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[发明专利]半导体结构与微型半导体显示设备-CN201910645761.5在审
发明人：杨翔甯;吴志凌;苏义闵;吴柏威 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构与微型半导体显示设备，所述半导体结构包括一基板、多个微型半导体组件以及一固定结构。微型半导体组件设置于基板上。固定结构设置于基板与微型半导体组件之间。导电层设置于微型半导体组件的下表面上。支撑层连接于导电层与基板。导电层的材料与支撑层的材料不同。
半导体结构微型显示设备

[实用新型]一种微型半导体芯片及光掩膜版-CN202020110840.4有效
发明人：王泰和;张国政 -专利权人：厦门凌阳华芯科技有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请公开了一种微型半导体芯片及光掩膜版，其中，该微型半导体芯片包括半导体基板、设置在半导体基板上的集成电路，其中：集成电路中包含设置在第一信号引脚位置处且包含有第一预设特征标识、用于通过第一预设特征标识对微型半导体芯片进行定位的第一凸块本申请公开的上述技术方案，利用微型半导体芯片中所包含的集成电路中的第一引脚位置处的第一凸块包含的第一预设特征标识来对微型半导体芯片进行定位，而无需再设置专门的区域来制备金属层以构建对位键来对微型半导体芯片进行定位，从而降低微型半导体芯片自身的面积，并提高微型半导体芯片的可利用区域的占比。
一种微型半导体芯片光掩膜版

[发明专利]微型半导体制冷片老化夹具及加电和温度采集的方法-CN202211439290.0有效
发明人：李伟;曹然 -专利权人：镭神技术（深圳）有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本申请涉及微型半导体制冷片老化夹具及老化测试过程加电和温度采集的方法，加电部件与底座部件通过连接件连接；TEC定位板用于定位放置待测试的微型半导体制冷片，以使夹具底板紧密贴合微型半导体制冷片的热面；用于监控热面的温度；加电部件分别与温度监控PCB板及微型半导体制冷片接触。有利于快速装夹待测试的微型半导体制冷片，适用于各种规格微型半导体制冷片产品加电、冷面的温度监控及热面的温度监控，尤其适合尺寸较小的无论是否带线的微型半导体制冷片，还能通过加电部件为微型半导体制冷片的老化测试装置提供端口，从而实现了兼容性较佳的多规格微型半导体制冷片老化测试过程加电和温度采集。
微型半导体制冷老化夹具温度采集方法

[发明专利]复合式微型发光二极管、显示面板、及电子设备-CN201980004330.9有效
发明人：陈靖中 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合式微型发光二极管,该复合式微型发光二极管包括第一微型发光二极管和第二微型发光二极管；第一微型发光二极管包括第一半导体层、第二半导体层以及第一量子阱层；第二微型发光二极管包括第三半导体层、第四半导体层以及第二量子阱层；第一半导体层和所述第四半导体层具有第一极性，第二半导体层和第三半导体层具有第二极性；第二半导体层和第三半导体层材质相同，第二半导体层和第三半导体层结合于一起以使得第一微型发光二极管和第二微型发光二极管结合于一起
复合式微发光二极管显示面板电子设备

[实用新型]一种光伏组件、微型变流器、半导体制冷器的组合装置-CN200920180532.2有效
发明人：严红日;郑周;冯士芬 -专利权人：合肥聚能新能源科技有限公司
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H02N6/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光伏组件、微型变流器、半导体制冷器的组合装置，包括光伏组件、半导体热电制冷器、微型变流器，半导体热电制冷器安装在微型变流器外壳内，微型变流器的外壳底部外表面与光伏组件表面固定连接，半导体热电制冷器的热端固定在微型变流器的外壳底部内表面上，半导体热电制冷器的冷端与微型变流器的电路基板固定连接。本实用新型提供的一种光伏组件、微型变流器、半导体制冷器的组合装置，通过引入微型变流器使光伏组件彼此独立输出，从而有效解决光伏系统中光伏组件不匹配以及遮挡问题；通过在微型变流器内部加入半导体热电制冷器主动将热量散出，有效解决因温度升高散热不理想造成的微型变流器转换效率低下问题。
一种组件微型变流器半导体制冷组合装置

[发明专利]显示面板及其制作方法、显示设备-CN201710556199.X在审
发明人：王质武 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种显示面板及其制作方法，包括微型发光二极管及与所述微型发光二极管电连接的薄膜晶体管。所述微型发光二极管包括N型半导体及P型半导体。所述P型半导体靠近所述薄膜晶体管，所述N型半导体设于P型半导体背向薄膜晶体管的一侧。通过等离子体表面处理工艺将所述N型半导体背向所述P型半导体的一面进行粗化。由于所述N型半导体的厚度大于所述P型半导体的厚度，因此，对所述N型半导体进行粗化时，不会影响所述N型半导体材料的晶体质量，进而实现了增加出光效率的同时，减少所述微型发光二极管的漏电流。
显示面板及其制作方法设备

[发明专利]用于微型半导体芯片的湿式对准方法和显示器转移结构-CN202110776512.7在审
发明人：黄京旭;黄俊式 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供用于微型半导体芯片的湿式对准方法和显示器转移结构。用于微型半导体芯片的湿式对准方法包括：将液体供应到包括多个凹槽的转移基板；将微型半导体芯片供应到转移基板上；通过使用能够吸收液体的吸收体扫描转移基板。根据湿式对准方法，微型半导体芯片可以被转移到大面积上。
用于微型半导体芯片对准方法显示器转移结构

