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- [发明专利]一种硅片预处理方法-CN202211365442.7在审
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张清明;时锋
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上海华力微电子有限公司
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2022-10-31
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2023-01-10
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H01L21/02
- 本发明提供了一种硅片预处理方法,包括:提供硅片,对硅片进行氮化处理,在硅片表面形成掺氮的改性层;对进行氮化处理后的硅片进行退火处理。本发明提供的硅片预处理方法,通过氮化处理,可在硅片表面形成一掺氮的改性层,可减少硅片表面的氧杂质含量并可抑制改性层中氧沉淀晶格缺陷的形成;通过退火处理,进一步使硅片表面的氧杂质脱离,并修复表面的晶格缺陷,最终得到表面氧杂质含量和氧沉淀晶格缺陷含量符合预期的硅片。因此,本发明提供的硅片预处理方法,可有效降低硅片表面氧杂质和氧沉淀晶格缺陷的含量,从而提高后续制程的良率。
- 一种硅片预处理方法
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