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[发明专利]用于制造带有密封结构的膜电极结构的方法-CN202210125174.5在审
发明人： D·吉尔施;E·穆斯布鲁格;J·施特劳赫 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01M8/1004 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造由至少一种层材料（20、32）和电极材料（26）制成的带有密封结构的膜电极结构（48）的方法。要么由共同的卷筒储备，要么作为组织结构（37）由单独卷筒（24、30、36）来制备由电极材料（26）和至少一种层材料（20、32）制成的膜电极结构（48）。然后将所制备的膜电极结构（48）拉入到注射成型单元（16）中。通过注射成型过程（60）将电极材料（26）与至少一种层材料（20、32）连接起来。通过注射成型材料（18）填满在至少一种层材料（20、32）中的空腔和边缘区域并且形成了带形的膜电极结构（48）的密封结构。注射成型材料（18）、特别是TPE，在接下来的堆叠过程（38）中用作电极之间的密封结构。
用于制造带有密封结构电极方法

[发明专利]固定布置结构以及用于制造固定布置结构的方法-CN202080092181.9在审
发明人： J·弗勒舍尔;P·达姆;R·施灵;M·雷普勒 -专利权人：宝马股份公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B60R16/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种供应轨(2)在连接区域(3)中的固定布置结构(1)，两个车身构件(4、5)在所述连接区域中相互连接，在所述固定布置结构中，供应轨(2)靠置在第一车身构件(4)上并且经由保持元件(6)保持在第一车身构件
固定布置结构以及用于制造方法

[发明专利]结构体的制造方法和结构体的制造装置-CN202180013632.X在审
发明人：堀切文正;福原昇 -专利权人：株式会社赛奧科思;住友化学株式会社
申请日： 2021-02-12 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/3063 文献下载
摘要：结构体的制造方法具有如下工序：准备至少上表面由Ⅲ族氮化物晶体构成的蚀刻对象物、和作为接受电子的氧化剂而含有过二硫酸根离子的碱性或酸性的蚀刻液的工序；在使所述蚀刻对象物旋转，并且所述蚀刻对象物的上表面浸渍于以生成硫酸根自由基的方式被加热后的所述蚀刻液中的状态下
结构制造方法装置

[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构-CN202210847476.3在审
发明人：赵文礼 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，用以解决CMOS晶体管的性能较差的问题。其制作方法包括：提供衬底，衬底具有浅沟槽隔离结构，衬底包括第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区分别位于浅沟槽隔离结构的两侧；在衬底上形成硬掩膜层，硬掩膜层具有第一开口，第一开口至少暴露第二有源区
半导体结构制作方法

[发明专利]顶盖横梁接头加强结构、顶盖横梁总成结构及车辆-CN202210814460.2在审
发明人：余欢;李刚;李二委;杨梅;刘其文 -专利权人：岚图汽车科技有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B62D25/06 文献下载
摘要：本申请涉及顶盖横梁接头加强结构、顶盖横梁总成结构及车辆，顶盖横梁接头加强结构包括顶盖前横梁连接结构和顶盖前横梁连接加强结构，用于固定于顶盖前横梁下板的一端；顶盖前横梁连接加强结构，部分固定于所述顶盖前横梁连接结构的外壁本申请通过顶盖前横梁连接总成中的顶盖前横梁连接加强结构与顶盖前横梁下板、顶盖前横梁连接结构的有效连接，来对国标顶压加严、C‑NCAP和C‑IASI顶压及侧碰升级后，顶盖前横梁总成与侧围总成连接的接头处存在的高风险折弯进行成倍数级加强改善
顶盖横梁接头加强结构总成车辆

[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构-CN202210648382.3在审
发明人：朱小锋;曹硕;郗宁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构，包括：提供衬底，所述衬底上形成彼此间隔的多条位线、一一对应覆盖所述多条位线的多个绝缘结构、以及阻挡层，相邻所述绝缘结构之间形成第一填充孔，所述阻挡层覆盖在所述第一填充孔内和所述绝缘结构上；去除所述绝缘结构的部分区域覆盖的阻挡层，并于暴露的绝缘结构上和所述第一填充孔上形成填充结构，相邻所述填充结构之间形成与所述第一填充孔连通的第二填充孔；于所述第一填充孔和所述第二填充内形成电容接触结构。
半导体结构制作方法

[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构-CN202210700271.2在审
发明人：武宏发;夏军;孙耀;崔静思 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，其中，半导体结构的形成方法包括：提供半导体基底，在半导体基底的表面形成介质层；采用第一刻蚀工艺刻蚀介质层，在介质层中形成具有第一深度的第一通孔本公开的半导体结构的形成方法中，不仅可以消除高深宽比的接触孔出现的刻蚀不足的现象，同时还解决了接触孔的底部的关键尺寸变大的问题，以形成比较符合设计要求的关键尺寸的接触孔。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构制造方法与半导体结构制造系统-CN202110607658.9在审
发明人：蔡奉儒;董学儒 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构制造方法与半导体结构制造系统，半导体结构制造方法包含以下流程。在半导体机台输入多个产品设计参数以及多个工艺控制参数，以形成测试结构。通过膜厚测量单元测量测试结构的实验膜厚信息。将产品设计参数、工艺控制参数与实验膜厚信息传送至服务器的大数据数据库。通过服务器的数据探勘单元根据大数据数据库并基于产品设计参数输出多个改良工艺控制参数。半导体机台根据产品设计参数与改良工艺控制参数形成半导体结构。如此，能够智能地实现工艺流程的自动化。
半导体结构制造方法系统

