的方法-CN200710053052.5有效
发明人：李长一;周顺兵;陈方玉;李立军;陈士华;冯大军;张新仁;谢晓心;黄璞;张友登 -专利权人：武汉钢铁（集团）公司
申请日： 2007-08-28 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种测定电工钢及铁芯的磁感的方法，该方法根据晶体学织构分析原理，采用首先用X－射线衍射技术测量测定被测件若干不同晶体学方向的轴密度ρ_uvw，然后以ρ_uvw为参数，在被测件有标样的情况下，根据公式计算得到被测件外观方向的磁感应强度；在被测件没有标样的情况下其中，n是测定的晶体学方向的数目，α_uvw是被测件的晶体各向异性常数，B_uvw是被测件的不同晶体学方向的磁感应强度。
测定电工方法

[发明专利]一种精确表征晶体三维取向和晶体学取向的方法-CN201910736340.3在审
发明人：陈国清;王雅琨;付雪松 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明提供一种精确表征晶体三维取向和晶体学取向的方法。本发明方法，包括如下步骤：获取所述晶体材料待测区域内的二维组织形貌和EBSD花样；将其通过三维图像分析软件进行三维图像合成，获取三维形貌；提取特征形貌在三维形貌所在坐标系中的三维取向；通过三维取向转换到EBSD获得的晶体学坐标系中，获得所述特征形貌的晶体学取向。本发明可以精确地同时解析各种材料特征组织结构的取向和晶体学取向，对材料晶体生长取向和生长行为研究具有重要意义。
晶体学取向取向三维三维形貌形貌三维图像分析三维图像合成材料晶体材料特征待测区域晶体材料取向转换生长取向特征形貌提取特征行为研究重要意义组织结构组织形貌二维解析花样生长

[发明专利]苯磺酸左旋氨氯地平晶体、其制备方法和应用-CN201510519007.9有效
发明人：凌云;杨彦玲;李环;陶丽 -专利权人：薛传校
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： C07D211/90 文献下载
摘要：本发明提供一种苯磺酸左旋氨氯地平晶体，分子式是：(C₂₀H₂₅ClN₂O₅)·(C₆H₆O₃S)·(H₂O)_1.5，分子量是：594.07，晶体学测量参数是：单斜晶系，P2₁手性空间群，手性绝对构型由晶体学Flack参数为0.08(6)确定；单胞大小是β＝95.817(本发明的苯磺酸左旋氨氯地平晶体具有明确的晶型及其结晶水个数，明确的晶体学主要参数及确切的原子空间位置，改善了现有苯磺酸左旋氨氯地平的溶解性及稳定性，有利于苯磺酸左旋氨氯地平片剂稳定性的提升及生物利用度的改善，制备简单，成本较低，所制得的晶体晶型规则，粒径尺寸均匀，适于大规模推广应用。
苯磺酸左旋氨氯地平晶体制备方法应用

[发明专利]一种基于金属原位晶体学及磁畴表征金属磁记忆检测的方法-CN201110309984.8有效
发明人：张鸥;徐学东;张海;张登宇;安栋 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2011-10-13 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： G01N27/83 文献下载
摘要：一种基于金属原位晶体学及磁畴表征金属磁记忆检测的方法，属于金属磁记忆无损检测研究领域。将金属材料本身作为研究对象，在不同应力状态下(拉伸不同阶段或者疲劳不同次数)，利用bitter粉纹法测得对应的磁畴图，利用SEM-EBSD系统测得SEM形貌和取向等晶体学信息。从而得到金属材料的晶体学信息、磁畴与应力的关系。本发明结合金属材料本身得到材料微观尺度磁信号大小和磁矩的方向以及晶体学信息，去除了材料本身以外其他因素的干扰，具有良好的可靠性，克服了上述实际应用中的误差。
一种基于金属原位晶体学表征记忆检测方法

[发明专利]用于烃类异构体分离的锆基金属有机框架膜及制备方法-CN202310465472.3在审
发明人：刘新磊;从深震 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B01D71/06 文献下载
摘要：根据烃类异构体分子动力学直径大小差异，选择分子尺寸筛分窗口介于同碳数烃类异构体分子之间的锆基金属有机框架膜对烃类异构体进行分离；或选用晶体学孔径尺寸在被分离的物质之间的多晶膜对被分离物质进行分离。对二甲苯和邻二甲苯选用晶体学孔径尺寸#imgabs0#的UiO‑66多晶膜进行分离。对正己烷和2‑甲基戊烷选用晶体学孔径尺寸#imgabs1#的xBr‑UiO‑66来分离。对正丁烷和异丁烷选用晶体学孔径尺寸#imgabs2#的MOF‑801多晶膜或窗口的晶体学孔径尺寸#imgabs3#的xNH2‑UiO‑66来分离。
用于烃类异构体分离基金有机框架制备方法

