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[发明专利]一种P型钝化接触太阳能电池片的扩散方法-CN202110576511.8有效
发明人：李跃;何悦;宋飞飞;贾松燕;赵颖 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种P型钝化接触太阳能电池片的扩散方法，所述扩散方法包括先后进行的正面磷扩散与背面硼扩散；所述正面磷扩散包括依次进行的扩磷预处理、扩磷前氧化、第一次通磷源、磷推进、第一次扩磷降温、第二次通磷源、第二次扩磷降温、第三次通磷源与扩磷后氧化；所述背面硼扩散包括依次进行的扩硼预处理、扩硼升温、第一次通硼源、第一次硼推进、第一次扩硼降温、第二次通硼源、第二次硼推进、第二次扩硼降温与扩硼后氧化。
一种钝化接触太阳能电池扩散方法

[发明专利]一种快速芯片薄片制备工艺-CN202211236720.9在审
发明人：罗军;叶斌 -专利权人：新县锝福矽晶电子有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明涉及芯片薄片制备领域，特别是一种快速芯片薄片制备工艺，其特征在于，所述制备方法至少包括一下步骤：步骤一：磷扩散，具体为：选择片厚在180‑260 um之间，阻值在5‑40Ω之间的单晶硅研磨片，对选择的单晶硅研磨片进行表面清洗，之后对单晶硅研磨片磷面附磷纸、附中性纸，之后对芯片进行装舟并在加热炉中进行高温扩磷得到扩磷片，步骤二：吹砂，具体为：将步骤一得到的扩磷片出炉降温后泡酸分片，分片之后清洗烘干，单面（即附中性纸面）吹砂2步骤三：硼扩散，步骤四：扩铂，具体为：对步骤三中的扩硼片出炉后进行分片，之后清洗硼面并对硼面吹砂一遍，之后清洗烘干并进入扩铂间进行涂铂源。
一种快速芯片薄片制备工艺

[发明专利]一种IBC电池的制备方法以及IBC电池-CN202011409440.4在审
发明人：杨慧;邓伟伟;蒋方丹 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种IBC电池的制备方法以及IBC电池，所述制备方法包括：(1)双面制绒、(2)磷扩吸杂、(3)双面去PSG、(4)双面制绒、(5)双面磷扩、(6)背面抛光、(7)背面生长本征非晶硅层、(8)背面离子注入、(9)激光开窗和(10)后处理；所述磷扩吸杂为在磷扩管中，通入磷源和氧气，800℃～920℃运行10min～20min，进行吸杂处理；背面离子注入为在硅片背面的本征非晶硅层表面用离子注入方式引入硼元素，随后用图案掩膜，在图案镂空区域离子注入磷元素；激光开窗为利用激光在离子注入硼区域和离子注入磷区域的交界处开窗，将P区与N区隔离开。
一种 ibc 电池制备方法以及

[发明专利]一种掺磷吸杂方法-CN200710056293.5有效
发明人：刘广海;王修中;黄光波;穆新宇 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2007-11-09 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：一种掺磷吸杂方法，涉及一种在半导体器件制造过程中通过掺磷实现吸杂目的的方法，属于半导体器件制造技术领域。本发明是这样实现的，硅片经过硼扩散工步形成基区，在硅片正面做掺杂磷预扩，再在硅片背面做吸杂磷预扩，最后做磷主扩，吸杂掺磷的浓度高于掺杂掺磷的浓度。其效果在于在保证吸杂效果的前提下，简化了工艺。
一种掺磷吸杂方法

[实用新型]一种超快恢复二极管-CN201720838671.4有效
发明人：张淑云 -专利权人：天津天物金佰微电子有限公司
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本实用新型提供一种超快恢复二极管，包括扩磷层、单晶研磨片、扩硼层、金层、雕刻槽和镀银层，所述单晶研磨片的正面和背面分别与所述扩硼层和所述扩磷层相连，所述扩磷层通过所述金层与所述镀银层相连，所述扩硼层通过所述金层与所述镀银层相连
镀银层金层扩磷层扩硼层超快恢复二极管本实用新型二极管研磨片单晶雕刻生产周期生产效率生产成本背面

