专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]集成寻呼技术-CN201380044090.8有效
  • J.阿克科;A.科雷恩;A.拉莫 - 瑞典爱立信有限公司
  • 2013-08-23 - 2020-01-03 - H04W68/02
  • 本公开内容涉及在通信网络(1)中网络节点(100)中执行的方法。方法包括接收监视第一服务(30)是否在发送预期用于无线电装置(200)的消息的指令。方法也包括根据收到的指令监视第一服务以便获得与服务是否在发送预期用于无线电装置的消息有关的信息。方法也包括处理获得的信息,从而能够做出是否唤醒无线电装置的判定。本公开内容也涉及网络节点和无线电装置。
  • 集成寻呼技术
  • [发明专利]集成的双重技术刷子-CN201080038826.7无效
  • 劳伦斯·威廉姆斯 - 奥蒂斯专利申请公司
  • 2010-08-31 - 2012-07-11 - F41A31/00
  • 公开了一种枪支清洁套件(10),其包括:沿着折线(18)结合的第一和第二分隔室;以及扣件(20),例如拉链,所述扣件将所述外壳的第一和第二分隔室结合在一起。至少一个所述分隔室包括袋状部(26)。具有第一端部和第二端部的柔性清洁棒(36)可拆卸地存放在所述袋状部中。工具分隔室(28)固定到所述折线上。所述工具分隔室(28)包括多个工具夹持槽(34),并将枪支枪筒清洁装置(80)固定在其中一个工具夹持槽内。所述枪筒清洁装置(80)包括主体部分(82)、擦帚(90)、以及刷子(92)。
  • 集成双重技术刷子
  • [发明专利]高频音频重建技术集成-CN201980034785.5在审
  • K·克乔埃尔林;L·维尔蒙斯;H·普尔纳根;P·埃克斯特兰德 - 杜比国际公司
  • 2019-04-25 - 2021-01-05 - G10L21/0388
  • 本发明揭示一种用于解码经编码音频位流的方法。所述方法包含接收所述经编码音频位流且解码音频数据以产生经解码低频带音频信号。所述方法进一步包含提取高频重建元数据且使用分析滤波器组来对所述经解码低频带音频信号滤波以产生经滤波低频带音频信号。所述方法还包含提取指示是对所述音频数据执行频谱平移还是谐波转置的标记且根据所述标记使用所述经滤波低频带音频信号及所述高频重建元数据来再生所述音频信号的高频带部分。将所述高频再生执行为每个音频频道具有3010个样本的延迟的后处理操作。
  • 高频音频重建技术集成
  • [发明专利]隐形表层模块集成处理技术-CN01100090.2无效
  • 游卫峰 - 游卫峰
  • 2001-01-09 - 2002-08-14 - F41H3/00
  • 技术属于隐形飞机、导弹表层材料蒙皮研究领域。技术问题①小平面与小平面以相切球面平滑连接时存在加工困难的问题。(模具制造)②飞机、导弹设计时的曲面化整体化处理技术特征,小平面与小平面沿曲面连接起来,反射面约二百平方厘米设计上追求整体化、曲面化、倾斜化将外型变化集中移植在蒙皮上,然后贴在飞机表面即可,蒙皮中添加隐形材料或采用导电涂层用途隐形飞机
  • 隐形表层模块集成处理技术
  • [发明专利]集成电路时钟管理技术-CN200880024664.4有效
  • C·伊顿;D·W·巴特利 - 格罗方德半导体公司
  • 2008-05-16 - 2010-11-17 - G06F1/08
  • 一种包括第一电路(812)与第二电路(814)之时钟产生器(622)。该第一电路(812)包含用以于第一频率接收第一时钟信号之第一时钟输入端,用以于第一频率接收第二时钟信号之第二时钟输入端,以及输出端。该第二时钟信号与该第一时钟信号之间呈现相位差(out-of-phase)。该第二电路(814)耦接于该第一电路(812)且包含用以接收模式信号之模式信号输入端。该第一电路(812)的输出端用以提供产生时钟信号(generated clock signal),该产生时钟信号的有效频率系依据该第一与第二时钟信号与该模式信号。
  • 集成电路时钟管理技术
  • [发明专利]MRAM装置和与逻辑集成兼容的集成技术-CN201180038473.5有效
  • 李霞;朱晓春;升·H·康 - 高通股份有限公司
  • 2011-08-05 - 2013-04-24 - H01L27/22
  • 一种半导体装置包含磁性隧道结MTJ存储元件,其经配置以与逻辑元件一起安置于共同金属层间电介质IMD层中。盖层使所述共同IMD层与顶部和底部IMD层分离。顶部电极和底部电极耦合到所述MTJ存储元件。到所述电极的金属连接分别通过所述分离盖层中的通孔形成于所述顶部和底部IMD层中。替代地,所述分离盖层是凹入的且所述底部电极是嵌入的,使得建立到所述底部IMD层中的金属连接的直接接触。到所述共同IMD层中的所述顶部电极的金属连接是通过用金属岛状物和隔离盖使所述金属连接与所述MTJ存储元件隔离来实现的。
  • mram装置逻辑集成兼容技术

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