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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]在纳米固态材料中受控地制作纳米孔-CN201280023390.3有效
发明人： C.J.鲁索;J.A.戈洛夫钦科;D.布兰顿 -专利权人：哈佛大学校长及研究员协会
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：在纳米材料中形成纳米孔的方法，在纳米材料的侧边缘内部的位置上如下来形成纳米孔成核位置：将选自离子束和中性原子束的第一能量束引导到该内部位置持续第一持续时间，其施加了第一束剂量，这导致从该内部位置上除去不超过5个内部原子以在该内部位置处产生具有多个边缘原子的纳米孔成核位置。然后通过将选自电子束、离子束和中性原子束的第二能量束引导到该纳米孔成核位置来在该纳米孔成核位置上形成纳米孔，该第二能量束具有除去该纳米孔成核位置上的边缘原子但是不从该纳米材料中除去体原子的束能量。
纳米固态材料受控制作

[发明专利]一种钙钛矿微/纳米线的制备方法-CN201811366238.0有效
发明人：张晓伟;蒋宇;王戈 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明提供的制备方法包括以下步骤：将钙钛矿形成原料与极性溶剂混合，得到钙钛矿前驱体溶液；将所述钙钛矿前驱体溶液滴涂在基底上，用激光照射所需成核位置进行成核，然后生长得到钙钛矿微/纳米线。本发明以激光诱导钙钛矿前驱体溶液成核，使成核位置得到精准控制，实现了在所指定区域快速成核，为快速可控生长钙钛矿微/纳米材料提供基础。
钙钛矿前驱体溶液纳米线制备成核位置成核有机无机杂化材料制备技术领域激光诱导激光照射极性溶剂精准控制可控生长快速成核纳米材料滴涂基底生长

[发明专利]减少堆垛层错成核位置的顺序光刻方法和具有减少的堆垛层错成核位置的结构-CN200580008606.9有效
发明人： C·哈林;H·伦登曼;J·J·舒马克里斯 -专利权人：克里公司
申请日： 2005-02-14 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：通过在具有朝向结晶方向的离轴取向的碳化硅衬底的表面上形成第一特征可制作外延碳化硅层。第一特征包括取向不平行于即倾斜或垂直于结晶方向的至少一个侧壁。接着，在其中包括第一特征的碳化硅衬底的表面上生长第一外延碳化硅层。接下来，在第一外延层上形成第二特征。第二特征包括取向不平行于结晶方向的至少一个侧壁。然后，在其中包括第二特征的第一外延层的表面上生长第二外延碳化硅层。
减少堆垛成核位置顺序光刻方法具有结构

[发明专利]金属连线的制作方法及半导体器件-CN201510089967.6有效
发明人：何朋;蒋剑勇;张冠群 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：其中，该制作方法包括：在半导体基体上形成具有通孔的介质层；通过溅射沉积在通孔的内壁上形成金属成核层；以及在通孔中的金属成核层上填充形成金属主体层，且金属成核层和金属主体层构成金属连线。由于溅射工艺中金属具有随着沉积时间逐渐上升的成核速率，从而使沉积形成的金属成核层能够均匀地覆盖于通孔中，同时也提高了通孔内金属成核层的沉积量；并且由于最终的成核速率够接近或达到金属主体层的成核速率，从而使金属成核层能够更好的与金属主体层结合，进而使最终形成的金属连线能够更充分地填充到位于晶圆不同位置上的通孔中，并且使得金属连线与通孔之间具有良好的粘结性。
金属连线制作方法半导体器件

[发明专利]一种通过控制成核制备大面积石墨烯单晶的装置及方法-CN201510735787.0在审
发明人：李雪松 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于薄膜的大面积单晶的合成，具体为一种通过控制成核制备大面积石墨烯单晶的装置及方法，该装置包括CVD反应室、反应气体管理系统、排气管理系统及热源；所述CVD反应室顶部设置有反应气体入口管、底部设置有排气管，反应气体管理系统连接入口管、排气管理系统连接排气管，其特征在于，所述CVD反应室底部还设有基板支撑、顶部还设有成核控制器，所述成核控制器连接入口管、悬挂于基板支撑上方，成核控制器由一石英管与一石英盘焊接构成，所述石英管连接反应气体入口管，所述石英盘中心处开设有成核孔。本发明采用特有的成核控制器的设计，能够准确的控制石墨烯的成核位置及数量，从而制备大面积的石墨烯单晶。
一种通过控制成核制备大面积石墨烯单晶装置方法

