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[发明专利]Si衬底上GeSn及Ge雪崩光电二极管及其制造方法-CN202210718214.7在审
发明人：亨利·H·阿达姆松;苗渊浩 -专利权人：广州诺尔光电科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：一种Si衬底上GeSn/Ge雪崩光电二极管，包括由下至上依次堆叠的：下部掺杂硅区，本征硅倍增层，中间掺杂硅层，本征锗吸收层，本征锗锡吸收层，上部掺杂锗锡层，其中，所述本征锗吸收层、本征锗锡吸收层和上部掺杂锗锡层中的至少上部掺杂锗锡层为黑锗锡；所述下部掺杂硅层和所述上部掺杂锗锡层还分别连接有电极。
si 衬底 gesn ge 雪崩光电二极管及其制造方法

[发明专利]集成加热型锗波导热光调制器结构及其制备方法-CN201910526911.0有效
发明人：郑军;牛超群;刘智;左玉华;薛春来;成步文 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成加热型锗波导热光调制器结构及其制备方法，其结构包括：衬底；本征锗薄膜，位于所述衬底上；掺杂锗薄膜层，位于本征锗薄膜上；其中，所述本征锗薄膜和掺杂锗薄膜层组成的外延层上刻蚀有：第一锗波导、光分束器、第二锗波导、第三锗波导、光合束器和第四锗波导。
集成加热波导调制器结构及其制备方法

[发明专利]锗银复合材料及其在光电器件中的应用-CN201610216678.2有效
发明人：李伟;狄增峰;齐功民;张苗;母志强;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明提供一种锗银复合材料及其在光电器件中的应用，所述锗银复合材料包括本征锗及埋在所述本征锗中的银纳米颗粒。所述锗银复合材料可以通过离子注入法将银离子注入到本征锗中并退火得到。本发明可以利用银纳米颗粒的局域表面等离子体共振增强作用，以及纳米颗粒之间表面等离子体共振耦合排斥作用，调控共振增强峰位频率在近红外波段，从而增强锗在近红外波段的光电响应。通过控制纳米银颗粒在本征锗中的密度，可以有效的控制增强锗光电响应的频谱范围从可见光到近红外。
复合材料及其光电器件中的应用

[发明专利]一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法-CN202010652114.X有效
发明人：王磊;肖希;陈代高;胡晓;张宇光;李淼峰;余少华 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本申请涉及一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法，锗硅雪崩光电探测器包括埋氧层、底层、本征锗层、覆盖层、P电极和N电极，底层依次包括本征底层硅区，过渡底层硅区、倍增区、N型重掺杂底层硅区；本征锗层设于底层上；覆盖层覆盖于本征锗层上，覆盖层依次包括P型重掺覆盖层硅区、本征覆盖层硅区、过渡覆盖层硅区，过渡覆盖层硅区远离本征覆盖层硅区的一端与过渡底层硅区接触，以形成电荷过渡区；P电极与P型重掺覆盖层硅区相连；N本申请的锗硅雪崩光电探测器，不采用层叠结构，便于与其他功能元件集成，可大规模生产。
一种雪崩光电探测器及其制作方法

[发明专利]红外雪崩二极管阵列装置及形成方法、激光三维成像装置-CN201310754522.6在审
发明人：毛剑宏;韩凤芹 -专利权人：上海丽恒光微电子科技有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种红外雪崩二极管阵列装置及形成方法、激光三维成像装置，红外雪崩二极管阵列装置的形成方法包括：提供硅衬底；在所述硅衬底正面形成呈阵列排列的重掺杂P型硅区、位于P型硅区上的本征锗区、位于本征锗区上的重掺杂N型锗区；红外雪崩光电二极管包括所述P型硅区、所述本征锗区和所述N型锗区。重掺杂P型硅区、本征锗区以及重掺杂N型锗区都可以利用CMOS工艺形成，因此形成红外雪崩二极管阵列装置的方法可以和CMOS工艺兼容。
红外雪崩二极管阵列装置形成方法激光三维成像

