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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种多波段使用的保偏光纤-CN201910507960.X有效
发明人：罗文勇;何茂友;柯一礼;张涛;李伟;杜城;邵帅;朱侨;曾凡球;胡宗华 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司;锐光信通科技有限公司;新疆烽火光通信有限公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G02B6/024 文献下载
摘要：本发明公开了一种多波段使用的保偏光纤，其包括由内到外依次设置的椭圆掺锗芯层、圆环形掺锗芯层、圆环形掺氟包层和石英包层，所述圆环形掺锗芯层和所述圆环形掺氟包层的圆心与所述椭圆掺锗芯层的中心重合；所述椭圆掺锗芯层的折射率大于所述圆环形掺锗芯层的折射率；沿所述椭圆掺锗芯层的短轴方向，所述圆环形掺锗芯层的折射率剖面的形状包括由内而外布置且相连的抛物线形和水平直线形，沿所述椭圆掺锗芯层的长轴方向，所述圆环形掺锗芯层的折射率剖面呈水平直线形；所述保偏光纤的截止波长小于
一种波段使用偏光

[发明专利]一种掺硅锗锑碲靶材及其制备方法-CN202310661181.1在审
发明人：沈文兴;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明涉及靶材生产技术领域，公开了一种掺硅锗锑碲靶材的制备方法，其步骤包括，先将硅粉、GexSbyTez粉混合且硅粉的质量占粉体总质量的2～10％，随后进行湿法球磨、静置、烘干，制得掺硅锗锑碲粉体；随后，将制得的掺硅锗锑碲粉体真空热压，制得掺硅锗锑碲毛坯；再将掺硅锗锑碲毛坯进行机械加工，得到掺硅锗锑碲靶材，通过上述方法制备得到的掺硅锗锑碲靶材具有纯度高、相对密度大的特点，并且上述掺硅锗锑碲靶材也解决了传统制备薄膜时双靶溅射难以搭配和控制溅射速率的问题。
一种掺硅锗锑碲靶材及其制备方法

[发明专利]液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法-CN200510014891.7无效
发明人：李养贤;刘彩池;郝秋艳;黄千驷 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： C30B13/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法。它是使用含锗元素的盐酸溶液涂抹在硅单晶的表面，烘干后装到区熔炉上，按通常的区熔工艺进行区熔熔炼或生长单晶。本发明是理想的掺锗方法，不但使锗掺得进去，而且锗在硅中的浓度均匀可控，掺锗工艺无沾污，保证了硅单晶的质量。
液体涂抹法区熔硅单晶方法

[发明专利]一种熊猫型保偏光纤-CN201910507961.4有效
发明人：罗文勇;陈保平;柯一礼;杜城;张涛;李伟;邵帅;朱侨;曾凡球 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司;锐光信通科技有限公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G02B6/024 文献下载
摘要：本发明公开了熊猫型保偏光纤，包括芯层和石英包层；石英包层内有两个沿芯层呈中心对称的应力区，应力区外设置有与该应力区同心的过渡环形区；芯层包括由内而外依次布置的掺锗芯层和掺氟芯层；掺锗芯层包括由内而外依次布置的平坦掺锗层和渐变掺锗层，渐变掺锗层折射率剖面呈抛物线形，渐变掺锗层折射率朝远离平坦掺锗层方向逐渐减小；掺氟芯层包括由内而外依次布置的石英芯层、第一渐变掺氟层、平坦掺氟层和第二渐变掺氟层，第一渐变掺氟层和第二渐变掺氟层折射率剖面均呈曲线，且沿平坦掺氟层折射率剖面对称，第一渐变掺氟层折射率朝远离石英芯层方向逐渐减小；保偏光纤截止波长小于830nm。
一种熊猫偏光

[发明专利]掺锗硅衬底、其制备方法及包括其的太阳能电池-CN201310573984.8有效
发明人：王坤 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺锗硅衬底、其制备方法及包括其的太阳能电池。该掺锗硅衬底包括P型晶体硅主体，P型晶体硅主体的上表面上具有经锗掺杂形成的第一掺锗区。该掺锗硅衬底在硅衬底的至少上表面上形成掺锗区，在该掺锗区中锗原子的存在，增大了P型晶体硅主体中硼与氧或杂质铁生成B-O复合体和B-Fe复合体的反应能垒。
掺锗硅衬底制备方法包括太阳能电池

