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[发明专利]层状结构-CN202210471897.0在审
发明人： A·克拉克;R·达尔基斯 -专利权人： IQE公开有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：公开了层状结构。层状结构10包括：呈[100]晶体取向的基板；呈[111]取向的结晶方铁锰矿氧化物层14；以及与结晶方铁锰矿氧化物层在晶体学上匹配的含金属层16。
层状结构

[发明专利]氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶材、氧化物透明导电膜及其制造方法、和太阳能电池-CN201180057433.5有效
发明人：仓持豪人;松丸庆太郎;秋池良;内海健太郎;涩田见哲夫 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供氧化物烧结体（2）和溅射靶材，所述氧化物烧结体（2）由方铁锰矿型氧化物相和钙钛矿型氧化物相的晶相、或方铁锰矿型氧化物相的晶相构成，晶相具有铟、锡、锶和氧作为构成元素，铟、锡和锶的含量按原子比计满足下述式
氧化物烧结及其制造方法溅射透明导电太阳能电池

[发明专利]一种锰浸取液低品位天然二氧化锰矿除铁剂及除铁方法-CN200810031975.5无效
发明人：竹原尚夫;崔璀 -专利权人：湖南阳光电化有限公司
申请日： 2008-08-01 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： C22B47/00 文献下载
摘要：一种锰浸取液低品位天然二氧化锰矿除铁剂及除铁方法，该低品位天然二氧化锰矿除铁剂的二氧化锰含量为10～50％，比表面积为10～70％m²/g；所述二氧化锰的晶形结构为γ型或(γ+β)型。该除铁方法是在pH≤3的氧化反应阶段和pH4～6的吸附反应阶段的锰浸取液中，分别投入所述的低品位天然二氧化锰矿除铁剂；而当作为除铁剂的低品位天然二氧化锰矿石杂质含量较多时，在pH4～6的锰浸取液中，一次性将所述的低品位天然二氧化锰矿除铁剂全部投入；或在硫酸锰的制液工序加入硫酸，或者电解废液和硫酸后，先加入所述低品位天然二氧化锰矿除铁剂，然后再加入锰矿原料。本发明二氧化锰利用效率高且稳定，除铁效果好，可降低除铁成本。
一种锰浸取液低品位天然氧化锰矿方法

[发明专利]氧化物烧结体以及对其进行加工而得到的片体-CN201280007485.6有效
发明人：中山德行 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物烧结体等，其含有氧化铟作为主要成分，并含有钨作为添加元素，钨的含量以W/(In＋W)的原子数比计为0.001～0.15，其特征在于，该氧化物烧结体主要由下述晶粒构成：由没有固溶钨的方铁锰矿型结构的氧化铟相构成的晶粒(A)、以及由固溶有钨的方铁锰矿型结构的氧化铟相构成的晶粒(B)，且该氧化物烧结体的密度为3.4～5.5g/cm3。
氧化物烧结以及进行加工得到

[实用新型]层状结构、光子器件、电子器件以及射频滤波器-CN202221039440.4有效
发明人： A·克拉克;R·达尔基斯 -专利权人： IQE公开有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：公开了层状结构、光子器件、电子器件以及射频滤波器。层状结构10包括：呈[100]晶体取向的基板；呈[111]取向的结晶方铁锰矿氧化物层14；以及与结晶方铁锰矿氧化物层在晶体学上匹配的含金属层16。本实用新型寻求提供一种防止或克服以上提到的问题的层状结构。有利地，可以在整个行业常用的基板上生长高质量的含金属层，这开启了集成和成本益处。
层状结构光子器件电子器件以及射频滤波器

[发明专利]In-Ga-O系氧化物烧结体、靶、氧化物半导体薄膜以及它们的制造方法-CN201180004849.0有效
发明人：江端一晃;笘井重和;矢野公规 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：一种氧化物烧结体，其中，实质上结晶结构由显示出方铁锰矿结构的氧化铟构成，镓原子固溶在上述氧化铟中，原子比Ga/(Ga+In)为0.10～0.15。
in ga 氧化物烧结半导体薄膜以及它们制造方法