[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法-CN202110259349.7在审
发明人：张志伟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括第一芯片和第二芯片，第一导电接触垫和第二导电接触垫相间隔，且均与第一导电连线相连接；第三导电接触垫和第四导电接触垫相间隔，且均与第二导电连线相连接；第一导电接触垫和第二导电接触垫均与第三导电接触垫交错连接，第一导电接触垫和第二导电接触垫均与第四导电接触垫交错连接，以此保证第一导电连线和第二导电连线之间的可靠电连接，避免第一导电连线和第二导电连线出现断路问题，从而改善半导体结构的性能。
半导体结构制作方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法-CN202110259350.X在审
发明人：张志伟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构，包括衬底和导电部，导电部位于衬底内，导电部包括通孔部和第一导电层，第一导电层与通孔部相连接，且位于通孔部的上方；其中，衬底内设置有气隙，气隙的一端暴露导电部。
半导体结构制作方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法-CN202110265111.5在审
发明人：张志伟;刘杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构包括衬底和连通部，连通部位于衬底内，连通部包括第一连接层、第二连接层以及第三连接层，第二连接层位于第一连接层上，第三连接层位于第二连接层上；其中，第一连接层、第二连接层以及第三连接层包括不同的导电材料，第二连接层和第三连接层的热膨胀系数均小于第一连接层的热膨胀系数，即第二连接层和第三连接层受热膨胀变化较小，从而减小对连通部的周边晶格的影响，以此改善半导体结构的性能。
半导体结构制作方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法-CN202110328178.9在审
发明人：苏博;何超;亚伯拉罕·庾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，衬底上具有若干平行排列的鳍部结构；位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构两侧鳍部结构内的源漏掺杂区以及第二绝缘层，源漏掺杂区内具有第一离子，栅极结构横跨鳍部结构且位于第二绝缘层内；位于第二绝缘层内的金属层，金属层延伸方向与鳍部结构排列方向相同，金属层位于源漏掺杂区上；位于第二绝缘层内和鳍部结构内的第一隔离结构，第一隔离结构延伸方向与鳍部结构排列方向相同，第一隔离结构位于相邻金属层之间位于第二绝缘层内的第二隔离结构，第二隔离结构延伸方向与鳍部结构排列方向相同，第二隔离结构位于第一隔离结构上，且与第二隔离结构位于相邻的金属层之间。所述结构性能得到提升。
半导体结构形成方法

[发明专利]铰链结构和包括铰链结构的电子装置-CN202180003897.1在审
发明人：金钟根;金亨洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H04M1/02 文献下载
摘要：所述电子装置包括：第一壳体；第二壳体；铰链结构，被构造为连接所述第一壳体和所述第二壳体；以及可折叠的显示模块。所述铰链结构包括：旋转轴；第一中间齿轮；第二中间齿轮；第一齿轮；第二齿轮；第一按压构件，被构造为使所述第一齿轮朝向所述第二齿轮移动；以及第一互连结构，形成在所述第一齿轮与所述第二齿轮之间，以使所述第一齿轮能够与所述第二齿轮啮合，所述第一互连结构形成在所述第一齿轮与所述第二齿轮之间，使得当所述第一按压构件使所述第一齿轮朝向所述第二齿轮移动时，所述第一齿轮和所述第二齿轮接收相反方向上的旋转力。
铰链结构包括电子装置

[发明专利]半导体结构和半导体结构的形成方法-CN202110336238.1在审
发明人：张魁;李新;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体结构和半导体结构的形成方法，其中，半导体结构，包括：基底，以及导电通道结构，导电通道结构包括：第一导电通道层包括第一导电沟道以及位于第一导电沟道两端的第一掺杂区和第二掺杂区；第二导电通道层包括第二导电沟道以及位于第二导电沟道两端的第三掺杂区和第四掺杂区；导电缓冲层用于降低第一掺杂区和第三掺杂区之间的电干扰；第一导电层，位于基底上，并与第二掺杂区相接触；第二导电层，嵌套设置在导电通道结构上，且与第一掺杂区和第三掺杂区相接触；栅极结构，环绕第一导电沟道和第二导电沟道设置；本申请实施例提供一种垂直设置导电沟道的CFET结构，避免在导电沟道在水平方向上占用很大的面积。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构和半导体结构的形成方法-CN202110336399.0在审
发明人：张魁;李新;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体结构和半导体结构的形成方法，其中，半导体结构，包括：基底，以及导电通道结构，导电沟道结构包括：第一导电通道层包括第一导电沟道以及位于第一导电沟道两端的第一掺杂区和第二掺杂区；第二导电通道层包括第二导电沟道以及位于第二导电沟道两端的第三掺杂区和第四掺杂区；导电缓冲层用于降低第一掺杂区和第三掺杂区之间的电干扰；第一导线层，位于基底上，在第一方向上延伸，且与第二掺杂区相接触；第二导线层，在第二方向上延伸，且与第一掺杂区和第三掺杂区相接触；栅极结构，环绕第一导电沟道和第二导电沟道设置；本申请实施例提供一种垂直设置导电沟道的CFET结构，避免在导电沟道在水平方向上占用很大的面积。
半导体结构形成方法