专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]高氨有机废水除装置-CN202221047382.X有效
  • 王思琦;史绪川;张青;李贇;陈福明 - 清研环境科技股份有限公司
  • 2022-04-29 - 2022-11-15 - C02F3/30
  • 本实用新型涉及一种高氨有机废水除装置。包括厌消化单元、深度除单元、短程硝化单元和厌氨氧化单元;厌消化单元能够消化有机废水中的有机物,生成一级废水;深度除单元能够利用好微生物将一级废水中的有机物降解为二氧化碳和水,生成二级废水;短程硝化单元能够将二级废水中的部分氨转化为亚硝态,生成三级废水;厌氨氧化单元能够将三级废水中的剩余氨和亚硝态转化为氮气和少量硝态,生成四级废水。该装置通过设置深度除单元降低了有机废水中的比,提高了短程硝化单元和厌氨氧化单元的脱除效率,减少了占地面积和曝气量,是一种处理效率高、占地面积小和运行成本低的处理工艺。
  • 高氨氮有机废水碳脱氮装置
  • [发明专利]栅极氧化的碳化硅器件及其制造方法-CN202310626447.9在审
  • 梁帅;樊永辉;许明伟;樊晓兵 - 深圳市汇芯通信技术有限公司
  • 2023-05-30 - 2023-08-11 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种栅极氧化的碳化硅器件及其制造方法,其中,栅极氧化的碳化硅器件的制造方法包括以下步骤提供中间器件,在JFET层的顶部通过第一预设浓度的多晶硅沉积形成第一预设厚度的多晶硅层;将中间器件放入扩散炉中加热,在多晶硅层的顶部形成第二氧化层和第一氧化层;在第一氧化层的顶部沉积多晶硅形成栅电极;在第一氧化层的顶部制备钝化层;在钝化层的顶部制备源电极并在衬底层的底部制备漏电极。在本发明通过在JFET层上沉积多晶硅,多晶硅进行氧化时,将多晶硅中的原子向SiC材质的JFET层处推近,通过原子钝化减少JFET层和氧化硅层接触面形成的聚集团和近界面陷阱数量,提高碳化硅器件的击穿电压
  • 栅极氧化碳化硅器件及其制造方法
  • [发明专利]石墨烯担载的铂钯镍三元纳米合金催化剂-CN201610584050.8在审
  • 刘建国;黄林 - 南京大学(苏州)高新技术研究院
  • 2016-07-22 - 2016-12-07 - H01M4/90
  • 本发明提供了石墨烯担载的铂钯镍三元纳米合金催化剂及其制备方法,催化剂中铂的质量分数为10~50%,钯的质量分数为5~30%,镍的质量分数为1~20%,余量为高比表面石墨烯;该催化剂的制备方法是:首先混合氧化石墨烯与尿素,通过水热法和微波法制备高比表面石墨烯;再以多元醇为还原剂,通过微波回流工艺制备高比表面石墨烯载体担载的铂钯镍前驱体;并在氮气下热处理工艺后得到催化剂。本发明采用高比表面石墨烯作为载体,不仅保障了载体的高比表面积、良好的电导性和抗腐蚀能力,同时高比表面石墨烯本身对甲醇也具有一定的电氧化性能。
  • 石墨烯担载铂钯镍三元纳米合金催化剂

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