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[发明专利]比较器、固态摄像器件、电子设备及驱动方法-CN201410108462.5有效
发明人：田中秀树;松本静德;永野川晴久;加地悠一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够提高AD转换处理的速度的比较器、固态摄像器件、电子设备及驱动方法，所述比较器包括第一放大单元，其包括由一对晶体管构成的差动对，所述一对晶体管为第一晶体管和第二晶体管，所述第一放大单元对输入至所述第一晶体管和所述第二晶体管的各个栅极的信号差进行放大并输出；第二放大单元，其放大从所述第一放大单元输出的所述信号；第三晶体管，其将所述第一晶体管连接到电源电压；第四晶体管，其将所述第二晶体管连接到电源电压；第五晶体管，其将所述第三晶体管和所述第四晶体管的栅极的连接点连接到所述第三晶体管的漏极；以及第六晶体管，其将所述第三晶体管和所述第四晶体管的栅极的连接点连接到所述第四晶体管的漏极。
比较固态摄像器件电子设备驱动方法

[发明专利]放大器-CN201880093657.3在审
发明人：原内健次;佐佐木善伸;宫下美代;山本和也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H03F3/68 文献下载
摘要：本发明提供一种放大器，其特征在于，上述放大器具备：输入匹配电路；至少一个放大用晶体管，从该输入匹配电路接收信号；第一虚设晶体管，从该输入匹配电路接收信号；第二虚设晶体管，从该输入匹配电路接收信号；以及输出匹配电路，输出该放大用晶体管的输出，该放大用晶体管夹在该第一虚设晶体管和该第二虚设晶体管之间，该放大用晶体管、该第一虚设晶体管以及该第二虚设晶体管沿着该输入匹配电路设置成一列。
放大器

[发明专利]成像器件-CN201780057053.9有效
发明人：河津直树;鸟居元展;本桥裕一;铃木敦史;蓟纯一郎 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H04N5/367 文献下载
摘要：第一像素包括：第一传输晶体管、第一复位晶体管、第一放大晶体管和第一选择晶体管。所述第一传输晶体管的第一端子连接至参考信号生成电路。所述第一复位晶体管的第一端子连接至所述参考信号生成电路。所述第一放大晶体管的栅极连接至所述第一复位晶体管的第二端子和所述第一传输晶体管的第二端子。所述第一选择晶体管连接至所述第一放大晶体管。第二像素包括：第一光电转换元件；连接至所述第一光电转换元件的第二传输晶体管；被配置用于接收第一预定电压的第二复位晶体管；连接至所述第二传输晶体管和所述第二复位晶体管的第二放大晶体管；和连接至所述第二放大晶体管的第二选择晶体管
成像器件

[发明专利]射频放大电路-CN202110821912.5在审
发明人：筒井孝幸;田中聪 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：本发明提供一种与输出信号的信号电平无关地抑制输出信号的输出相位的变动的射频放大电路。RF放大电路具备：第1放大晶体管，对供给至基极的射频信号进行放大并输出；第1偏置用晶体管，与所述第1放大晶体管进行电流镜连接，对所述第1放大晶体管的基极供给偏置；第2偏置用晶体管，与所述第1放大晶体管的基极进行发射极跟随连接，对所述第1放大晶体管的基极供给偏置；以及第1电容器，具有与所述第1放大晶体管的基极连接的第1端和与所述第2偏置用晶体管的发射极连接的第2端。
射频放大电路

[发明专利]多模全差分放大器-CN201010118766.1有效
发明人：王勇;胡少坚;周伟;陈寿面;赵宇航 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2010-03-05 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明提供一种多模全差分放大器，所述放大器包括相互并联的第一电路和第二电路，所述第一电路包括第一晶体管、第三晶体管和第五晶体管，所述第三晶体管和所述第五晶体管并联后和所述第一晶体管串联；所述第二电路包括第二晶体管、第四晶体管和第六晶体管，所述第四晶体管和所述第六晶体管并联后和所述第二晶体管串联；所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管的基区掺杂材料为锗，本发明提供的放大器中的晶体管基极采用锗掺杂，结构为全差分结构，加入多模切换电路，从而实现了低噪声放大应用。
多模全差分放大器

