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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光学涂层及其方法-CN02817024.5无效
发明人：兰德·大卫·丹恩贝尔格 -专利权人：德商阿尔登设备技术有限公司
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：本发明涉及一用于一基板的光学涂层，包括一非晶形材料，该非晶形材料包括氧化钛以及一或多个添加物。该氧化钛以及该添加物在一氧化状态系不形成一固态溶液，该非晶形材料可用于低发射率(low－emissivity)、双低发射率(doublelow－emissivity)、以及抗反射涂层。本发明还提供一种用于涂覆一基板的方法，包括沉积一介电质的第一抗反射层覆盖于该基板之上，沉积一金属层覆盖于该抗反射层之上，以及沉积一介电质的第二抗反射层覆盖于该金属层之上。该第一抗反射层以及该第二抗反射层至少其中之一包括非晶形材料。
光学涂层及其方法

[发明专利]一种上发光有机发光元件-CN200410078339.X无效
发明人：吴忠帜;杨志仁;林俊良;叶永辉;陈介伟 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2004-09-24 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种上发光有机发光元件，包括：基板；第一电极层，其位于该基板之上；有机材料层，其位于该第一电极层之上；第二电极层，其位于该有机材料层之上，且该第二电极层具有第一折射率；抗反射层，该抗反射层位于该第二电极层之上，且该抗反射层具有第二折射率，该第一折射率不同于该第二折射率。本发明在上电极导电材料上搭配一抗反射层结构，通过抗反射层结构的材料(折射率)及厚度的选择搭配，在该抗反射层内实现外界入射光的破坏性干涉，以达到降低整体元件对外界入射的可见光的反射率，提高显示对比，并且不需要在显示面板的表面再贴附一层偏光片或滤光片
一种发光有机元件

[发明专利]抗反射涂布材料及包含其的抗反射涂膜-CN201010135186.3有效
发明人：庄文斌;陈魏素美;沈永清;张义和 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C09D183/10 文献下载
摘要：本发明提供一种抗反射涂布材料及包含其的抗反射涂膜。该抗反射涂布材料包含以下步骤所得的产物：提供一聚硅倍半氧烷；将该聚硅倍半氧烷与一硅氧烷化合物反应得到一中间产物；将该中间产物与一低折射率化合物反应，得到该抗反射涂布材料。进而，将该抗反射涂布材料涂布于一基材上，得到一涂布层；以及将该涂布层固化以形成一抗反射涂膜。
反射材料包含

[发明专利]蚀刻制造方法以及图案化制造方法-CN200410085084.X有效
发明人：周珮玉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2004-10-12 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种蚀刻制造方法，其首先提供一材料层，且材料层上已形成有一底部抗反射层以及一图案化光致抗蚀剂层。接着，以图案化光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，蚀刻底部抗反射层。然后，进行一清洁步骤，以清除附着在图案化光致抗蚀剂层表面上的聚合物。之后，以图案化光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，蚀刻材料层。
蚀刻制造方法以及图案

[发明专利]图案化掩膜层的形成方法-CN202010252468.5在审
发明人：余桥;刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本申请公开了一种图案化掩膜层的形成方法，包括：提供基底结构，在所述基底结构上依次形成掩膜材料层，填充层，抗反射层以及光掩膜层；图案化所述光掩膜层，并将所述光掩膜层的图案转移至所述抗反射层以及填充层，形成暴露所述掩膜材料层的开口；沿所述开口对暴露出的掩膜材料层进行离子注入，使离子注入区域的掩膜材料层形成掩膜层，并去除所述光掩膜层；采用干法非等离子体刻蚀工艺去除所述抗反射层；采用湿法刻蚀工艺去除所述填充层；去除所述掩膜材料层。所述方法避免在所述掩膜材料层以及掩膜层表面产生抗反射层以及填充层的残留，以形成无缺陷的图案化掩膜层。
图案化掩膜层形成方法

[发明专利]降低反射的液晶显示器-CN03102964.7无效
发明人：蔡耀铭;陆一民;张世昌 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2003-01-22 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：一种降低反射的液晶显示器。此液晶显示器的信息线和闸极线上具有抗反射层。抗反射层由抗反射材料构成，可避免外界光线在液晶显示器内部而产生反射。
降低反射液晶显示器

[发明专利]太阳能电池组件-CN201110082362.6有效
发明人：李贤镐;安俊勇;金钟大;郑智元 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：该太阳能电池组件包含多个各自包含基板和位于所述基板上的抗反射层的太阳能电池、围绕所述多个太阳能电池的保护构件和位于所述保护构件上的透明构件。所述保护构件由硅树脂形成。所述抗反射层包含位于所述基板上的第一抗反射层和位于所述第一抗反射层上的第二抗反射层。所述第一抗反射层和第二抗反射层由不同的材料形成。
太阳能电池组件

[发明专利]自对准四重图案及半导体器件的制造方法-CN201911164226.4有效
发明人：刘峻;傅晓娟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及一种自对准四重图案和半导体器件的制造方法，包括：在目标刻蚀层上依次形成第二芯模层、第二抗反射层、第一芯模层和第一抗反射层，其中所述第一抗反射层相对于所述第二抗反射层有刻蚀选择性；刻蚀所述第一抗反射层和第一芯模层，形成第一芯模图案；在所述第一芯模图案上覆盖第一侧墙材料层；刻蚀水平方向的第一侧墙材料层及所述第一芯模图案以形成第一侧墙；以所述第一侧墙为掩模刻蚀所述第二抗反射层和所述第二芯模层，形成第二芯模图案；在所述第二芯模图案上覆盖第二侧墙材料层；以及刻蚀水平方向的第二侧墙材料层及所述第二芯模图案以形成位于所述目标刻蚀层上的第二侧墙。
对准图案半导体器件制造方法

