专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种圆管钢材抛光装置-CN202220262222.0有效
  • 刘译铃 - 微山县安固钢结构有限公司
  • 2022-02-09 - 2022-09-20 - B24B29/08
  • 本实用新型涉及一种抛光装置,尤其涉及一种圆管钢材抛光装置。技术问题:提供一种对圆管钢材进行夹紧限位,达到更好的抛光效果的圆管钢材抛光装置。技术方案:一种圆管钢材抛光装置,包括有底座、支撑架、马达、抛光盘和固定机构,底座上部的左右两侧均滑动式设置有支撑架,支撑架上均设置有马达,马达的输出轴内侧均设置有抛光盘,底座上设置有固定机构。本实用新型通过启动圆管钢材抛光装置,当齿轮与第一齿条、第二齿条啮合移动时能够带动马达和抛光盘进行移动,从而能够使得左右两侧的抛光盘对圆管钢材进行或者停止抛光作业。
  • 一种圆管钢材抛光装置
  • [实用新型]再生晶低磨耗的均质化研磨系统-CN202022751346.9有效
  • 汪戬 - 中盛兴业科技发展有限公司
  • 2020-11-25 - 2021-08-20 - B24B37/10
  • 本实用新型提供一种再生晶低磨耗的均质化研磨系统,供以针对再生晶进行平坦化研磨,包含前段研磨机,具有雾磨光垫,供以将所述再生晶表面与所述雾磨光垫进行旋转接触并执行雾磨光;及后段研磨机,设于所述前段研磨机的一侧并具有亮抛光垫,将雾磨光后的所述再生晶传送至所述后段研磨机,并再次与所述亮抛光垫进行旋转接触并执行亮抛光。或使用研磨机台并电性连接驱动电源,所述研磨机台具有雾磨光模式及亮抛光模式,所述雾磨光模式执行于所述亮抛光模式之前,供所述再生晶先执行雾磨光,后执行亮抛光。藉此达到大幅降低晶研磨耗损厚度即可去除刮痕的功效。
  • 再生晶圆低磨耗均质化研磨系统
  • [发明专利]一种半导体晶抛光方法-CN201610898646.5在审
  • 赵厚莹;李章熙 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2016-10-14 - 2018-04-24 - H01L21/02
  • 本发明提供一种半导体晶抛光方法,依次包括如下步骤S1同时对半导体晶的正反两进行初步抛光;S2对所述半导体晶进行第一湿法清洗,同时在所述半导体晶的正反两形成氧化层;S3对所述半导体晶的边缘部分进行镜面抛光;S4对所述半导体晶进行第二湿法清洗,同时去除覆盖在所述半导体晶上的氧化层;S5对所述半导体晶的正面或正反两进行镜面抛光。本发明可避免半导体晶表面靠近边缘的区域在边缘抛光步骤中的过度抛光,并且可提高最终镜面抛光的效率和平整度,方法简单、经济实用。
  • 一种半导体抛光方法
  • [发明专利]半导体晶抛光方法-CN201610899466.9在审
  • 赵厚莹 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2016-10-14 - 2018-04-24 - B24B29/02
  • 本发明提供一种半导体晶抛光方法,依次包括如下步骤S1同时对半导体晶的正反两进行初步抛光;S2在所述半导体晶的正反两面上分别形成环形氧化层,所述环形氧化层覆盖所述半导体晶正反两靠近边缘的外圆周区域;S3对所述半导体晶的边缘进行镜面抛光,同时去除所述环形氧化层;S4对所述半导体晶的正面或正反两进行镜面抛光。本发明可避免半导体晶表面靠近边缘的区域在边缘抛光步骤中的过度抛光,并且在半导体晶边缘抛光之后,环形氧化层会被完全去除,不会对后续的抛光步骤造成影响,方法简单、经济实用。
  • 半导体抛光方法