[发明专利]焊缝金属中有效阻碍脆性裂纹扩展的显微组织定量化方法-CN202210514770.2在审
发明人：王学林;王智权;谢振家;尚成嘉;郭福建;袁胜福;刘文乐 -专利权人：北京科技大学;阳江合金材料实验室
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01N23/203 文献下载
摘要：本发明涉及金属材料裂缝扩展领域，提供了一种焊缝金属中有效阻碍脆性裂纹扩展的显微组织定量化方法及系统；该方法包括：S1利用EBSD对焊缝金属样品进行显微组织晶体学数据采集；S2提取晶体学数据及实验{100}极图；S3晶体学数据计算和母相奥氏体晶粒重构，确定显微组织变体类型；S4获取显微组织晶体学结构单元图像，进行边界化处理，获得Bain单元；S5完成焊缝金属中有效阻碍脆性裂纹扩展的显微组织定量化。本发明规避了以往从形貌学角度定量化焊缝组织的精准度不足问题，同时也避开了仅从EBSD获取的晶界取向差角度来计算所表现的笼统性问题；精确实现焊缝金属中可有效阻碍脆性裂纹扩展的显微组织表征及单元尺寸定量化。
焊缝金属有效阻碍脆性裂纹扩展显微组织量化方法

[发明专利]快速获取材料超快退磁大小与分布的方法-CN201210271293.8无效
发明人：薛德胜;李金赟;司明苏 -专利权人：兰州大学
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：该方法具体为：使用X射线衍射仪测量研究材料的晶体学参数，晶体学参数包括材料所属的空间对称群、晶格常数、以及各原子对应的分数坐标；通过应用密度泛函理论，结合材料晶体学参数可获得材料的基态性质，主要有材料的磁矩
快速获取材料退磁大小分布方法

[发明专利]晶体对称性及能带路径确定方法及装置-CN202110626051.5在审
发明人：姜骏;王崇愚 -专利权人：北京市计算中心
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体对称性及能带路径确定方法及装置，其中，该方法包括：基于目标晶体的结构参数，确定所述目标晶体的标准晶体学晶胞；获取所述标准晶体学晶胞对应的初基元胞；基于所述初基元胞，确定目标晶体的点群。本发明实施例提供的晶体对称性及能带路径确定方法及装置，基于群表示理论，确定周期性材料所属的晶体点群，能更高效、准确地确定晶体的对称性，从而能在晶体的对称性的基础上，更高效、完整地确定高对称性的k点并连接形成标准化能带路径
晶体对称性能带路径确定方法装置

[发明专利]一种高温固体比热的双参数确定方法-CN202010544007.5在审
发明人：魏小林 -专利权人：中国科学院力学研究所
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明提供一种高温固体比热的双参数确定方法，将多原子的复杂晶格晶体比热设为德拜近似项和爱因斯坦近似项的贡献之和，并作为比热公式；然后根据晶体学的基本参数计算出德拜温度；再根据已知晶体的常温比热数据或简单物质的热物性，通过比热公式反算出爱因斯坦温度；最后验证对比计算比热修正值与已知晶体比热数据两者的误差，确定比热公式的可靠性。本发明通过假设多原子组成的单个晶格原胞具有唯一的德拜特征温度ΘD和爱因斯坦温度ΘE，仅通过晶体学的基本参数和简单物质的热物性就可以预测得到复杂晶格固体的两个特征温度ΘD和ΘE，从而计算出不同温度下固体的理论比热，通过与实验数据的相互验证，获得高温固体比热的双参数表达式
一种高温固体比热参数确定方法

[发明专利]一种基于WebGL的三维晶体结构可视化方法-CN202011003353.9在审
发明人：莫晴;杜云飞;陈品;颜辉;许泽鑫;高森 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G16C20/80 文献下载
摘要：本发明为解决现有三维材料可视化技术中没有考虑到周期性晶体结构的结构可视化特征的缺陷，提出一种基于WebGL的三维晶体结构可视化方法，包括以下步骤：预设WebGL元数据及three.js模型；初始化作为可视化对象的网格模型参数；获取目标晶体学信息文件，从晶体学信息文件中读取目标晶体的结构信息；利用three.js模型，根据目标晶体的结构信息创建分别表示原子、化学键、晶体盒子、坐标轴的网格模型；将创建的分别表示原子、化学键、晶体盒子、坐标轴的网格模型保存到网格模型集合中，根据预设的WebGL元数据及three.js模型并通过渲染器将所有网格模型渲染到画布，完成三维晶体结构可视化。
一种基于 webgl 三维晶体结构可视化方法

[发明专利]具有热致荧光变色性质的铜（Ⅰ）‑卤簇基化合物及其制备方法-CN201610922435.0在审
发明人：辛丙靖;李鹏;罗力莎;李光华 -专利权人：吉林化工学院
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C07F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有热致荧光变色性质的铜(I)‑卤簇基化合物及其制备方法，该化合物的化学式为C16H32N4Cu6I6Br2，化合物属于三斜晶系，晶体颜色为无色，空间群为p‑1，化合物为由若干非对称结构单元构成的两重互穿的三维结构；每个非对称结构基元由三个晶体学独立的Cu原子、三个晶体学独立的I原子、一个晶体学独立的Br原子和二分之一个晶体学独立的配体分子组成；结构中Cu原子采取四配位模式，Cu(1)和Cu(3)的配位模式相同，
具有荧光变色性质卤簇基化合物及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条