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[发明专利]一种冬枣自动摆正上料去核机-CN202110240742.1在审
发明人：陈凯帝 -专利权人：陈凯帝
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： A23N4/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种冬枣自动摆正上料去核机，包括机座，所述机座后端上部设置有摆正上料机构，所述机座前端上部设置有去核机构，所述去核机构内部设置有枣核出料机构，所述去核机构前端设置有下料斜面，所述去核机构包括U形支撑架，所述U形支撑架左端设置有第一轴承，所述第一轴承内圈设置有上料滚筒，所述上料滚筒设置有空腔，所述上料滚筒外周面上矩阵设置有若干圆柱形凹槽，所述圆柱形凹槽中心处设置有去核通孔，所述U形支撑架上部设置有若干第一通孔，通过去核机构配合驱动机构的配合使用完成去核操作，工作效率高，操作方便，结构简单，节约更多的劳动资源，增加农民收入，同时由于减少了人工的参与，减少了工人的劳动强度和受伤的概率。
一种自动摆正上料去核机

[发明专利]一种磷化铟基高电子迁移率晶体管结构及制备方法-CN201410738640.2在审
发明人：艾立鹍;徐安怀;齐鸣;周书星 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：As缓冲层，然后依次生长In_0.53Ga_0.47As沟道层、In_0.52Al_0.48As Spacer层、硅德尔塔(Si-δ-doping)掺杂层、In_0.52Al_0.48As垒层、InP腐蚀截止层、In_0.52Al_0.48As接触层以及两层掺杂浓度分别为1E19～2E19cm^-3和2E19～3E19cm^-3的In_0.53Ga_{0.47形核式生长。台阶流动式生长优点是外延层一致性和平整性高，而二维形核式生长容易造成表面粗糙，引入生长缺陷。InP基HEMT材料生长，结构简单、成熟，适合批量生产。}
一种磷化铟基高电子迁移率晶体管结构制备方法

[发明专利]具有杀菌和保鲜双重效果的核壳式环丙烯保鲜剂及制备方法-CN201610415317.0有效
发明人：冯江涛;孙娜娜;徐浩;延卫 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： A23B7/154 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有杀菌和保鲜双重效果的核壳式环丙烯保鲜剂及制备方法，核壳式环丙烯保鲜剂按重量百分数计，包括45％～50％的核层，3％～5％能够潮解的隔离层，以及45％～50％的壳层，且隔离层和壳层从内向外依次包覆在核层上；其中，核层按重量份数计，包括1～70份的1‑甲基环丙烯稳定包结物，10～50份的赋形剂，以及1～20份的缓释剂；壳层按重量份数计，包括20～50份的亚氯酸盐，5～50份的氯盐，25～45份的酸化剂，以及本发明通过将核层材料和壳层材料分别混合，然后依次进行核层压片、涂抹隔离层和壳层压片等步骤，制成具有杀菌和保鲜双重效果的核壳式环丙烯保鲜剂，且核壳有效分离，不相互影响。
具有杀菌保鲜双重效果核壳式环丙烯保鲜剂制备方法

[发明专利]单晶内连接线形核和生长温度的预测方法-CN200410011277.0无效
发明人：文子;周孝好;赵明;李建陈;蒋青 -专利权人：吉林大学
申请日： 2004-11-29 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明单晶内连接线形核和生长温度的预测方法，是在集成电路制作中，为获得一定长度的单晶内连接线而确定其形核和生长工艺温度的方法。此方法根据尺寸依赖的固—液界面能模型修正了经典形核理论，结合形核率和长大速率的凝固动力学模型，建立了在一定生长温度下形核时间和生长长度之间的解析联系，理论预测了形成单晶内连接线需要的过冷度。
单晶内连接线形生长温度预测方法

[发明专利]焊剂T形焊焊接法及焊剂-CN89108770.2无效
发明人：韩明远;张玉田;王耀芝;张会东;张景荣;王建华 -专利权人：公主岭第一汽车配件厂
申请日： 1989-11-22 - 公布日： 1991-06-12 - 主分类号： B23K35/362 文献下载
摘要：焊剂T形焊焊接法及焊剂，其焊接法是在两个被焊接件的焊接面之间隔置有焊剂层，可在不扩大点焊机容量和不增加电流的条件下，可获得较大的电阻热，可减少百分之二十的电能，并能提高焊接的质量；其焊剂可采用环氧树脂胶粘剂、导电胶、导磁胶等，本发明的焊剂是由环氧树脂、稀释剂、固化剂、金属粉混合配制的；焊剂具有受热易熔易形成焊核，并能促进被焊接件焊接面焊核的形成和扩层。
焊剂焊接

[发明专利]一种核壳结构微胶囊及其制备方法-CN201010547403.X有效
发明人：韩志超;许杉杉;李立藏;申孟芝 -专利权人：无锡中科光远生物材料有限公司
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： C08L71/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种核壳结构微胶囊及其制备方法，所述核壳结构微胶囊包括核层和壳层，所述核层和壳层由重均分子量为5～50万的不同种类的生物高分子构成，其中，所述核层的质量百分比为20～95％，所述壳层的质量百分比为5～80％；所述壳层和核层可进一步含有生长因子和/或药物，从而实现微胶囊的不同功能。通过采用同轴系统将核层和壳层生物高分子材料溶液成型，得到核壳结构微胶囊，具有工艺简单、操作简便且成本低的特点，所得微胶囊具有良好的生物相容性、生物降解性以及生物吸收性，可搭载活性生长因子以及药物并实现独立控制释放
一种结构微胶囊及其制备方法