[发明专利]一种发光二极管原材料加热磷扩装置-CN202111217214.0在审
发明人：陆海;李崇华 -专利权人：安徽元晔光电有限责任公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： B01D53/68 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管原材料加热磷扩装置，涉及发光二极管技术领域。一种发光二极管原材料加热磷扩装置，包括调节组件，所述调节组件的内部设置有转动杆。该发光二极管原材料加热磷扩装置，通过抽气管抽取中和腔内部的气体，此时气体中的三氯氧磷反复撞击斜板分离掉落回磷扩装置中继续使用，喷头喷出的氨水可以对中和腔的内部进行喷淋使得三氯氧磷被中和稀释，从而达到了降低磷扩散时生成的三氯氧磷提高资源利用率便于节能环保的效果排出的废水会带动涡轮转动，转动转动杆，此时喷淋管带动喷头转动的速度发生改变，从而达到了有效提高氨水中和三氯氧磷的效率、便于调节氨水的扩散速度，提高中和过程中氨水利用率的效果。
一种发光二极管原材料加热装置

[发明专利]一种用于稳压管制造的扩散工艺及其扩散设备-CN202210330077.X有效
发明人：王黎明 -专利权人：江苏晟驰微电子有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于稳压管制造的扩散工艺，包括以下工作步骤：步骤一：扩散前处理；步骤二：磷预扩处理；步骤三：背面化腐；步骤四：背面补硼；步骤五：磷主扩处理；步骤六：沟槽光刻；步骤七：电泳钝化；步骤八：金属光刻本发明通过特殊的磷预扩和主扩散工艺降低动态电阻，针对市场应用的特点，低中压选用专用合适的P型衬底新材料，使用特殊预扩和主扩散工艺降低动态电阻提升良率。
一种用于稳压制造扩散工艺及其设备

[发明专利]一种软段改性后扩链阻燃水性聚氨酯及其制备方法-CN201510822715.X在审
发明人：罗运军;柴春鹏;林嘉伦;吴刚;葛震 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C08G18/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种软段改性后扩链阻燃水性聚氨酯及其制备方法。属于阻燃材料领域。本发明以聚醚或聚酯多元醇，二异氰酸酯，亲水性扩链剂为原料，在使用含磷多元醇进行软段改性的基础上，以含磷二胺类阻燃剂作为扩链剂进行后扩链，合成了软段改性后扩链阻燃水性聚氨酯。
一种改性后扩链阻燃水性聚氨酯及其制备方法

[发明专利]一种N型双面电池的制造方法-CN201610514814.6有效
发明人：杨洁;福克斯·斯蒂芬;蒋方丹;金浩;黄纪德;王东;王金艺 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种N型双面电池的制造方法，包括对硅片进行清洗和表面制绒；在所述硅片的正面和背面进行硼扩散，形成正面硼扩层和背面硼扩层，所述正面硼扩层的表面为硼硅玻璃；在所述硅片的正面制备SiNx掩膜；刻蚀掉所述SiNx掩膜和所述背面硼扩层；利用所述硼硅玻璃对所述硅片正面形成保护，在所述硅片的背面进行磷扩散，形成背面磷扩层，所述背面磷扩层的表面为磷硅玻璃；刻蚀掉所述硼硅玻璃和所述磷硅玻璃；在所述硅片的正面和背面制备
一种双面电池制造方法

[发明专利]NMOS管及其制造方法-CN201811267166.4在审
发明人：陈品翰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种NMOS管，包括：在硅衬底的表面形成有P阱；在P阱表面形成有栅极结构；在栅极结构的两侧形成有凹槽；在凹槽中嵌入式外延层，嵌入式外延层包括：硅种子层，硅磷主体层，位于硅磷主体层和硅种子层之间的硅磷缓冲层，突出到凹槽顶部的硅盖帽层；硅磷主体层具有磷重掺杂的结构，硅磷缓冲层具有磷轻掺杂的结构；磷轻掺杂的硅磷缓冲层用于减少嵌入式外延层的磷向周侧的P阱中外扩的数量从而减少并防止外扩的磷对的沟道的影响。
硅磷缓冲层嵌入式外延层主体层栅极结构轻掺杂种子层短沟道效应凹槽顶部表面形成硅盖帽层硅衬底稳定度重掺杂沟道外扩制造

