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[实用新型]半导体模块-CN201220188240.5有效
发明人：板桥竜也 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型提供能够搭载多个功率半导体元件，并具有简单的结构的半导体模块。本实用新型的半导体模块的特征在于，将功率半导体元件配置为大致一条直线，将控制半导体元件配置为相对于功率半导体元件的大致直角状。另外，其特征在于，控制半导体元件为驱动半导体元件和控制性半导体元件，在驱动半导体元件上具有过热保护电路，驱动半导体元件与功率半导体元件侧邻接配置。另外，其特征在于，半导体元件除了搭载有功率半导体元件和控制半导体元件以外还搭载有保护半导体元件。
半导体模块

[实用新型]半导体结构-CN200820001825.5有效
发明人：黄明源;纪丽红 -专利权人：普诚科技股份有限公司
申请日： 2008-01-09 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体结构，该半导体结构包括一基底、一第一金属氧化物半导体、一第二金属氧化物半导体、一第一半导体区以及一第二半导体区。第一金属氧化物半导体以及第二金属氧化物半导体分别形成于该基底上。第一半导体区形成于该基底以及该第一金属氧化物半导体之间。第二半导体区形成于该基底以及该第二金属氧化物半导体之间。其中该第一半导体区以及该第二半导体区用以隔离该第一金属氧化物半导体以及该第二金属氧化物半导体。本实用新型所述的半导体结构可以防止产生闭锁。
半导体结构

[实用新型]一种堆叠态半导体芯片结构-CN202022035136.X有效
发明人：涂波;郑香奕 -专利权人：深圳市洁简达创新科技有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种堆叠态半导体芯片结构，本实用新型堆叠态半导体芯片结构，包括基板，在基板上依次堆叠设置P型半导体层和N型半导体层，P型半导体层和N型半导体层相间设置，P型半导体层至少为2层，N型半导体层至少为本实用新型通过化学气相沉积法来堆叠形成P型半导体层和N型半导体层，并且采用物理刻蚀和电浆清洗的方式形成导电层，避免使用掩膜、光阻剂、光刻机来制造半导体芯片，降低了半导体芯片工艺复杂性，提高了半导体芯片产品的良率
一种堆叠半导体芯片结构

[实用新型]一种半导体检测电路-CN202321238394.5有效
发明人：雷育楷;文辉清 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体检测电路，包括：待测半导体、测试端、半导体控制模块和散热模块；所述待测半导体接入第一脉冲信号，所述待测半导体根据所述第一脉冲信号输出电能；所述半导体控制模块的输出端连接所述待测半导体，所述半导体控制模块用于输出电信号并控制所述待测半导体处于测试状态；所述测试端连接所述待测半导体，所述测试端用于检测所述待测半导体的电参数；所述散热模块与所述待测半导体连接，所述散热模块用于对所述待测半导体产生的热量进行散热本实用新型可以降低半导体的自热效应。
一种半导体检测电路

[实用新型]半导体器件-CN201820214447.2有效
发明人：戈登·M·格里芙尼亚;S·ST·日尔曼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括半导体管芯，所述半导体管芯包括第一半导体材料和形成于所述第一半导体材料上的第二半导体材料。互连结构包括管芯附接区域。所述半导体管芯设置在所述互连结构的所述管芯附接区域上方。本实用新型所解决的一个技术问题是为超薄半导体管芯提供支撑。本实用新型所实现的一个技术效果是提供改进的半导体器件。
半导体管芯半导体器件半导体材料本实用新型附接区域互连结构管芯技术效果支撑改进

[实用新型]第一半导体组件、第二半导体组件以及半导体器件-CN201721780172.0有效
发明人：王子昊;朱忻 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种第一半导体组件、第二半导体组件以及半导体器件，其中半导体器件，包括第一半导体组件，以及第二半导体组件；所述第一半导体组件与所述第二半导体组件层叠设置，且，所述第一半导体组件中的半导体功能层与所述第二半导体组件中的键合区结构键合连接通过将第一半导体组件与第二半导体组件层叠设置且第一半导体组件中的半导体功能层与第二半导体组件中的键合区键合连接，该结构的半导体器件能够避免半导体功能层与光波导结构精准对位的问题，降低了半导体器件的生产工艺难度
半导体组件半导体器件半导体功能层叠设置键合区半导体技术领域生产工艺难度本实用新型光波导结构键合连接结构键合精准对位

[实用新型]P沟道大功率半导体恒电流二极管-CN200720200016.2无效
发明人：刘桥 -专利权人：贵州大学
申请日： 2007-01-15 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种P沟道大功率半导体恒电流二极管，它包括N型半导体衬底(2)，在N型半导体衬底(2)上设有P型半导体区域(4)和P型半导体区域(3)，P型半导体区域(4)和P型半导体区域(3)通过电极(7)连接；在P型半导体区域(4)上设有N⁺型半导体区域(6)，N型半导体衬底(2)、P型半导体区(4)和N⁺型半导体区(6)通过电极(8)连接；在P型半导体区域(3)上设有N⁺型半导体(5)，N⁺型半导体(5)连接电极(9)。本实用新型的特点是通过半导体器件结构的物理过程实现恒流特性，具有利用半导体物理特性、实现恒流电路的功能，结构简单，采用电流扩展方法可以直接恒流驱动负载的优点。
沟道大功率半导体电流二极管

