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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]功率放大模块-CN201480002450.2有效
  • 石本一彦;曾我高志 - 株式会社村田制作所
  • 2014-07-04 - 2017-07-11 - H03F3/24
  • 本发明不依赖用于向功率放大电路供电的结构，限制流过功率放大电路的电流。功率放大模块，包括第一放大晶体管，该第一放大晶体管放大并输出无线频率信号；第二放大晶体管，该第二放大晶体管与第一放大晶体管并联连接，且比第一放大晶体管的尺寸小；偏置电路，该偏置电路向第一放大晶体管以及第二放大晶体管提供偏置电压或偏置电流；电流检测电路，该电流检测电路检测流过第二放大晶体管的电流；以及偏置控制电路，该偏置控制电路根据电流检测电路的检测结果，对从偏置电路提供至第一放大晶体管以及第二放大晶体管的偏置电压或偏置电流进行控制。
  • 功率放大模块
  • [实用新型]动态偏置低功耗高速运算放大器-CN202220142682.X有效
  • 陈涛 - 成都环宇芯科技有限公司
  • 2022-01-19 - 2022-08-02 - H03F1/02
  • 动态偏置低功耗高速运算放大器，涉及集成电路，本实用新型由初级放大电路和差分输入单端输出放大电路构成，初级放大电路的两个输出端接差分输入单端输出放大电路的两个输入端，所述初级放大电路包括第一差分输入对管、第五晶体管、第六晶体管、第十七晶体管、第二差分输入对管、第七晶体管、第八晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十二晶体管、第九晶体管、第十晶体管和第十一晶体管。
  • 动态偏置功耗高速运算放大器
  • [发明专利]集成电路-CN201210243483.9有效
  • 小笠原阳介 - 株式会社东芝
  • 2012-07-13 - 2013-05-08 - H03F1/52
  • 一种集成电路，具备：放大晶体管，对输入信号进行放大；偏置电路，设定偏置电压以使所述放大晶体管可进行放大；静电保护电路，根据在所述放大晶体管施加的电压来设定所述放大晶体管的偏置电压以使所述放大晶体管截止；以及切换电路，根据电源的供给状态来切换所述放大晶体管的偏置电压。
  • 集成电路
  • [实用新型]单极点多级增益增强放大器-CN201020514804.0无效
  • 宋明歆;金钊;梅金硕;刘倩;殷景华 - 哈尔滨理工大学
  • 2010-09-02 - 2011-02-16 - H03F3/45
  • 单极点多级增益增强放大器，属于放大器技术领域。它解决了现有集成运算放大器的工艺发展造成其增益降低的问题。它由第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管、第十八晶体管、第十九晶体管、第二十晶体管、第二十一晶体管、第二十二晶体管和四输入两输出从放大器组成，它基于在晶体管的源极和栅极之间增加一个放大器的原理，增加晶体管栅极的负反馈环路，来降低晶体管的栅极电压，使其输出阻抗变大，从而达到高增益的目的。本实用新型适用于多级放大器电路。
  • 极点多级增益增强放大器
  • [发明专利]非反相放大器电路-CN201611201119.0有效
  • 李海承 - 奥姆尼设计技术公司
  • 2016-12-22 - 2020-09-29 - H03F1/30
  • 提供了非反相放大器电路。放大器电路包括输入晶体管、负载晶体管和反馈电阻器。在一个示例中，一个实施例涉及一种放大器电路，该放大器电路包括输入晶体管、具有控制端子和参考端子的负载晶体管以及反馈晶体管。输入晶体管接收输入信号，输入晶体管被电耦合到负载晶体管和反馈晶体管，负载晶体管的控制端子被电耦合到偏置电压，反馈晶体管被电耦合到提供负反馈的负载晶体管，并且负载晶体管的参考端子用作放大器电路的输出。
  • 非反相放大器电路
  • [发明专利]推挽功率放大电路-CN202110603116.4有效