  • [发明专利]一种预清洗装置-CN202010417594.1有效
  • 鲁容硕;张月;杨涛;卢一泓;刘青 - 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
  • 2020-05-15 - 2023-06-23 - H01L21/02
  • 本发明提供了一种预清洗装置,该预清洗装置用于去除晶表面的颗粒,其包括支撑结构、装配在支撑结构上的夹持组件、设置在支撑结构上且用于对晶的第一抛光的第一抛光组件。夹持组件包括用于吸附晶的第二并带动晶绕定点转动的吸盘,且晶的第二面的面积大于吸盘的面积。还包括设置在支撑结构上且用于对晶的第二面上未被吸盘覆盖的表面以及边缘抛光的第二抛光组件。通过设置对晶的第二面上未被吸盘覆盖的表面及晶的边缘抛光的第二抛光组件,以更有效的去除晶的背面以及边缘面上的颗粒,从而降低晶背面及边缘面的颗粒含量,改善在晶的后续光刻工序中的局部失焦现象,提高半导体器件生产的良率以及生产效率
  • 一种清洗装置
  • [实用新型]一种晶抛光装置-CN201922497434.8有效
  • 艾佳瑞;廖桂波;丁新琪;焦旺;吴阳烽 - 深圳市中光工业技术研究院
  • 2019-12-31 - 2020-10-23 - B24B37/10
  • 本申请公开了一种晶抛光装置,该晶抛光装置包括支撑装置和夹持装置;支撑装置包括支撑基座以及设置于支撑基座上的抛光垫;夹持装置包括配重块、夹持基座及缓冲垫,配重块设置于夹持基座的一,缓冲垫设置于夹持基座远离配重块的一;其中,夹持装置用于将晶抛光垫接触,配重块用于调整夹持装置的夹紧力,缓冲垫与晶的非抛光面粘接。通过上述方式,本申请能够通过配重块控制抛光的力度,降低对晶的伤害,提升产品的质量。
  • 一种抛光装置
  • [实用新型]一种晶切割用的背面抛光装置-CN202220643750.0有效
  • 韦胜;盛育;曹海洋;吴昊 - 百克晶半导体科技(苏州)有限公司
  • 2022-03-22 - 2022-11-15 - B24B29/02
  • 本实用新型涉及晶技术领域,具体为一种晶切割用的背面抛光装置,包括加工台,所述加工台的顶端固定连接有放置块。该晶切割用的背面抛光装置,通过设置有放置块、第一电机、螺纹杆、连接块、液压推杆和抛光块,以实现该抛光装置具有批量抛光的目的,将晶分别放置在放置块顶端的放置槽内部,启动第一电机,带动第一旋转轴和第一锥形齿轮的转动,通过第一锥形齿轮和第二锥形齿轮的相互啮合,带动螺纹杆的旋转,继而通过螺纹杆与连接块的相互啮合,带动抛光块水平移动至放置槽顶端,启动液压推杆和第二电机,带动抛光块的位置下降和旋转,达到对晶背面的抛光,同时改善晶边缘的光滑度,并且实现对晶背面批量化抛光
  • 一种切割背面抛光装置
  • [发明专利]抛光方法-CN201680066639.7有效
  • 西谷隆志;谷本龙一 - 胜高股份有限公司
  • 2016-11-04 - 2022-11-08 - H01L21/304
  • 本发明提供一种晶抛光方法,即使在已形成纳米形貌的晶上,也可以抑制其影响,对于各压力区施以适当的抛光压力,由此提高晶的平坦度。一种晶抛光方法,其使用具备多区加压方式的抛光头的晶抛光装置对晶表面进行镜面抛光,所述多区加压方式的抛光头将晶的按压划分为多个压力区并能够独立地对各压力区进行加压控制,所述晶抛光方法具有:测定步骤(步骤S1),测定晶表面的纳米形貌图;及抛光步骤(步骤S2、S3),根据所述纳米形貌图的测定结果,针对各压力区设定所述抛光头对于所述晶抛光压力,以实施抛光加工。
  • 抛光方法

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