[发明专利]一种异位成核的双层MoS2-CN202210992813.8在审
发明人：周喻;李成;范秀莲;邹路玮 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B22F1/054 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料领域，公开了一种异位成核的双层二硫化钼纳米片及其制备方法。其采用三氧化钼、硫粉为前驱体，氯化钠为助熔剂，使用惰性气体氩气作为载气，在一定温度下反应。本发明通过简单方法引入对生长条件的扰动，即利用衬底硅片的特定倾角调控衬底表面气流方向以及局域反应剂浓度的变化，在加热和保温过程中，顶层二硫化钼的成核位点偏离底层二硫化钼的成核位点，形成了偏离底层中心成核点的双层堆叠方式在未引入扰动的生长条件下，双层二硫化钼纳米片为同位成核生长。本发明可制备异位成核生长的双层二硫化钼纳米片，有效地减少热力学稳定的双层堆垛方式，实现对双层纳米片成核位置的调控，制备方法简单可行。
一种成核双层 mos base sub

[发明专利]金刚石在碳化硅衬底上成核密度周期性调制方法-CN202111326033.1有效
发明人：彭燕;胡秀飞;王希玮;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种金刚石在碳化硅衬底上成核密度周期性调制方法，通过在碳化硅衬底的碳面或硅面上制备凹槽。将制备有凹槽的碳化硅衬底放置在CVD设备的生长腔内，通入反应气体和辅助气体进行金刚石颗粒的生长，最后，生长至预设时间后，将所述碳化硅衬底从所述生长腔内取出，观察所述凹槽的底部、侧壁以及外部的金刚石颗粒形貌和成核密度基于在金刚石颗粒生长过程中，处于凹槽不同的位置接触到等离子体有差异，使得凹槽不同位置的金刚石颗粒成核密度的差异，进而实现金刚石颗粒在碳化硅衬底上成核密度周期性调制。
金刚石碳化硅衬底成核密度周期性调制方法

[发明专利]一种接触孔结构的制作方法-CN201910210565.5有效
发明人：赵波 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触孔结构的制作方法，所述方法包括依次在接触孔内形成硅层、钨成核层和钨主体层，以对所述接触孔进行填充，其中，所述钨成核层通过多个循环反应形成，更有利于控制最终形成的所述钨成核层的形貌，不会出现在接触孔顶部的位置形成的钨成核层较厚而导致接触孔的开口过小不利于后续填充的情况
一种接触结构制作方法

[发明专利]由气相沉积进行有机分子选区生长的普适方法-CN200780045394.0无效
发明人：哈勒德·福克斯;迟力峰;王文冲;钟定永 -专利权人：北莱茵法威廉明斯特大学
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：其包括：在基底上形成有机分子的成核位置的图案，由气相沉积使有机分子在成核位置上生长。还提供了基于此方法制作的基于有机材料的器件。此方法提供了涂层技术或半导体制造领域中已知方法的另一种途径。
沉积进行有机分子选区生长方法

[实用新型]一种成核剂固废干燥装置-CN202020631974.0有效
发明人：张文龙;王艳丽 -专利权人：上海聚朴新材料科技有限公司;朴蓝聚烯烃科技发展（上海）有限公司;龙朴科技（舟山）有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： F26B11/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种成核剂固废干燥装置，包括罐体，所述罐体的顶端安装有顶盖，所述顶盖表面的中心位置处安装有气缸，所述气缸贯穿顶盖底端处连接有横杆。本实用新型通过设置横杆、水蒸气导排管和隔离罩，隔离罩位于水蒸气导排管最端，且上下两端均为锥面结构，表面排布有密集的小孔，由于内部为镂空结构，当水蒸气导排管插在成核剂固废的底端时，受热的成核剂固废由于水蒸气的蒸发，温度上升，逐渐干燥，其中一部分热气带着水蒸气沿着成核剂固废的间隙向上排出，而另一部分可以进入隔离罩，并从水蒸气导排管排出，降低水蒸气在成核剂固废中的流动量，避免成核剂固废堆置过多，间隙较小，水蒸气排出困难
一种成核剂固废干燥装置

