专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种具有高含量掺杂材料的制备方法-CN202010601547.2有效
  • 林荣和;丁云杰 - 浙江师范大学
  • 2020-06-28 - 2022-02-15 - C01B32/15
  • 本发明公开一种具有高含量掺杂材料的制备方法,包括如下步骤:(1)将干燥的含高分子有机物置于马弗炉或管式炉,并在含氧气氛中于一定温度下氧化预处理一定时间,获得部分交联的含高分子有机物前驱体;(2)将上述部分交联的含高分子有机物前驱体转移到管式炉,在惰性气氛下于一定温度下进行碳化,获得掺杂材料。本发明方法具有以下几个显著优点:(1)工艺过程相对简单;(2)获得的掺杂材料中的含量高;(3)种类可调节;(4)对多种含高分子有机物具有广泛的适用性。
  • 一种具有含量掺杂材料制备方法
  • [发明专利]一种掺杂的铸造多晶硅及制备方法-CN201010218716.0无效
  • 赵钧永 - 赵钧永
  • 2010-07-05 - 2012-01-11 - C30B29/06
  • 现有的铸造多晶硅,其性能对包括金属、等的杂质和重的III、V族杂质的耐受性较差,并含有密度较高的多种缺陷,本发明提出了一种掺杂有氧、、锗的半导体铸造多晶硅实体及其制造方法,其在同样的杂质水平上含有密度较少的缺陷和更高的半导体性能,并且其半导体性能对包括过渡金属和重III、V族杂质等在内的杂质耐受性提高,在同等杂质浓度下,具有更好的光电等半导体性能。
  • 一种掺杂铸造多晶制备方法
  • [发明专利]用于N-Zr共氧化锌薄膜的制备方法-CN201210531516.X有效
  • 卢维尔;夏洋;李超波;解婧;张阳 - 中国科学院微电子研究所
  • 2012-12-11 - 2014-06-18 - C23C16/40
  • 本发明公开一种用于N-Zr共氧化锌薄膜的制备方法,包括将基片放入ALD反应腔室中,对基片及腔室管道进行加热,然后进行多组分的复合沉积;所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后,分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、两次掺杂源沉积及两次源沉积,形成N-Zr-N的共;所述掺杂源沉积和所述源的沉积顺序是先掺杂源沉积,后源沉积;所述含掺杂元素Zr的掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先含掺杂元素该方法可以对氧化锌薄膜进行原位的施主-受主的共,以增加受主元素的掺入量,促进氧化锌薄膜的p型转变。
  • 用于zr氧化锌薄膜制备方法
  • [发明专利]原子层沉积的共氧化锌薄膜的制备方法-CN201210530523.8有效
  • 卢维尔;夏洋;李超波;解婧 - 中国科学院微电子研究所
  • 2012-12-11 - 2014-06-18 - C23C16/44
  • 本发明公开一种原子层沉积的共氧化锌薄膜的制备方法,包括将基片放入ALD反应腔室中,对基片及腔室管道进行加热,然后依次进行多组分的复合沉积;所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后,分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、两次掺杂源沉积及两次源沉积,形成N-Zr-N的共;所述掺杂源沉积和所述源的沉积顺序是先源沉积,后掺杂源沉积;所述含掺杂元素Zr的掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先第二次锌源沉积该方法可以对氧化锌薄膜进行原位的施主-受主的共,以增加受主元素的掺入量,促进氧化锌薄膜的p型转变。
  • 原子沉积氧化锌薄膜制备方法

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