  • 邱皓川;胡自洁;张海兵;何森航;濮天鸿;田旭;方信维;倪建兴 - 锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
  • 2021-05-31 - 2022-09-23 - H03F3/26
  • 本发明公开了一种推挽功率放大电路，该推挽功率放大电路包括信号输入端、信号输出端和差分放大电路；差分放大电路包括并列设置第一放大支路和第二放大支路；第一放大支路包括第一放大晶体管，第二放大支路包括第二放大晶体管；第一放大晶体管的输出端通过第一二极管电路与第二放大晶体管的输入端相连，第一放大晶体管的输出端和第二放大晶体管的输入端相位相同；第二放大晶体管的输出端通过第二二极管电路与第一放大晶体管的输入端相连；第二放大晶体管的输出端和第一放大晶体管的输入端相位相同本技术方案能够提高推挽功率放大电路的功率附加效率。
  • 功率放大电路
  • [发明专利]感测放大电路结构及存储器-CN202310251701.1有效
  • 白文琦 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-03-16 - 2023-09-26 - G11C11/4063
  • 本公开涉及一种感测放大电路结构及存储器，感测放大电路结构包括：第一N型晶体管连接位线、第一电源节点和互补放大位线；第二N型晶体管连接互补位线、第一电源节点和放大位线；第一P型晶体管连接放大位线、第二电源节点和互补放大位线；第二P型晶体管连接互补放大位线、第二电源节点和放大位线；其中，第一隔离晶体管连接位线和放大位线；第二隔离晶体管连接互补位线和互补放大位线；第一隔离晶体管和第二隔离晶体管的栅极氧化层厚度大于第一N型晶体管和第二N型晶体管的栅极氧化层厚度。
  • 放大电路结构存储器
  • [发明专利]光检测器件和成像器件-CN202111516677.7在审
  • 朱弘博;佐藤守;加藤昭彦 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2017-10-17 - 2022-04-22 - H04N5/357
  • 成像器件包括：多个像素，所述多个像素包括第一像素和第二像素；和差分放大器，所述差分放大器包括第一放大晶体管、第二放大晶体管和第一负载晶体管。所述第一负载晶体管接收电源电压。所述成像器件包括：与所述第一放大晶体管和所述第一负载晶体管连接的第一信号线；与所述第二放大晶体管连接的第二信号线；和被构造为接收电源电压的第一复位晶体管。所述第一复位晶体管的栅极连接至所述第一负载晶体管。所述第一像素包括第一光电转换元件和所述第一放大晶体管，且第二像素包括第二光电转换元件和所述第二放大晶体管。
  • 检测器件成像
  • [发明专利]成像器件-CN201780065000.1有效
  • 朱弘博;佐藤守;加藤昭彦 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2017-10-17 - 2021-12-14 - H04N5/357
  • 成像器件包括：多个像素，所述多个像素包括第一像素和第二像素；和差分放大器，所述差分放大器包括第一放大晶体管、第二放大晶体管和第一负载晶体管。所述第一负载晶体管接收电源电压。所述成像器件包括：与所述第一放大晶体管和所述第一负载晶体管连接的第一信号线；与所述第二放大晶体管连接的第二信号线；和被构造为接收电源电压的第一复位晶体管。所述第一复位晶体管的栅极连接至所述第一负载晶体管。所述第一像素包括第一光电转换元件和所述第一放大晶体管，且第二像素包括第二光电转换元件和所述第二放大晶体管。
  • 成像器件
  • [发明专利]光电传感器及其驱动方法、阵列基板和显示装置-CN201510557736.3有效
  • 吴俊纬 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2015-09-02 - 2018-09-11 - G02F1/1333