[实用新型]一种接触式置核的冻存管-CN202121514199.1有效
发明人：刘威;黄智勇;赵鸿莲 -专利权人：上海原天生物科技有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B65D81/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种接触式置核的冻存管，包括管体和管盖，管体的外壁上设置有高导热的合金模块，通过液氮预冷的镊子接触合金模块实现冰晶成核，不同的样品和温度情况下合金模块的设置位置不同。本实用新型在管体上设置的合金模块可以强化管体的热传导能力，以合金模块作为冰晶成核点，使用液氮预冷的镊子接触冻存管上的合金模块，镊子的低温通过合金模块直接传导到管内液体，并在管内液体的局部引发冰晶成核，从而可以控制冻存细胞的冰晶成核温度以及时间
一种接触式置核冻存管

[发明专利]在具有受控界面特性和扩散尾的第Ⅳ族衬底上制造半导体器件的方法-CN200780029521.8有效
发明人：诺贝特·皮茨;西蒙·法法德;约瑟夫·勒内·布鲁诺·瑞尔 -专利权人：瑟雷姆技术公司
申请日： 2007-07-19 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：所述器件包括在Ge衬底上的AlAs成核层。所述第IV族衬底包含p-n结，在含As层的外延生长期间其特性的改变通过AlAs成核层得到最小化。所述AlAs成核层提供器件的改善的形态以及一种手段，以通过扩散As和/或P来控制p-n结位置接近第IV族衬底表面和通过最小化第IV族元素的扩散来控制p-n结位置接近第III/V族结构的底部。
具有受控界面特性扩散衬底制造半导体器件方法

[发明专利]粉末催化剂-CN202010263141.8有效
发明人：林德仁 -专利权人：凯德利斯特国际有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B01J23/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种粉末催化剂，主要是由一金属氧化物、复数个大单位铂族金属以及复数个小单位铂族金属所构成；该金属氧化物在表面上形成有多数个均匀分散的成核位置；该大单位铂族金属形成于该成核位置的其中之一上，其平均粒径在0.48纳米至0.7纳米之间；该小单位铂族金属形成于未被黏附的该成核位置的其中之一上，其平均粒径在0.26纳米至0.48纳米之间，且该小单位铂族金属的比例为相对于该大单位铂族金属及该小单位铂族金属的总量而言为20重量％以下，该小单位铂族金属有助于增加该金属氧化物的成核数与比表面积，使形成致密的比表面积为300m2/g至500m2
粉末催化剂

[发明专利]一种定位制备石墨烯薄膜的方法-CN201510195619.7有效
发明人：徐明生;梁涛 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种定位制备石墨烯薄膜的方法，适于在衬底的特定位置制备高质石墨烯薄膜。本发明使用诱导剂诱导石墨烯薄膜在衬底得特定位置成核与生长，包括使衬底暴露在诱导剂的气氛中或者使衬底含有诱导剂，然后采用本领域的技术方法如化学气相沉积方法或碳偏析法在衬底的特定位置制备石墨烯薄膜。本发明采用诱导剂触发、诱导石墨烯薄膜在衬底上成核和生长；通过这种诱导性而在衬底上实现优先成核和生长，从而达到石墨烯薄膜在衬底上的定位制备。本发明采用的诱导剂简单、安全、可靠、简单易行。
一种定位制备石墨薄膜方法

[发明专利]复合三维成核层及其制备方法、外延片及发光二极管-CN202310602441.8有效
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种复合三维成核层及其制备方法、外延片及发光二极管，该复合三维成核层包括：包括二维成核准备层、层叠在所述二维成核准备层上的成核点层、包裹在所述成核点层上的第一三维成核层、以及层叠在所述第一三维成核层上的第二三维成核层；其中，所述二维成核准备层为AlN层，所述成核点层为In成核点层，所述第一三维成核层为AlInGaN层，所述第二三维成核层为GaN层。本发明解决了现有技术中的外延片由于GaN三维成核层成核密度及后成核层合并所形成的位错密度不好控制而导致发光效率低的问题。
复合三维成核及其制备方法外延发光二极管

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