[发明专利]一种Si衬底上Ge雪崩光电二极管及其制造方法-CN202210705577.7在审
发明人：亨利·H·阿达姆松;苗渊浩 -专利权人：广州诺尔光电科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：一种Si衬底上Ge雪崩光电二极管，包括由下至上依次堆叠的：下部掺杂硅区，本征硅倍增层，中间掺杂硅层，本征锗吸收层，上部掺杂锗层，其中，所述本征锗吸收层和所述上部掺杂锗层中的至少所述上部掺杂锗层为黑锗；所述下部掺杂硅层和所述上部掺杂锗层还分别连接有电极
一种 si 衬底 ge 雪崩光电二极管及其制造方法

[发明专利]一种双轴张应变锗硅量子阱调制器、集成光电子器件-CN202211154464.9在审
发明人：张意;王晨晟;刘班 -专利权人：华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所）
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L31/0312 文献下载
摘要：本发明涉及一种双轴张应变锗硅量子阱调制器，其材料外延结构由下往上依次包括：P型硅衬底、P型锗硅合金缓冲层、本征锗硅合金下隔离层、本征锗硅合金耦合量子阱层、本征锗硅合金上隔离层和N型锗硅合金盖层，所述本征锗硅合金耦合量子阱层包括多个对称耦合量子阱，每个对称耦合量子阱包括两个相同宽度的量子阱、一个中间薄壁垒和两个侧边壁垒；相邻两个对称耦合量子阱共用一个侧边壁垒区，且中间薄壁垒与侧边壁垒的锗硅合金组分相同。本发明公开了一种双轴张应变锗硅量子阱调制器，该调制器通过双轴张应变来调节实现预期的工作波段，同时对TE和TM偏振的光波具有相似的调制效果，实现偏振无关的光学调制。
一种双轴张应变量子调制器集成光电子器件

[发明专利]相变非易失性存储器及其加工方法-CN201010248140.2有效
发明人：三重野文健;庞军玲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-05 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种相变非易失性存储器的加工方法，包括以下步骤：成型出N型硅衬底，在该N型硅衬底上方成型出氧化硅层，在该氧化硅层中刻蚀出氧化硅凹槽；在氧化硅凹槽中的N型硅衬底上外延生长出本征沉积硅层；在本征沉积硅层上外延生长出p型沉积硅层；在p型沉积硅层上外延生长出锗化硅层；在锗化硅层上外延生长出另外一层本征沉积硅层；将外延生长出的本征沉积硅层刻蚀去除，使锗化硅层处于氧化硅凹槽中的最上一层；在锗化硅层上沉积出相变材料层。本发明的加工方法，使得在对本征沉积硅进行腐蚀去除的过程中，腐蚀结束本征沉积硅以后不再对锗化硅层进行腐蚀，从而也就避免了对所述锗化硅层下方的p型沉积硅层的过腐蚀。
相变非易失性存储器及其加工方法

[发明专利]硅锗探测器及其制备方法-CN202310485227.9在审
发明人：赵泽平;王鑫刚;王超权;刘建国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本公开提供一种硅锗探测器及其制备方法，涉及半导体器件领域，包括：硅沉底，依次叠设于硅沉底上的二氧化硅层以及硅波导；硅波导上形成有N型掺杂区、锗本征区以及P型掺杂区；其中，锗本征区设置于N型掺杂区以及P型掺杂区之间；N型重掺杂区，设置于N型掺杂区远离锗本征区的一侧；P型重掺杂区，设置于P型掺杂区远离锗本征区的一侧；电极，设置于N型重掺杂区以及P型重掺杂区上；电感，设置于电极之间，用于补偿在硅锗探测器中产生的电容效应本公开在光场和电场两方面优化了器件的带宽、响应度以及饱和输入特性，使硅锗探测器具有更优的综合性能以及更高的集成度。
探测器及其制备方法