[发明专利]氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管-CN201810801711.7在审
发明人：中山德行;西村英一郎;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶质氧化物半导体薄膜，在非晶质状态中蚀刻性优良，在结晶质状态中具有低载流子浓度和高载流子迁移率，适宜用作薄膜晶体管的沟道层材料，仅由方铁锰矿型结构的In₂O铁锰矿型结构的In₂O₃相作为主结晶相，在该主结晶相中微细地分散有β‑Ga₂O₃型结构的GaInO₃相或者β‑Ga₂O₃型结构的GaInO₃相和(Ga,In)₂O₃相。
非晶质氧化物薄膜氧化物烧结体薄膜晶体管载流子氧化物半导体薄膜方铁锰矿型结构蚀刻结晶质氧化物载流子迁移率半导体薄膜非晶质状态沟道层材料光刻法技术结晶质状态退火处理微细加工原子数比微细结晶相蚀刻性铁锰矿主结晶

[发明专利]红磷锰矿型磷酸锰铁及其制备方法和应用-CN202210743153.X在审
发明人：任翔;李长东;阮丁山;陈若葵;时振栓;秦存鹏 -专利权人：广东邦普循环科技有限公司;湖南邦普循环科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C01B25/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种红磷锰矿型磷酸锰铁及其制备方法和应用，红磷锰矿型磷酸锰铁的化学通式为(MnxFe1‑x)锰矿结构是二价锰较为稳定的磷酸盐，可以成为磷酸锰铁锂的理想前驱体，制备方法采用可溶性二价锰源与二价铁源进行共沉淀，控制锰铁磷比、pH及反应温度在合适的范围制备锰铁均匀掺杂的红磷锰矿结构，锰与铁可达原子级别混合本发明磷酸锰铁的元素含量与红磷锰矿晶型的理论值符合度较高，含量比例稳定。采用本发明前驱体通过与磷源、锂源、碳源砂磨烧结可制得的磷酸锰铁锂，表现出较高的电池容量、循环性能及压实密度。
红磷锰矿磷酸锰铁及其制备方法应用

[发明专利]铁掺杂水钠锰矿改性方法、改性铁掺杂水钠锰矿及其应用-CN202011511933.9在审
发明人：李锁定;孟佳意;莫恒亮;陈亦力;刘曼曼;张金星;许效锐 -专利权人：北京碧水源科技股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： B01J23/889 文献下载
摘要：本发明涉及污水处理剂技术领域，尤其是涉及一种铁掺杂水钠锰矿改性方法、改性铁掺杂水钠锰矿及其应用。包括如下制备步骤：制备铁掺杂水钠锰矿；将制得的铁掺杂水钠锰矿压制成饼状，将过氧化氢滴加到饼状的铁掺杂水钠锰矿上，反应后,洗涤、抽滤，获得改性的铁掺杂水钠锰矿。本发明的目的在于提供一种铁掺杂水钠锰矿改性方法、改性铁掺杂水钠锰矿及其应用，通过铁掺杂水钠锰矿改性方法的提出以解决现有技术中存在的铁掺杂水钠锰矿催化剂对氨氮的氧化不具有选择性，其氧化产物为硝酸根离子，不能转换为氮气
掺杂锰矿改性方法及其应用

[发明专利]氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管-CN201480040462.4有效
发明人：中山德行;西村英一郎;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶质氧化物半导体薄膜，其中，在非晶质状态中蚀刻性优良，并且在结晶质状态中具有低载流子浓度和高载流子迁移率，适宜用作薄膜晶体管的沟道层材料，仅由方铁锰矿型结构的In₂对该非晶质氧化物薄膜通过利用光刻法技术进行蚀刻来进行微细加工，进行退火处理，并且，所述氧化物烧结体由铟、镓、氧和不可避免的杂质构成，所述镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计处于0.09～0.45的范围，并且以方铁锰矿型结构的In₂O₃相作为主结晶相，在该主结晶相中微细地分散有β‑Ga₂O₃型结构的GaInO₃相或者β‑Ga₂O₃型结构的GaInO₃相和(Ga,In)₂O₃相。
氧化物半导体薄膜薄膜晶体管