[发明专利]一种低噪声放大器电路及射频前端电路-CN202211586230.1在审
发明人：程仁豪 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种低噪声放大器电路及射频前端电路，所述低噪声放大器电路包括第一晶体管和第二晶体管，其中：所述第一晶体管的栅极连接所述低噪声放大器电路的输入端，所述第一晶体管的源极接地；所述第二晶体管的栅极和漏极连接所述低噪声放大器电路的供电端，所述第二晶体管的漏极还连接所述低噪声放大器电路的输出端；所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的源极合并在一起；其中，所述第一晶体管为浮体晶体管，所述第二晶体管为体接触晶体管。本申请具有提升放大器性能并减少电路占用面积的效果。
一种低噪声放大器电路射频前端

[发明专利]斩波放大器的装置和方法-CN201410418603.3有效
发明人：周捷;A·J·卡尔布;M·D·莱西格 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：在此提供斩波放大器的装置和方法。在某些配置中，斩波放大器包括具有选择电路和多个晶体管的至少一个差分晶体管池。选择电路可以选择在第一晶体管组中操作的晶体管的第一部分，和在第二晶体管组中操作的晶体管的第二部分。在校准期间，对差分晶体管池的不同晶体管配置，可以观察斩波器放大器的输入偏置。虽然特定池的晶体管可以被设计为具有大约相同的驱动强度和/或几何形状，由于晶体管之间的制造不匹配(例如工艺偏差)，斩波放大器可以在不同的晶体管配置中具有不同的输入。斩波器放大器可以被编程以使用差分晶体管池的所选晶体管配置操作以提供具有低输入偏置的放大器。
放大器装置方法

[发明专利]感光电路结构和光学器件-CN202111603737.9在审
发明人：任庆荣;邢汝博;李俊峰;王刚;崔霜;张豪峰;郭瑞;孙丹丹 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：本申请提供一种感光电路结构和光学器件，该感光电路结构包括感光单元、信号放大单元和控制单元；感光单元包括光电二极管与复位晶体管，信号放大单元包括放大晶体管，控制单元包括控制晶体管；复位晶体管的输入端与供电端电连接，输出端与放大晶体管的控制端电连接，控制端与复位信号端电连接；放大晶体管的输入端与供电端电连接，输出端与控制晶体管的输入端电连接，控制端与控制信号端电连接；复位晶体管和控制晶体管的漏电流均小于放大晶体管的漏电流；复位晶体管的载流子迁移率小于放大晶体管的载流子迁移率和控制晶体管的载流子迁移率。
感光电路结构光学器件

[发明专利]功率放大电路-CN201810160395.X有效
发明人：本多悠里;播磨史生;田中聪 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种功率放大电路，在对放大器和前级的电路的阻抗进行匹配的同时提高功率增益的线性。功率放大电路具备：放大晶体管，在基极被供给输入信号，并从集电极输出放大信号；偏置电路，对放大晶体管的基极供给偏置电流或电压；以及第一电阻元件，连接在放大晶体管的基极与偏置电路之间，偏置电路具备：电压生成电路；第一晶体管，在基极被供给第一直流电压，并从发射极供给偏置电流或电压；第二晶体管，在基极被供给第二直流电压，发射极与第一晶体管的发射极连接；信号供给电路，设置在放大晶体管的基极与第二晶体管的基极之间，对第二晶体管的基极供给输入信号；以及阻抗电路，设置在第一晶体管的基极与第二晶体管的基极之间。
功率放大电路

[实用新型]功率放大器-CN202021400878.1有效
发明人：曹原;胡自洁;倪楠;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本实用新型属于放大器技术领域，尤其涉及一种功率放大器。该功率放大器包括输入节点、输出节点以及用于将输入节点接收到的射频信号放大之后发送至输出节点的晶体管阵列；晶体管阵列包括至少两排晶体管组，每一排晶体管组中包括至少一个晶体管；相邻两排晶体管组之间的最小距离大于零；相邻两排晶体管组中的晶体管顺次交错排布；晶体管阵列中的所有晶体管的基极均并联连接输入节点，晶体管阵列中的所有晶体管的集电极均并联连接输出节点，晶体管阵列中的所有晶体管的发射极均接地。本实用新型功率放大器通过改变晶体管阵列中的晶体管的排布方式，在同等芯片面积下增加了相邻晶体管之间的有效间距，保证了晶体管的散热，提高了芯片的可靠性和寿命。
功率放大器