[发明专利]废旧掺锗光纤中锗回收方法-CN201110228748.3有效
发明人：王勤;何显达;陈艳红;程文武;张功勋;伍金平 -专利权人：深圳市格林美高新技术股份有限公司;荆门市格林美新材料有限公司
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明适用于废旧金属回收领域，提供了一种废旧掺锗光纤中锗回收方法，包括球磨、还原焙烧、酸浸出锗及回收锗步骤。本发明废旧掺锗光纤中锗回收方法通过在还原焙烧步骤中加入铁粉，使得锗回收率大大提高，同时该废旧掺锗光纤中锗回收方法操作简单，成本低廉，生产效益高，不产生污染环境的物质，非常适于工业化生产。
废旧光纤回收方法

[发明专利]掺锗重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂结构制备工艺-CN201010104303.X无效
发明人：杨德仁;林丽霞;陈加和;马向阳 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开的掺锗重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂结构制备工艺，是将初始氧浓度为0.5×1018cm-3-5×1018cm-3，锗浓度为0.1×1019cm-3-10×1019cm-3，磷浓度为1×1019cm-3-10×1019cm-3的掺锗重掺磷直拉单晶硅片，在氩气氛下，于扩散热处理炉中进行退火；或者在氩气氛下，于快速热处理炉中先热处理再进行退火。本发明制备工艺可以有效实现掺锗重掺磷直拉单晶硅片的内吸杂结构，并且这种内吸杂结构能够有效的吸杂过渡族金属杂质铜，保证洁净区的完整性，从而使掺锗重掺磷直拉单晶硅有望成为一种具有内吸杂功能的新型硅单晶材料而应用于集成电路制造中
掺锗重掺磷直拉单晶硅内吸杂结构制备工艺

[发明专利]硅控整流器结构及其制造方法-CN201010027336.9有效
发明人：苏庆;刘梅 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅控整流器结构，在N阱之上为P型轻掺杂扩散区，P型轻掺杂扩散区之上为掺N型杂质的锗硅，掺N型杂质的锗硅之上为掺P型杂质的发射极多晶硅，所述掺N型杂质的锗硅、掺P型杂质的发射极多晶硅通过金属线相短接，所述P型轻掺杂扩散区同N阱的N型引出区通过金属线相短接；所述掺N型杂质的锗硅同所述P型轻掺杂扩散区之间形成异质结。本发明的硅控整流器结构，可以用于静电保护，且能在常规锗硅工艺中形成。本发明还公开了一种硅控整流器结构的制造方法。
整流器结构及其制造方法

[发明专利]掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法-CN201410581435.X有效
发明人：张丽平;孟凡英;刘正新 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法，所述用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜的制备方法包括步骤：提供一晶体硅衬底，采用化学气相沉积工艺于所述晶体硅衬底表面沉积掺氧非晶硅锗薄膜本发明通过调节反应气体流量中氧和锗浓度可以得到带隙连续可调的致密掺氧非晶硅锗薄膜材料，该材料利用氧、锗元素可以抑制界面外延和调节材料带隙的作用，实现空穴载流子的有效收集，从而有效提高异质结晶体硅太阳电池的效率
掺氧非晶硅锗薄膜结晶体太阳能电池制备方法

[发明专利]一种基于高掺锗光纤探头的磁场和温度同时测量装置-CN201710903131.4在审
发明人：包立峰;董新永 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于高掺锗光纤探头的磁场和温度同时测量装置由宽带光源，入射光纤，高掺锗光纤，出射光纤，光纤光谱仪，高掺锗光纤光栅，锥区，磁流体，石英毛细管，UV胶，磁场发生器和温度控制箱组成。创新地将极短长度的高掺锗光纤熔接在单模光纤之间，并在高掺锗光纤上直接刻写光纤光栅，进一步对该结构进行化学腐蚀增敏，利用M‑Z干涉光谱与光纤光栅对磁场和温度不同的响应直接实现了双参数的同时测量。高掺锗光纤刻写光纤光栅不需要载氢和退火，简化了制作工艺，热敏感性也比石英光纤高，这大幅缩减了探头体积。
一种基于高掺锗光纤探头磁场温度同时测量装置