[实用新型]一种半导体器件结构及电子产品-CN201922200784.3有效
发明人：诸舜杰;钟添宾;阮孟波 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体器件结构及电子产品，所述半导体器件结构包括，第一半导体层，所述第一半导体层下表面设置有覆盖所述第一半导体层的第一半导体金属层，其特征在于，所述半导体器件结构还包括第二半导体层，所述第二半导体层上表面设置有覆盖所述第二半导体层的第二半导体金属层，所述第二半导体金属层上表面平行覆盖设置在所述第一半导体金属层下表面。本实用新型公开的技术方案以尽可能保证第一半导体层不翘曲的情况下降低导通电阻，增加散热能力。
一种半导体器件结构电子产品

[实用新型]半导体器件-CN201820256425.2有效
发明人：戈登·M·格里芙尼亚 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括半导体衬底，所述半导体衬底包括多个半导体管芯。在所述多个半导体管芯上方形成多个开口，并且所述多个开口部分地延伸到所述半导体衬底的表面中。导电层在介于所述开口之间的所述半导体衬底的所述表面的其余部分上方形成并且形成到所述开口中。本实用新型所解决的一个技术问题是物理地支撑超薄半导体管芯。本实用新型所实现的一个技术效果是提供改进的半导体器件。
半导体器件衬底半导体管芯本实用新型半导体开口技术效果导电层延伸支撑改进

[实用新型]单光子雪崩二极管-CN202122934919.6有效
发明人：谢晋安;吴劲昌 -专利权人：神盾股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单光子雪崩二极管，包括第一N型半导体井层、第二N型半导体井层及P型半导体井层。第二N型半导体井层配置于第一N型半导体井层上方。P型半导体井层包括第一P型半导体子层、第二P型半导体子层及P型半导体连接层。第一P型半导体子层配置于第一N型半导体井层上，第二P型半导体子层配置于第一P型半导体子层上方。第二N型半导体井层配置于第一P型半导体子层与第二P型半导体子层之间。P型半导体连接层连接第一P型半导体子层与第二P型半导体子层。第二N型半导体井层借由P型半导体井层的侧向开口与第一N型半导体井层连接。
光子雪崩二极管

[实用新型]一种用于半导体器件的快速测试系统-CN201922490459.5有效
发明人：陈心满;钟智坚;蒋治国 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于半导体器件的快速测试系统，包括：放置平台，用于放置待测半导体器件；半导体器件测试仪，用于对待测半导体器件进行测试；控制电路，用于发出开关选通信号；模拟开关电路，与待测半导体器件、控制电路以及半导体器件测试仪连接，用于获取开关选通信号并闭合，以使待测半导体器件与半导体器件测试仪连通。本实用新型将多个待测半导体器件放置在放置平台上，待测的半导体器件与模拟开关电路连接，模拟开关电路与半导体器件测试仪连接，通过开关选通信号使待测半导体器件与半导体器件测试仪连接，选通信号能实现多个半导体器件之间的快速切换，实现了对多个半导体器件的测试，从而提高了半导体器件测试的效率。
一种用于半导体器件快速测试系统

[实用新型]一种半导体器件连续加温测试分选机-CN201320851116.7有效
发明人：陈伟;高玉宝 -专利权人：江阴亨德拉科技有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： B07C5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体器件连续加温测试分选机，包括机体、半导体料管存储装置、半导体料管推卸装置、半导体料管翻转装置、上步进送料装置、半导体加热装置、半导体保温装置、下步送料装置、半导体测试装置、半导体分料存储装置；其特征在于在半导体加热装置中还包括加热垫条，加热垫条设置在半导体加热装置的加热通道中的加热轨道上。本实用新型具有便于维护、省时省力和加热均匀的优点。
一种半导体器件连续加温测试分选

[实用新型]单片半导体器件和半导体器件-CN201720869307.4有效
发明人： J·W·霍尔;G·M·格里弗纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开涉及单片半导体器件和半导体器件。本实用新型要解决的一个技术问题是提供改进的单片半导体器件和改进的半导体器件。该单片半导体器件包括衬底，所述衬底具有部分地延伸通过所述衬底的开口；形成在所述开口内的半导体材料；形成在所述半导体材料内的功率半导体器件；控制逻辑电路，形成在所述开口外部的所述衬底的一部分中以控制所述功率半导体器件；以及第一隔离沟槽，形成在所述半导体材料中以隔离所述功率半导体器件和所述控制逻辑电路。通过本实用新型，可以获得改进的单片半导体器件和改进的半导体器件。
单片半导体器件

[实用新型]半导体散热器-CN00258329.1无效
发明人：张超迥 -专利权人：阿滨仪器(天津)有限公司
申请日： 2000-10-24 - 公布日： 2002-02-20 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型“半导体散热器”是一种能迅速传导出工作中半导体热量的热转换器。它采用楔形原理固定半导体器件,它导热效率高,与半导体器件连接紧固、可靠,安装半导体器件时不需准确对位,装拆半导体器件方便、简单,不用螺钉,插、拔既可,本实用新型“半导体散热器”更适合于大功率半导体器件的散热
半导体散热器

[实用新型]一种多用途半导体加工处理装置-CN201921851443.6有效
发明人：陈磊 -专利权人：南通国尚精密机械有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多用途半导体加工处理装置，主体包括有半导体处理装置本体、异型真空吸盘、镂空支撑柱、端部微小真空吸盘、半导体切割线、半导体切割线支架、半导体加工平台、加工平台金属隔板，半导体处理装置本体设置有半导体加工平台，半导体加工平台顶部设置有异型真空吸盘，半导体处理装置本体侧面边缘设置有半导体切割线支架，半导体切割线支架头部设置有半导体切割线，异型真空吸盘侧面设置有端部微小真空吸盘，半导体加工平台侧面设置有加工平台金属隔板，半导体加工平台内部设置有镂空支撑柱。
一种多用途半导体加工处理装置

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