[发明专利]一种超支化共混软硬段共改性后扩链阻燃水性聚氨酯-CN201710223384.7在审
发明人：罗运军;董承昊;柴春鹏;张博文 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： C08L75/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种超支化共混软硬段共改性后扩链阻燃水性聚氨酯，属于阻燃材料领域。将大分子多元醇脱水后加入亲水性扩链剂和二异氰酸酯反应，再加入含磷多元醇大分子，再加入含磷多元醇小分子，然后加入成盐剂A得到预聚体；向预聚体加水，加完水加含磷二胺扩链剂的丙酮/丁酮/N‑甲基吡咯烷酮溶液，所述水性聚氨酯通过软、硬段阻燃共改性提升了阻燃性能且无卤环保；通过后扩链改性提升了阻燃性能且改善了力学性能、稳定性提高；通过AWHBPU与后扩链阻燃水性聚氨酯共混，进一步改善了力学性能及稳定性。
一种超支化共混软硬改性后扩链阻燃水性聚氨酯

[发明专利]一种提高硅片性能的方法-CN201510973553.X有效
发明人：王道强;陈宏胤 -专利权人：扬州虹扬科技发展有限公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高硅片性能的方法，主要由以下步骤构成：原硅片清洗、排磷纸、磷扩、分片、单面喷砂、涂硼前清洗、涂硼、硼扩、硼分片、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、镍烧结、二次镀镍，本发明利用中性纸在排磷纸工序中不同功能的使用以及泡沫垫在分片站的使用
一种提高硅片性能方法

[发明专利]一种高阻燃水性聚氨酯及其制备方法-CN202010833585.0在审
发明人：张义;张俊学 -专利权人：上海蒂姆新材料科技有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C08G18/66 文献下载
摘要：本发明将不含磷多元醇与特定的式(1)含磷多元醇、式(2)所示含磷稳定剂及多异氰酸酯反应形成预聚物，乳化后，与含磷扩链剂反应，形成水性聚氨酯。采用式(1)含磷多元醇向聚氨酯分子链的软段引入含膦基团，成为水性聚氨酯结构单元的一部分，使之在不添加阻燃剂的情况下即具有阻燃性；采用式(2)所示含磷稳定剂可促进含膦水性聚氨酯的乳化，并解决扩链后乳液不稳定的问题而且，本发明水性聚氨酯的软段、稳定剂及扩链剂均引入含膦基团，极大提高了阻燃性能，同时特定含磷结构的引入也增强了水性聚氨酯的粘结力。
一种阻燃水性聚氨酯及其制备方法

[发明专利]Topcon电池制备方法、Topcon电池及去绕镀槽式清洗机-CN202210353011.2在审
发明人：吴帅;张鹏程;张东威;陈晨;袁陨来;叶枫;王建波;吕俊 -专利权人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：Topcon电池制备方法、Topcon电池及去绕镀槽式清洗机，涉及太阳能光伏技术领域，该方法先提供硅片，该硅片包括正面和与正面相对的背面，以及连接正面和背面的侧面，再在正面制备硼掺杂层，在背面制备隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层，在制备隧穿氧化层的过程中形成绕镀在侧面的隧穿氧化层，以及在制备磷掺杂多晶硅层的过程中形成绕镀在侧面的隧穿氧化层外由外向内的磷硅玻璃层、磷掺杂多晶硅层和位于所述侧面穿过所述遂穿氧化层的磷内扩层；去除绕镀的磷硅玻璃层、磷掺杂多晶硅层和隧穿氧化层后，再采用臭氧、氢氟酸的混合溶液对硅片进行清洗，能够继续刻蚀硅片边缘，有效去除磷内扩层，降低边缘磷过扩浓度，提升正面钝化效果，避免漏电问题。
topcon 电池制备方法去绕镀槽式清洗

[发明专利]一种阻燃和紫外屏蔽水性聚氨酯及其制备方法-CN202310072840.8在审
发明人：张先明;周杰;张涛;徐豫松;江长明;高亚辉 -专利权人：现代纺织技术创新中心（鉴湖实验室）
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C08G18/66 文献下载
摘要：由二异氰酸酯、多元醇、含磷氮阻燃和紫外屏蔽功能单体、扩链剂和亲水扩链剂聚合而成；方法是将对氨基酚、2，4‑二羟基苯甲醛反应得到芳香族中间体；将芳香族中间体、9，10‑二氢‑9‑氧杂‑10‑磷杂菲‑10‑氧化物反应得到含磷氮阻燃和紫外屏蔽功能单体；将二异氰酸酯、多元醇、亲水扩链剂反应，加入含磷氮阻燃和紫外屏蔽功能单体和扩链剂，加入丙酮，继续反应得到预聚体；将预聚体降温，中和剂中和，倒入去离子水，搅拌，去除丙酮
一种阻燃紫外屏蔽水性聚氨酯及其制备方法

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