[发明专利]基于空分复用的多通道全光纤微球谐振腔及其制作方法-CN201911286504.3有效
发明人：尹金德;闫培光;周泽文;陈浩;于洋;阮双琛 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于空分复用的多通道全光纤微球谐振腔及其制作方法，由中空微结构光纤和全光纤微球谐振腔分组成；所述中空微结构光纤由光纤包层(1)、高掺锗光波导阵列以及用于支撑高掺锗光波导阵列的光波导支撑微管阵列构成，所述光波导支撑微管阵列将掺锗光波导阵列与光纤包层(1)隔离开，所述微球(4)填充在中空微结构光纤内部，与高掺锗光波导阵列相切；入射光沿高掺锗光波导阵列传播到与微球(4)的相切点处，耦合到微球(4)的光在与高掺锗光波导阵列相切的微球赤道面
基于空分复用通道纤微谐振腔及其制作方法

[实用新型]一种基于高掺锗光纤探头的磁场和温度同时测量装置-CN201721263281.5有效
发明人：包立峰;董新永 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于高掺锗光纤探头的磁场和温度同时测量装置由宽带光源，入射光纤，高掺锗光纤，出射光纤，光纤光谱仪，高掺锗光纤光栅，锥区，磁流体，石英毛细管，UV胶，磁场发生器和温度控制箱组成。创新地将极短长度的高掺锗光纤熔接在单模光纤之间，并在高掺锗光纤上直接刻写光纤光栅，进一步对该结构进行化学腐蚀增敏，利用M‑Z干涉光谱与光纤光栅对磁场和温度不同的响应直接实现了双参数的同时测量。高掺锗光纤刻写光纤光栅不需要载氢和退火，简化了制作工艺，热敏感性也比石英光纤高，这大幅缩减了探头体积。
一种基于高掺锗光纤探头磁场温度同时测量装置

[发明专利]一种掺锗碳化硅欧姆接触形成方法-CN201710233397.2在审
发明人：陈秀芳;李天;徐现刚;胡小波;蒋哲 -专利权人：山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺锗碳化硅欧姆接触形成方法。该方法包括在掺锗碳化硅晶片上通过电子束蒸发形成Ti/Pt/Au金属电极；将形成电极后的掺锗碳化硅晶片进行快速退火形成欧姆接触，所述快速退火分为两个升温阶段，第一阶段温度升高到300‑500℃，持续保温3本发明经掺杂锗元素来形成高质量、低接触电阻的欧姆接触，同时通过改变掺杂锗元素的浓度可以制备出不同欧姆接触性能的掺锗碳化硅产品。
一种碳化硅欧姆接触形成方法

[发明专利]低电阻率重掺磷硅单晶生产装置及方法-CN202110958466.2在审
发明人：伊冉;王黎光;张兴茂;闫龙;李小红 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种低电阻率重掺磷硅单晶生产装置及方法，属于硅单晶生产技术领域。该生产装置包括由石英材质制成的掺杂舟，所述掺杂舟包括红磷升华室及锗熔融室，以同时向硅熔液中掺杂磷及锗；所述红磷升华室的顶部开设若干红磷挥发孔，所述锗熔融室的底部开设若干锗渗漏微孔。掺杂红磷时，同时向硅熔液中掺杂单质锗，锗掺杂量为红磷掺杂量的1/14～3/14。实践表明，掺杂锗后，不仅不影响重掺磷硅单晶的性能，且能够有效提高低电阻率重掺磷硅单晶的整棒率，提高产品合格率，减少浪费。尤其地，生产电阻率为0.001Ω.cm以下的重掺磷硅单晶时，整棒率由不足10%提高至25%。
电阻率重掺磷硅单晶生产装置方法

[发明专利]碳掺杂锗锑碲相变靶材的制备方法-CN201910905550.0有效
发明人：白平平;童培云;沈文兴;朱刘;肖翀 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳掺杂锗锑碲相变靶材的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：以单质锗、单质锑和单质碲为原料，进行真空感应熔炼，球磨、过筛后得到锗锑碲粉体；将锗锑碲粉体和炭黑分散到含丙烯酰胺的反应体系中，经聚合反应得到均匀分布有锗锑碲粉体和炭黑的聚丙烯酰胺胶体；将分布有锗锑碲粉体和炭黑的聚丙烯酰胺胶体在无氧环境中进行煅烧，得到掺碳的锗锑碲粉体；将掺碳的锗锑碲粉体进行真空热压烧结，得到碳掺杂锗锑碲相变靶材。本发明以聚丙烯酰胺和炭黑为碳源，在聚丙烯酰胺胶体形成过程中，使锗锑碲粉体和炭黑悬浮于溶液中，促进炭黑与锗锑碲粉体充分混合，解决了现有掺碳锗锑碲靶材中碳颗粒结块导致掺杂不均匀的问题。
掺杂锗锑碲相变制备方法

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