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[发明专利]锰镍复合氢氧化物及制造方法、锂锰镍复合氧化物及制造方法、以及非水系电解质二次电池-CN201680048773.4有效
发明人：高桥辰也;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明提供低电阻且能够实现具有高输出特性的优异的二次电池的作为二次电池的正极活性物质的原料的锰镍复合氢氧化物。本发明的锰镍复合氢氧化物，其中，其由通式(A)：Mn1‑x‑yNixMy(OH)2+α表示，式中，0≤x≤0.27，0≤y≤0.05，0≤α≤0.5，M是从Mg、Al、Ca、Ba、Sr、Ti、V、Fe、Cr、Co、Cu、Zr、Nb、Mo、W中选出的至少一种元素；SO42‑的含量为0.90重量％以下，而且，Na的含量为0.04重量％以下，BET比表面积为40m2/g以上且70m2/g以下，通过表示粒度分布的宽度的指标〔(d90‑d10)/平均粒径〕求出的值为0.90以下。
复合氢氧化物制造方法锂锰镍氧化物以及水系电解质二次电池

[发明专利]氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而得到的氧化物半导体薄膜-CN201580009747.6有效
发明人：中山德行;西村英一郎;松村文彦;井藁正史 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟、镓和锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.08以上且小于0.20，由Zn/(In+Ga+Zn)原子数比所表示的锌的含量为0.0001以上且小于0.08。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为8.0×10¹⁷cm^‑3以下，载流子迁移率为10cm²/V·s以上。
氧化物烧结溅射以及使用得到半导体薄膜

[发明专利]氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而得到的氧化物半导体薄膜-CN201580009757.X有效
发明人：中山德行;西村英一郎;松村文彦;井藁正史 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟、镓和锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.20以上且0.49以下，由Zn/(In+Ga+Zn)原子数比所表示的锌的含量为0.0001以上且小于0.08。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的非晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为4.0×10¹⁸cm^‑3以下，载流子迁移率为10cm²/V·s以上。
氧化物烧结溅射以及使用得到半导体薄膜

[发明专利]氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管-CN201810801711.7在审
发明人：中山德行;西村英一郎;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶质氧化物半导体薄膜，在非晶质状态中蚀刻性优良，在结晶质状态中具有低载流子浓度和高载流子迁移率，适宜用作薄膜晶体管的沟道层材料，仅由方铁锰矿型结构的In₂O₃相构成。通过将氧化物烧结体作为靶来形成非晶质氧化物薄膜，对该非晶质氧化物薄膜通过利用光刻法技术进行蚀刻来进行微细加工，进行退火处理，所述氧化物烧结体由铟、镓、氧和不可避免的杂质构成，所述镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计处于0.09～0.45的范围，以方铁锰矿型结构的In₂O₃相作为主结晶相，在该主结晶相中微细地分散有β‑Ga₂O₃型结构的GaInO₃相或者β‑Ga₂O₃型结构的GaInO₃相和(Ga,In)₂O₃相。
非晶质氧化物薄膜氧化物烧结体薄膜晶体管载流子氧化物半导体薄膜方铁锰矿型结构蚀刻结晶质氧化物载流子迁移率半导体薄膜非晶质状态沟道层材料光刻法技术结晶质状态退火处理微细加工原子数比微细结晶相蚀刻性铁锰矿主结晶

[发明专利]氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管-CN201480040462.4有效
发明人：中山德行;西村英一郎;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶质氧化物半导体薄膜，其中，在非晶质状态中蚀刻性优良，并且在结晶质状态中具有低载流子浓度和高载流子迁移率，适宜用作薄膜晶体管的沟道层材料，仅由方铁锰矿型结构的In₂O₃相构成。通过将氧化物烧结体作为靶来形成非晶质氧化物薄膜，并且，对该非晶质氧化物薄膜通过利用光刻法技术进行蚀刻来进行微细加工，进行退火处理，并且，所述氧化物烧结体由铟、镓、氧和不可避免的杂质构成，所述镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计处于0.09～0.45的范围，并且以方铁锰矿型结构的In₂O₃相作为主结晶相，在该主结晶相中微细地分散有β‑Ga₂O₃型结构的GaInO₃相或者β‑Ga₂O₃型结构的GaInO₃相和(Ga,In)₂O₃相。
氧化物半导体薄膜薄膜晶体管

[发明专利]氧氮化物半导体薄膜-CN201480012738.8有效
发明人：西村英一郎;中山德行;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的目的是通过氧氮化物结晶质薄膜提供一种具有相对高的载流子迁移率并且适合作为TFT的沟道层材料的氧化物半导体薄膜。本发明对含有In、O以及N的非晶质的氧氮化物半导体薄膜或者含有In、O、N以及添加元素M(M是从Zn、Ga、Ti、Si、Ge、Sn、W、Mg、Al、Y以及稀土类元素中选出的一种以上的元素)的非晶质的氧氮化物半导体薄膜进行加热温度为200℃以上、加热时间为1分钟～120分钟的退火处理，由此，得到结晶质的氧氮化物半导体薄膜。
氧氮化物半导体薄膜非晶质结晶质加热氧化物半导体薄膜载流子迁移率沟道层材料稀土类元素添加元素退火处理氧氮化物