[发明专利]自对准四重图案及半导体器件的制造方法-CN201911164240.4有效
发明人：刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及一种自对准四重图案的制造方法，包括：在目标刻蚀层上依次形成第二芯模层、第二抗反射层、第一芯模层和第一抗反射层；刻蚀所述第一抗反射层和第一芯模层，形成第一芯模图案；在所述第一芯模图案上覆盖第一侧墙材料层；刻蚀第一侧墙材料层及所述第一芯模图案以形成第一侧墙；以所述第一侧墙为掩模刻蚀所述第二抗反射层的部分厚度，在所述第二抗反射层的裸露区域形成凹槽；刻蚀所述第二抗反射层和所述第二芯模层以形成第二芯模图案；在所述第二芯模图案上覆盖第二侧墙材料层；以及刻蚀第二侧墙材料层及所述第二芯模图案以形成位于所述目标刻蚀层上的第二侧墙。
对准图案半导体器件制造方法

[发明专利]降低大马士革铜工艺中表面反射率的方法-CN200510029400.6有效
发明人：朱骏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2005-09-02 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种降低大马士革铜工艺中表面反射率的方法，在半导体大马士革铜工艺中，在完成通孔刻蚀后对通孔介质层涂布可溶于显影液的高分子有机物作为抗反射填充材料，经过大马士革曝光显影，使得无机抗反射层和抗反射填充材料共同形成多层抗反射层
降低大马士革工艺表面反射率方法

[发明专利]一种抗半导体材料表面光反射的多层膜技术-CN201010249789.6无效
发明人：石郧熙 -专利权人：石郧熙
申请日： 2010-08-05 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电转换器件，包括半导体太阳能光伏电池和半导体光电探测器的技术领域，涉及一种抗半导体材料表面上光反射率的技术。在半导体材料表面上制造的抗光反射多层膜中，包括有两层透明的介质薄膜层，和夹在这两层之间的一层超薄金属薄膜层，实现干涉相消抗光反射，降低半导体材料表面的光反射率目的。
一种半导体材料表面光反射多层膜技术

[发明专利]一种集蓄热与反射双功能的新型节能屋顶及其制造方法-CN201510374342.4在审
发明人：吕石磊;李翼然;刘尚宝 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： E04D11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种集蓄热与反射双功能的新型节能屋顶及其制造方法，包括由内至外依次设置的屋顶基础层、防水层和抗裂砂浆层，所述防水层和抗裂砂浆层之间设置有由封装有相变材料的PE-RT管紧密排列构成的相变材料层，所述抗裂砂浆层上设置有反射涂料层。其制造方法包括，铺设屋顶基础层；铺设防水层；制备封装有相变材料的PE-RT管；铺设相变材料层；铺设抗裂砂浆层；涂刷反射涂料层。本发明结构简单，节能效果明显，实用性强，适用于降低建筑能耗。
一种蓄热反射功能新型节能屋顶及其制造方法

[发明专利]制造抗反射涂层基片的方法-CN03127460.9无效
发明人：浅川勉;松本研二;原田高志;中山恭司 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2003-08-07 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：本发明涉及制造抗反射涂层基片，其包括透明基片(1)和在透明基片上形成的抗反射膜，抗反射膜由多层膜制成，所述多层膜具有按下列顺序相继形成在透明基片上的下列各层：中等折射指数层(2)、高折射指数层(3)和低折射指数层中等折射指数层由含有硅、锡和氧的材料制成，高折射指数层由含有氧和至少一种选自钛、铌、钽和铪的元素的材料制成。低折射指数层由含有硅和氧的材料制成。抗反射膜用一种在线溅射仪器，通过相继层积这些层而形成。
制造反射涂层方法

[发明专利]抗反射涂层之氢化-CN00817926.3无效
发明人： F·E·伍达得 -专利权人：南壁技术股份有限公司
申请日： 2000-12-19 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：形成一种包括中折射率材料、高折射率材料、及低折射率材料之连续层的多层抗反射涂层。中折射率层经氢化，以将材料的折射率调整至低于1.99，及提高透射的清晰度。此三层结合形成三层抗反射涂层，但可于具有更多或更少层数的抗反射涂层中使用氢化。在使用时，中折射率层为最靠近需要抗反射的基材。中折射率层为由氧化铟、氧化锡或氧化锌，或其中铟、锡或锌为主成份的合金的氧化物所形成较佳。
反射涂层氢化

[发明专利]一种光伏发电用硅片防反射涂层及其制备工艺-CN202110862132.5在审
发明人：严循成;何迎辉 -专利权人：江苏福旭科技有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏发电用硅片防反射涂层及其制备工艺，属于硅片防反射技术领域，通过在防反射涂布层与硅片本体之间设置导热粘结层，当带有一定高温的涂布嵌设层嵌设于导热粘结层上后，有利于粘结囊体熔融并扩散分布于导热粘结层与涂布嵌设层之间，涂布嵌设层远离导热粘结层的一端面上设有防反射涂布层，防反射涂布层由贴附于涂布嵌设层上的碳纤维网架层与涂覆于其端面上的抗反射涂料组成，抗反射涂料分散填充于涂布嵌设层与碳纤维网架层所构成的多孔材料中，该多孔性材料为在抗反射涂料的表面形成抑制反射的凹凸，提高抗反射性能，并且所形成的复合层不仅为抗反射涂料的涂覆提供空间，还有利于提高抗反射涂料与硅片本体之间的粘结性能。
一种发电硅片反射涂层及其制备工艺

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