[发明专利]一种高压放大器及多路可调高压输出电源电路-CN202110609274.0在审
发明人：李建明;林儿;李坚 -专利权人：惠州三华工业有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H03F3/26 文献下载
摘要：本发明公开一种高压放大器及多路可调高压输出电源电路，包括高压均分单元、NPN晶体管串联放大单元、PNP晶体管串联放大单元及光耦合器，高压均分单元分别与PNP晶体管串联放大单元和NPN晶体管串联放大单元连接；PNP晶体管串联放大单元的高压端输入高压基准电源，PNP晶体管串联放大单元的输入端与光耦合器连接，PNP晶体管串联放大单元的输出端与高压放大器的输出端连接，NPN晶体管串联放大单元的输出端与光耦合器连接，光耦合器与高压放大器的输出端连接或者NPN晶体管串联放大单元的输出端用于作为高压放大器的输出端输出电压。本发明提供一种能够避免使用多个升压变压器、输出电压更高、电压调节范围更大的高压放大器及多路可调高压输出电源电路。
一种高压放大器可调输出电源电路

[发明专利]一种基于线性补偿的单级放大器的分布式光驱动电路-CN202011594649.2在审
发明人：江帆;王磊;肖希 -专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于线性补偿的单级放大器的分布式光驱动电路，涉及光驱动电路技术领域，包括：多个单级放大器，每个单级放大器均包括：第一放大单元、第二放大单元以及第三放大单元，第一放大单元包括相连的第一晶体管Q1和第三晶体管Q3；第二放大单元包括相连的第二晶体管Q2和第四晶体管Q4，第二晶体管Q2的第一端和第一晶体管Q1的第一端连接后接地；第三放大单元包括第五晶体管Q5和第六晶体管Q6，第五晶体管Q5的第一端和第六晶体管Q6的第一端连接后接地；第五晶体管Q5的第二端连接第四晶体管Q4的第二端、第三端连接第三晶体管Q3的第一端；第六晶体管Q6的第二端连接第三晶体管Q3的第二端。本发明可有效提高单级放大器的传输信号曲线的线性度。
一种基于线性补偿放大器分布式驱动电路

[发明专利]显示面板、源极驱动器及运算放大器-CN201510411100.8有效
发明人：许进富 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本公开提供了一种显示面板、源极驱动器及运算放大器。该运算放大器包括一第一差动放大电路及一第二差动放大电路。该第一差动放大电路包括第一及第三N型晶体管；其中，所述第三N型晶体管与所述第二N型晶体管相邻配置且同时用作所述第二N型晶体管的虚拟晶体管。该第二差动放大电路包括第一至第三P型晶体管；其中，所述第三P型晶体管与所述第一P型晶体管相邻配置且同时用作所述第一P型晶体管的虚拟晶体管。本公开可以减少源极驱动器所占用的面积。
显示面板驱动器运算放大器

[发明专利]反相放大器-CN200710136904.7无效
发明人：铃木达也;金田安弘 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2007-07-23 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：在以前的反相放大器中，存在会因内部的放大器的结构而产生振荡这样的问题。在反相放大器中具有多级放大器，该多级放大器包括：放大输入信号的第1晶体管(108)；放大该第1晶体管的输出信号的第2晶体管(110)；放大该第2晶体管的输出信号的第3晶体管(111)；以及将该第3晶体管的输出信号反馈到所述第1晶体管的输出部的内部反馈电阻(112)。根据相关的结构，能够使3级的晶体管所构成的多级放大器的增益降低，因此能够设定必要的增益而不振荡。
放大器

[发明专利]具有偏移消除的读出放大器和存储器装置-CN201710991904.9有效
发明人：金泳旭;权赫准;韩相根;元福渊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G11C7/18 文献下载
摘要：本申请提供一种存储器装置和读出放大器，读出放大器包括读出放大单元、第一隔离单元和第二隔离单元以及第一偏移消除单元和第二偏移消除单元。读出放大单元包括第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、第二PMOS晶体管、第一N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第二NMOS晶体管。在读出放大器的布局中，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管设置在读出放大器的中部区域，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管设置在读出放大器的彼此相对侧，第一隔离单元和第一偏移消除单元设置在第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管之间，并且第二隔离单元和第二偏移消除单元设置在第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管之间。在其他布局中，可以掉换PMOS晶体管和NMOS晶体管的位置。
具有偏移消除读出放大器存储器装置