  • 本发明提供了一种光电传感器及其驱动方法、阵列基板和显示装置，该光电传感器包括：光电晶体管、放大晶体管、读出晶体管、复位晶体管和电容，并具有若干输入端；其中，光电晶体管的漏极、放大晶体管的栅极和复位晶体管的源极连接电容的第一端，光电晶体管的源极、读出晶体管的源极、放大晶体管的源极连接高电压输入端；复位晶体管的漏极、放大晶体管的漏极连接低电压输入端；光电晶体管的栅极、读出晶体管的栅极和复位晶体管的栅极各自连接一个输入端。本发明中，设置放大晶体管对写入到电容的电信号进行放大，这样能够在读出阶段，放大所读出的信号的强度，从而提高读取到的信号的信噪比，有助于提高光电检测精度。
  • 光电传感器及其驱动方法阵列显示装置
  • [发明专利]放大电路、相关芯片及电子装置-CN202111597731.5在审
  • 李钰莹;陈雨田 - 深圳市汇顶科技股份有限公司
  • 2021-12-24 - 2022-05-06 - H03F3/45
  • 本申请公开了一种放大电路、相关芯片及电子装置。放大电路包括电流平衡单元、偏置单元、输出单元以及各自接收第一输入电压信号及第二输入电压信号的P型晶体管差分放大单元、N型晶体管复制差分输入单元、P型晶体管复制差分输入单元及N型晶体管差分放大单元。电流平衡单元平衡P型晶体管差分放大单元及N型晶体管差分放大单元所产生的电流。偏置单元对P型晶体管差分放大单元及N型晶体管复制差分输入单元共同输出第一偏置电流，及对P型晶体管复制差分输入单元及N型晶体管差分放大单元共同提供第二偏置电流。输出单元依据P型晶体管差分放大单元及N型晶体管差分放大单元所产生的多个电流信号产生输出端电流。
  • 放大电路相关芯片电子装置
  • [发明专利]功率放大器模块-CN202010587109.5在审
  • 韩秀沇 - 三星电机株式会社
  • 2020-06-24 - 2021-07-09 - H03F3/24
  • 本公开提供一种功率放大器模块，所述功率放大器模块包括功率放大器和控制单元，所述功率放大器包括放大单元和偏置单元，所述放大单元包括放大晶体管，所述放大晶体管被配置为放大输入信号并将输出信号输出，所述偏置单元包括偏置晶体管和子偏置晶体管，所述偏置晶体管被配置为将偏置电流提供到所述放大晶体管，所述子偏置晶体管被配置为将子偏置电流提供到所述放大晶体管，所述控制单元被配置为将控制电流提供到所述偏置晶体管和所述子偏置晶体管。
  • 功率放大器模块
  • [实用新型]推挽功率放大电路及射频前端模组-CN202122922580.8有效
  • 戎星桦;曹原;雷传球;倪建兴 - 锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
  • 2021-11-25 - 2022-06-21 - H03F3/21
  • 本实用新型公开了一种推挽功率放大电路及射频前端模组，通过将第一电容的一端耦合至第一差分放大晶体管的输出端，另一端耦合至第二差分放大晶体管的输出端；第二电容的一端耦合至第三差分放大晶体管的输出端，另一端耦合至第四差分放大晶体管的输出端；通过调整第一电容和第二电容的电容值，使得第一差分放大晶体管的输出端、第二差分放大晶体管的输出端、第三差分放大晶体管的输出端和第四差分放大晶体管的输出端之间满足阻抗平衡的需求；从而解决了第一差分放大晶体管的输出端、第二差分放大晶体管的输出端、第三差分放大晶体管的输出端和第四差分放大晶体管的输出端之间因阻抗不平衡而导致的推挽功率放大电路的整体损耗过大的问题。
  • 功率放大电路射频前端模组
  • [发明专利]功率放大器电路-CN201880078305.0在审
  • J·邓沃斯;H·朴;具本贤;V·阿帕林 - 高通股份有限公司
  • 2018-12-04 - 2020-07-17 - H03F1/02
  • 本公开提供了包括一个或多个放大器级的放大器电路，一个或多个放大器级中的每一个放大器级均包括互补晶体管配置。互补晶体管配置包括NMOS晶体管(436)和PMOS晶体管(440)。NMOS晶体管(436)并联电耦合到PMOS晶体管(440)。放大器电路进一步包括输出放大器级，其被电耦合到一个或多个放大器级的输出，输出放大器级包括非互补晶体管配置，其具有一个或多个NMOS晶体管(452)或PMOS晶体管。
  • 功率放大器电路
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