专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2130461个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]器件损耗分析装置-CN201010586841.7无效
  • 汪亮;张国保;完绍平;刘彦阳;张丽丽;阮志光 - 上海光家仪器仪表有限公司;上海光维通信技术股份有限公司
  • 2010-12-14 - 2011-05-25 - H04B10/08
  • 本发明公开了一种器件损耗分析装置包括:多波长光源,用于提供多种波长的稳定功率的激光;光开关,用于选择多种波长的激光中的一路输出;偏振控制器,用于改变激光的偏振态;具有第一端、第二端以及第三端的分路器;回损测试模块,用于测量待测器件输入端反射的光功率;光功率计模块,用于测量待测器件输出端的光功率;单片机,用于控制多波长光源的激光输出、光开关的激光选择、偏振控制器对激光偏振态的改变以及接收回损测试模块和光功率计模块测得的数据并对该数据进行处理本发明的器件损耗分析装置是集稳定的DFB光源、光功率计模块、插回损测试仪、DPL测试仪为一体的多功能设备。
  • 无源器件损耗分析装置
  • [实用新型]器件损耗分析装置-CN201020658303.X有效
  • 汪亮;张国保;完绍平;刘彦阳;张丽丽;阮志光 - 上海光家仪器仪表有限公司;上海光维通信技术股份有限公司
  • 2010-12-14 - 2011-07-13 - H04B10/08
  • 本实用新型公开了一种器件损耗分析装置包括:多波长光源,用于提供多种波长的稳定功率的激光;光开关,用于选择多种波长的激光中的一路输出;偏振控制器,用于改变激光的偏振态;具有第一端、第二端以及第三端的分路器;回损测试模块,用于测量待测器件输入端反射的光功率;光功率计模块,用于测量待测器件输出端的光功率;单片机,用于控制多波长光源的激光输出、光开关的激光选择、偏振控制器对激光偏振态的改变以及接收回损测试模块和光功率计模块测得的数据并对该数据进行处理本实用新型的器件损耗分析装置是集稳定的DFB光源、光功率计模块、插回损测试仪、DPL测试仪为一体的多功能设备。
  • 无源器件损耗分析装置
  • [实用新型]插拔式光器件-CN200720060929.9有效
  • 武高峰;孙艳林;胡中友 - 珠海保税区光联通讯技术有限公司
  • 2007-12-05 - 2008-10-15 - G02B6/38
  • 本实用新型公开了一种封装方式紧凑、结构简单、体积小、使用便捷的插拔式光器件,其输入端口和输出端口均采用符合通讯行业标准的连接器类型结构组件和适配器类型结构组件,改变了传统的连接方式,实现了光的输入与输出的一体化本实用新型包括内部光学元器件、外部的输入端口组件和输出端口组件,所述输入端口组件和输出端口组件为相适配的插拔式组件并分别安装于所述内部光学元器件的两端。本实用新型可广泛应用于光纤通讯领域。
  • 插拔式光无源器件
  • [发明专利]一种集成器件的滤波器晶圆级封装结构及其方法-CN202111142381.3在审
  • 陈崧;杨佩佩;朱其壮;金科;吕军 - 苏州科阳半导体有限公司
  • 2021-09-28 - 2021-12-14 - H01L25/18
  • 本发明实施例公开了一种集成器件的滤波器晶圆级封装结构及其方法。集成器件的滤波器晶圆级封装结构包括:晶圆衬底;滤波器结构,位于晶圆衬底的一侧,滤波器结构包括电极和叉指换能结构;封装绝缘层,位于滤波器结构远离晶圆衬底的一侧;封装绝缘层覆盖滤波器结构且完全或者不完全暴露电极,并与晶圆衬底围成封闭的容纳腔;叉指换能结构位于容纳腔内;金属器件层,位于封装绝缘层内且与电极电接触;金属器件层包括多个连接端子,封装绝缘层完全或者不完全暴露连接端子。本实施例的技术方案,在滤波器晶圆级封装过程中实现了无器件与滤波器晶圆级的集成,从而实现了滤波器芯片的集成化和微型化以及集成工艺流程的简单化和低成本化。
  • 一种集成无源器件滤波器晶圆级封装结构及其方法
  • [发明专利]一种光电衬底上的高约束波导-CN200810183546.X有效
  • 大卫·J.·多尔蒂;卡尔·基萨 - JDS尤尼弗思公司
  • 2008-12-18 - 2010-01-06 - G02B6/122
  • 本发明涉及一种光学器件,所述光学器件包括位于光电衬底(如铌酸锂)上的被光耦合至光电衬底中的波导的高约束波导(如以富硅氮化硅材料制成)。此高约束波导结构可以实现多种光电器件,包括:定向耦合器、紧凑型抽头耦合器、折叠式光电器件、包括环形谐振腔的光电调制器、光电光栅。本发明实现的进一步应用还包括集成有光电有源波导的混合平面光波回路(PLC),其采用该高约束波导作为在与有源部件之间传递光功率的中间波导。
  • 一种光电衬底约束波导
  • [发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111168049.4在审
  • 杨天应 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2021-10-08 - 2021-12-24 - H01L23/544
  • 一种半导体器件及其制备方法,涉及半导体技术领域,该半导体器件包括衬底和半导体层,半导体层上划分有两个相间隔的有源区,以及位于有源区外围的区,在有源区设置有第一极、漏极和栅极,在区设置有源极焊盘、漏极焊盘和栅极焊盘,漏极焊盘与漏极连接,栅极焊盘与栅极连接;在两个有源区上连接设置有第二极,第二极包括第一金属部、第二金属部和第三金属部,第一金属部和第三金属部分别连接于两个有源区,第二金属部位于两个有源区之间的区;极焊盘分别与第一极和第二极连接,极焊盘与第二极共用第二金属部,得到预制器件结构。该半导体器件能够改善因极测试焊盘设置在芯片边缘而导致的探针分布复杂的问题。
  • 一种半导体器件及其制备方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top