[发明专利]氧化物烧结体及溅射靶材-CN200980136121.6有效
发明人：宇都野太;井上一吉;川岛浩和;笠见雅司;矢野公规;寺井恒太 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2009-09-14 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物烧结体，其特征在于，镓固溶于氧化铟；原子比Ga/(Ga+In)为0.001～0.12；铟和镓相对于总金属原子的含有率为80原子％以上；具有In2O3的方铁锰矿结构。
氧化物烧结溅射

[发明专利]一种从软锰矿浸出渣中回收铁资源方法-CN201710496593.9有效
发明人：孙维义;苏仕军;丁桑岚 -专利权人：四川大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C22B3/16 文献下载
摘要：本发明提供的一种从软锰矿浸出渣中回收铁资源方法：(1)利用草酸溶液或草酸与草酸盐溶液的混合溶液作为浸出剂与软锰矿渣配浆，使软锰矿浸出渣中的铁转化为可溶性的草酸铁；(2)液固分离得到废渣与含有草酸铁的浸出液；(3)向步骤(2)所得含有草酸铁的浸出液中加入磷酸或磷酸溶液，使草酸铁转化为磷酸铁沉淀，固液分离，得到磷酸铁和分离液；(4)将步骤(3)所得磷酸铁经洗涤、干燥后得到磷酸铁产品；(5)将步骤(3)所得分离液返回步骤(1)作为浸出剂继续浸出软锰矿渣中的铁，如此形成循环工艺。本发明方法可实现软锰矿浸出渣中铁资源的回收利用，同时减小软锰矿浸出渣的环境危害。
一种锰矿浸出回收资源方法

[发明专利]一种铁锰矿处置有色冶炼含砷废水的方法-CN201911403663.7在审
发明人：杨世亮;王华;胡建杭;魏永刚 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： C02F1/58 文献下载
摘要：本发明属于重金属污染治理技术领域，公开了一种铁锰矿处置有色冶炼含砷废水的方法，首先将铁锰矿粒度范围控制在0.065mm及以下；然后将铁锰矿加入污酸中，在常压下搅拌并空气氧化，使污酸与铁锰矿进行脱砷反应，得到固液混合物A，固液混合物A分离得到滤液A和含砷固态物A；最后，将含砷固态物A进行球磨磁选，得到含砷渣B和新鲜的铁锰矿C；再将新鲜的铁锰矿C加入到滤液A中进行吸附共沉淀反应，反应后固液分离，分离后的液体本发明操作流程简单，处理成本低，除砷效果显著，具有明显的经济效益和环境效益；利用铁锰矿作为除砷剂，价格廉价、易获得、来源广泛。
一种锰矿处置有色冶炼废水方法

[发明专利]锰矿与锰冶炼渣属性鉴别方法-CN201410485052.2有效
发明人：武素茹;宋义;谷松海;郭芬;孙鑫;李权斌;王虹;莫宇清;罗蔷 -专利权人：天津出入境检验检疫局化矿金属材料检测中心
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： G01N23/223 文献下载
摘要：本发明涉及一种锰矿与锰冶炼渣属性鉴别方法，该方法分别采用X射线衍射光谱法、红外光谱法，对锰矿及锰冶炼渣进行属性鉴别，通过X射线衍射光谱对锰矿中的软锰矿、氧化锰、方锰矿、菱锰矿等特征谱峰的查找，以及与锰冶炼渣的硅酸铁等特征峰的分析对比，对锰矿属性进行鉴别，同时，可以通过红外光谱特征进行佐证，锰矿在600~400cm-1范围内有两个强吸收带，并单独或者同时在1420cm-1处有特征吸收峰，以及锰冶炼渣在960cm-1附近的宽强吸收峰，可同时对锰矿属性进行确认鉴别，本鉴定方法为检验检疫、海关提供技术支持，为贸易人提供科学的鉴定报告，确保国境安全，避免环境污染和贸易欺诈。
锰矿冶炼属性鉴别方法

[发明专利]溅射靶、氧化物半导体薄膜及它们的制造方法-CN201380052096.X有效
发明人：江端一晃;但马望 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种溅射靶，包含含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及铝元素(Al)的氧化物，该氧化物包含InAlO3(ZnO)m(m为0.1～10)表示的同系结构化合物和In2O3表示的方铁锰矿结构化合物
溅射靶氧化物氧化物半导体薄膜同系结构化合物方铁锰矿结构铝元素锡元素锌元素铟元素制造

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