[实用新型]带半导体收音机的冬季耳帽-CN201020595322.2无效
发明人：汪洋 -专利权人：汪洋
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： A61F11/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带半导体收音机的冬季耳帽，包括耳帽、挂钩、微型半导体收音机和耳塞机导线，挂钩设在耳帽外侧，用于挂微型半导体收音机，耳塞机设在耳帽内，耳塞机导线插在微型半导体收音机上。本实用新型的结构简单，使用方便，冬季外出时，戴上耳帽，既能保暖又能听音乐，不仅可以挂微型半导体收音机，还可以挂mp3。
半导体收音机冬季

[发明专利]微型半导体元件结构-CN201811474667.X在审
发明人：吴志凌;刘应苍;陈培欣;史诒君;陈奕静;李玉柱;张桓仆;罗玉云;苏义闵;林子旸;赖育弘 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明实施例揭示微型半导体元件结构。在一些实施例中，微型半导体元件结构可包括基板、设置于基板上方的多个微型半导体元件以及设置于基板及微型半导体元件之间的多个第一支撑层。微型半导体元件各自具有一第一电极及一第二电极，其设置于该些微型半导体元件的下表面上，其中该下表面包含一区域，其中该区域在该第一电极与该第二电极之间。
微型半导体元件结构

[发明专利]微型半导体结构及其制造方法-CN202010894052.3在审
发明人：吴柏威;杨翔甯;罗玉云;史诒君 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种微型半导体结构及其制造方法，其中微型半导体结构包含一基板、一解离层、一保护层及一微型半导体。解离层位于基板的一侧，保护层位于基板两侧中的至少一侧，微型半导体位于基板两侧中与解离层相同的一侧。借此，保护层可在激光解离工艺中避免微型半导体受激光光源照射而产生异常或损坏。
微型半导体结构及其制造方法

[实用新型]一种微型发光二极管及微型发光二极管显示器-CN202122614287.5有效
发明人：戴广超;马非凡;曹进;张雪梅;康志杰 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微型发光二极管及微型发光二极管显示器，且所述微型发光二极管至少包括：衬底；半导体外延结构，设置在所述衬底上，且包括依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，设置在所述半导体外延结构上，且与所述第一半导体层连接；第二电极，设置在所述半导体外延结构上，且与所述第二半导体层连接；保护层，设置在所述半导体外延结构上，且与所述第一电极和所述第二电极接触；以及蚀刻阻挡层，设置在所述保护层内。通过本实用新型提供的一种微型发光二极管及微型发光二极管显示器，可提高微型发光二极管的转移良率。
一种微型发光二极管显示器

[发明专利]微型发光二极管结构与使用其的微型发光二极管显示设备-CN202011363487.1有效
发明人：赖育弘;罗玉云 -专利权人：錼创显示科技股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：提供一种微型发光二极管结构。微型发光二极管结构包含一第一型半导体层。微型发光二极管结构也包含一发光层，发光层设置于第一型半导体层之上。微型发光二极管结构还包含一第二型半导体层，第二型半导体层设置于发光层之上。此外，微型发光二极管结构包含一第一电极与一第二电极。在微型发光二极管结构的上视图中，发光层与第二型半导体层定义一台面区，台面区的面积小于第一型半导体层的面积。台面区裸露第一型半导体层的一第一顶表面且第一顶表面环绕台面区。
微型发光二极管结构使用显示设备

[发明专利]微型发光二极管-CN201610133692.6有效
发明人：陈立宜;张佩瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型发光二极管，其包含第一型半导体层、第二型半导体层、第一边缘隔离结构、第一电极以及第二电极。第二型半导体层连接第一型半导体层。第一边缘隔离结构连接第一型半导体层。第一电极电性耦接第一型半导体层。第一型半导体层的边缘在第一电极上的垂直投影的至少一部分与第一电极重叠。第一边缘隔离结构位于第一型半导体层的至少一部分上。第二电极电性耦接第二型半导体层。借此，本发明的微型发光二极管，可减少发生在微型发光二极管的侧表面的非辐射复合，从而增加微型发光二极管的效率。并且，微型发光二极管的漏电流可被减少，有助于微型发光二极管继续微型化。
微型发光二极管第一型半导体层第一电极第二型半导体层第二电极隔离结构电性耦接非辐射复合微型化垂直投影侧表面漏电流透明的

[发明专利]微型发光二极管-CN201510824610.8无效
发明人：陈立宜;张珮瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型发光二极管，其包含第一型半导体层、第二型半导体层、第一边缘隔离结构、第一电极以及第二电极。第二型半导体层连接第一型半导体层。第一边缘隔离结构连接第一型半导体层。第一电极电性耦接第一型半导体层。第一型半导体层的边缘在第一电极上的垂直投影的至少一部分与第一电极重叠。第一边缘隔离结构位于第一型半导体层的至少一部分上。第二电极电性耦接第二型半导体层。借此，本发明的微型发光二极管，可减少发生在微型发光二极管的侧表面的非辐射复合，从而增加微型发光二极管的效率。并且，微型发光二极管的漏电流可被减少，有助于微型发光二极管继续微型化。
微型发光二极管

[发明专利]微型发光二极管装置与其制造方法-CN201510348793.0有效
发明人：林宗毅;张正杰 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种微型发光二极管装置及其制造方法，该微型发光二极管装置包含第一半导体层、主动层以及第二半导体层。第一半导体层具有第一底面。主动层设置于第一半导体层上。第二半导体层具有第二底面，并设置于主动层上。第二半导体层相对主动层的表面为微型发光二极管装置的出光面。第二半导体层具有不同的厚度，其中第二半导体层的厚度中的最小者位于第二半导体层的边缘或第二半导体层的至少一侧边。第一半导体层、主动层以及第二半导体层垂直投影至第一底面的范围实质上相同。本发明通过使第二半导体层厚度中的最小者位于边缘或至少一侧边，可以使光线于微型发光二极管装置内部发生全反射的机率有效被降低。
微型发光二极管装置与其制造方法

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