[发明专利]氧化物烧结体、溅射靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜-CN201580029802.8在审
发明人：中山德行;西村英一郎;松村文彦;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种通过溅射法制造氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射靶。所述氧化物烧结体含有以氧化物方式存在的铟、镓以及选自由镍、钴、钙、锶和铅组成的组中的一种以上的正二价元素。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量为0.08以上且小于0.20，以M/(In+Ga+M)原子数比计的所述正二价元素M的含量为0.0001以上且0.05以下。将所述氧化物烧结体作为溅射靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜，载流子浓度小于1.0×1018cm‑3，载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
氧化物烧结溅射使用得到半导体薄膜

[发明专利]氧化物烧结体、溅射靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜-CN201580029806.6在审
发明人：中山德行;西村英一郎;松村文彦;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射靶。所述氧化物烧结体含有以氧化物方式存在的铟、镓以及选自由镍、钴、钙、锶和铅组成的组中的一种以上的正二价元素。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量为0.20以上且0.45以下，以M/(In+Ga+M)原子数比计的所述正二价元素M的含量为0.0001以上且0.05以下。将所述氧化物烧结体作为溅射靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜，载流子浓度小于3.0×1018cm‑3，载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
氧化物烧结溅射使用得到半导体薄膜

[发明专利]氧化物烧结体、溅射用靶以及用其得到的氧化物半导体薄膜-CN201580015529.3在审
发明人：中山德行;西村英一郎;松村文彦;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和铜。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.08以上且小于0.20，以Cu/(In+Ga+Cu)原子数比计的铜的含量优选为0.001以上且小于0.03，并且优选在1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度为1.0×10¹⁸cm^‑3以下、载流子迁移率为10cm²V^‑1sec^‑1以上。
氧化物烧结溅射以及得到半导体薄膜

[发明专利]氧化物烧结体、溅射用靶以及用其得到的氧化物半导体薄膜-CN201580015792.2在审
发明人：中山德行;西村英一郎;松村文彦;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和铜。由Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.20以上且0.45以下，由Cu/(In+Ga+Cu)原子数比计的铜的含量优选为0.001以上且小于0.03，并且优选在1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度为3.0×10¹⁸cm^‑3以下、载流子迁移率为10cm²V^‑1sec^‑1以上。
氧化物烧结溅射以及得到半导体薄膜

[发明专利]氧化物烧结体、溅射用靶、以及用其得到的氧化物半导体薄膜-CN201580012984.8在审
发明人：中山德行;西村英一郎;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：在通过溅射法制作氧化物半导体薄膜的情况下，提供得到低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体，以及使用所述氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟和镓、含有氮、并且不含有锌。以Ga/(In+Ga)原子数比计，镓的含量为0.20以上且0.60以下，并且实质上不含有GaN相。另外，优选不含有Ga₂O₃相。对于将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜而言，能够使载流子浓度3×10¹⁸cm^‑3以下，载流子迁移率为10cm²V^‑1sec^‑1以上。
氧化物烧结溅射以及得到半导体薄膜

[发明专利]氧化物烧结体、溅射用靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜-CN201580013205.6在审
发明人：中山德行;西村英一郎;松村文彦;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和镁。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.08以上且小于0.20，以Mg/(In+Ga+Mg)原子数比计的镁的含量优选为0.0001以上且小于0.05，并且优选以1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度小于1.0×10¹⁸cm^‑3、载流子迁移率为10cm²V^‑1sec^‑1以上。
氧化物烧结溅射使用得到半导体薄膜

[发明专利]氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而获得的氧化物半导体薄膜-CN201580012927.X在审
发明人：中山德行;西村英一郎;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟和镓，含有氮而不含有锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.005以上且小于0.20，并且实质上不含GaN相。另外，所述氧化物烧结体优选不具有Ga₂O₃相。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为1.0×10¹⁸cm^‑3以下，载流子迁移率为10cm²V^‑1sec^‑1以上。
氧化物烧结溅射以及使用获得半导体薄膜

[发明专利]氧化物烧结体、溅射用靶及使用该靶得到的氧化物半导体薄膜-CN201580013163.6在审
发明人：中山德行;西村英一郎;松村文彦;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和镁。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.20以上且0.45以下，以Mg/(In+Ga+Mg)原子数比计的镁的含量优选为0.0001以上且小于0.05，并且优选以1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度小于3.0×10¹⁸cm^‑3、载流子迁移率为10cm²V^‑1sec^‑1以上。
氧化物烧结溅射使用得到半导体薄膜

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