[发明专利]一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件-CN201811529867.0有效
发明人：孙军强;张意 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件，包括：P型硅衬底、P型锗硅合金缓冲层、本征锗硅合金下隔离层、本征锗硅合金耦合量子阱层、本征锗硅合金上隔离层、N型锗硅合金盖层，本征锗硅合金耦合量子阱层由多个非对称耦合量子阱组成，单个非对称耦合量子阱由两个不同宽度的量子阱、一个中间薄壁垒、两个侧边壁垒组成，相邻两个非对称耦合量子阱共用一个侧边壁垒区，两个侧边壁垒的锗硅合金组分配比相同，中间薄壁垒的Ge含量必须低于所述两个侧边壁垒
一种量子阱电致折射率调制器集成光电子器件

[发明专利]高阻值电阻实现方法及高阻值电阻-CN201010027306.8有效
发明人：金锋 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种高阻值电阻实现方法，是在淀积完本征锗硅及介质层后，先使用基区锗硅光刻版，刻蚀介质层，然后刻蚀锗硅，形成需要的图形，之后再淀积发射极多晶硅层。本发明的高阻值电阻实现方法，利用本征杂质浓度的锗硅，上面生长介质层，然后再在上面覆盖多晶硅，无需使用金属化阻挡层光刻步骤以达到本征锗硅上不生长金属硅化物，无需使用额外注入层光刻步骤以达到高阻值电阻，工艺简单
阻值电阻实现方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710296140.1有效
发明人：宇佐美达矢 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：例如，形成Ge光电二极管的结构本体的p型锗层、本征锗层和n型锗层根据连续选择性外延生长来形成。具有开口部分的绝缘膜形成在SOI衬底的硅层上，并且本征锗层形成为从开口部分突出到绝缘膜上方。简而言之，通过使用具有开口部分的绝缘膜，本征锗层的截面形成为蘑菇形状。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]面入射型硅基锗光电探测器及其制备方法-CN202310756033.8在审
发明人：张晨;林炜熙;岳夫永;王磊;刘政通;陈震旻;贺志学 -专利权人：鹏城实验室
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种面入射型硅基锗光电探测器及其制备方法，该硅基锗光电探测器包括：下台面；位于下台面上表面的上台面，上台面包括由预设数目的结构单元周期性排列构成的超构结构；超构结构包括第一n型掺杂锗层和第一本征锗层；第一本征锗层设置在下台面的上表面；第一n型掺杂锗层设置在第一本征锗层的上表面。
入射型硅基锗光电探测器及其制备方法

[发明专利]本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池及其制备方法-CN200910244846.9无效
发明人：张建军;张丽平;倪牮;曹宇;王先宝;赵颖;耿新华 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池，包括透明衬底、透明导电薄膜、P型窗口层、本征层I、N+层、背反射电极和金属电极，本征层I为微晶硅锗薄膜；该微晶硅锗薄膜的制备方法包括下述步骤：1)将带有透明导电膜的玻璃衬底放在真空室内，本底真空高于2×10-4Pa；2)在向反应室通入反应气体硅烷、锗烷、氟化锗和氢气的条件下，沉积微晶硅锗薄膜。本发明的有益效果是：该硅基薄膜电池结构新颖；制备的微晶硅锗薄膜材料具有窄带隙、低缺陷、高光敏性的优点且制备工艺简单、容易操作、制造成本低；采用该材料的硅基薄膜电池可提高光谱响应范围、稳定性和转化效率。
微晶硅锗薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种锗硅三极管的制造方法以及锗硅三极管-CN201610961615.X有效
发明人：李风浪;李舒歆 -专利权人：上海微舵集成电路设计有限公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种锗硅三极管的制造方法以及锗硅三极管，本发明通过锗硅本征基区、P型多晶硅非本征基区、第二绝缘介质区同时沉积，同时刻蚀的方式简化工艺过程，同时发射区与本征基区的接触面积可以通过发射区与本征基区接触的厚度调节
一种三极管制造方法以及

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