[发明专利]储层类型的确定方法、装置及存储介质-CN202010258280.1在审
发明人：王俊杰;胡勇;张连进;兰雪梅;何溥为;杨东凡;徐昌海 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G01N15/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种储层类型的确定方法、装置及存储介质，属于油气藏勘探技术领域。该方法包括：获取目标试样岩心的长度、半径、核磁T2谱、核磁信号总量和核磁转换系数；基于目标岩心的长度、半径、核磁T2谱和核磁信号总量，分别确定目标试样岩心的核磁孔隙度和核磁渗透率；基于目标试样岩心的核磁T2谱和核磁转换系数，确定目标试样岩心的多个孔隙结构参数；基于目标试样岩心的核磁孔隙度、核磁渗透率和多个孔隙结构参数，确定目标试样岩心对应的储层类型。本申请通过确定目标试样岩心对应的储层类型，从而为后续储层的评价和开发提供了技术指导。
类型确定方法装置存储介质

[发明专利]一种多晶铸锭用黑砂全熔高效坩埚及制备方法-CN202310333608.5在审
发明人：王海果;苏成;裴迎;邓亮亮 -专利权人：徐州协鑫太阳能材料有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶铸锭用黑砂全熔高效坩埚及制备方法，该黑砂全熔高效坩埚包括熔融石英坩埚，熔融石英坩埚内腔底面涂有复合涂层，且复合涂层的上方均匀洒落有硅粒料，所述坩埚内腔壁四周均涂有侧面高纯层。本申请通过提高籽晶尺寸和制作匹配的复合涂层得到了铸锭用黑砂全熔坩埚，使用该坩埚制备的晶体，形核均匀，无粘锅，低位错，提高了形核均匀性，有效降低晶体位错，保证了硅片效率的稳定性，同时具有较低的氧含量，无需调整喷涂工艺
一种多晶铸锭用黑砂全熔高效坩埚制备方法

[发明专利]金属纳米微粒修饰洋葱状富勒烯及制造方法-CN98121476.2无效
发明人：石巨岩;卫英慧;李晋敏;梁伟;陆路;周禾丰;许并社 -专利权人：太原理工大学
申请日： 1998-09-30 - 公布日： 2000-12-27 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：金属纳米微粒修饰洋葱状富勒烯及制造方法，属于纳米微粒尖端材料及加工工程技术范畴，涉及碳材料、金属材料领域，其特征在于是以金属纳米微粒作为富勒烯形核的基础，配置于非晶态碳膜上，再覆盖一层非晶态碳膜构成复合体该方法解决了富勒烯科学家所盼望解决的问题，实现了对非晶态复合碳膜中富勒烯形核位置及生长过程的有效控制，对于富勒烯材料的研究和应用开辟了新路。
金属纳米微粒修饰洋葱状富勒烯制造方法

[实用新型]核径迹隐性加密综合防伪标识-CN00227682.8无效
发明人：崔清臣 -专利权人：崔清臣
申请日： 2000-03-23 - 公布日： 2001-09-26 - 主分类号： G06K5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种核径迹隐性加密综合防伪标识,其特征在于包括有首层核微孔膜,该核微孔膜上有用核径迹技术制备的微孔图案或文字,第二层流延膜层,第三层揭示隐性压敏材料加密层,第四层压敏胶层。本实用新型将核微孔膜和隐性加密防伪技术有效的结合起来,防伪性能可靠,使用安全、简单,适应现代化商品包装的要求。
径迹隐性加密综合防伪标识

[发明专利]基于金银核壳纳米棒-金属薄膜的有机固体激光器及制备方法-CN202010138321.3有效
发明人：宁舒雅;张那明;吴元;代康;张一凡 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01S3/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金银核壳纳米棒‑金属薄膜的有机固体激光器，包括依次层叠设置的衬底、金属薄膜层、金银核壳纳米棒结构层以及增益介质层；其中，金属薄膜层为能够产生非局域表面等离子体效应SPP的金属薄膜；金银核壳纳米棒结构层中壳层材料为Ag，中心核材料为Au纳米棒。本发明通过在金属薄膜层上适当距离沉积金银核壳纳米棒形成金银核壳纳米棒与金属薄膜层复合结构，并利用该复合结构中金银核壳纳米棒的LSPR与金属薄膜的SPP的耦合产生的强局域场及散射作用增强随机激光，显著降低有机固体激光器的激光阈值
基于金银纳米金属薄膜有机固体激光器制备方法

[发明专利]核壳结构型ACR树脂及其制备方法-CN201710318841.0有效
发明人：杨学强;张建根;俞永峰;黄海娟;付国兵;胡为莉 -专利权人：南通艾德旺化工有限公司
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： C08F285/00 文献下载
摘要：本发明涉及ACR树脂领域，尤其涉及核壳结构型ACR树脂及其制备方法。所述核壳结构型ACR树脂由内到外依次包括第一核层、第二核层、壳层；所述核壳结构型ACR树脂的制备原料，以重量份计，至少包括，第一核层单体50～60份；第二核层单体3～10份；壳层单体15～25份；乳化剂0.5～2份；交联剂0.1～1份；引发剂0.1～0.5份；去离子水200份；所述第一核层单体选自：甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸异丙酯、壳聚糖的混合；所述第二核层单体选自：甲基丙烯酸甲酯、二甲基二烯丙基氯化铵、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯的混合；所述壳层单体选自：甲基丙烯酸甲酯、三甲基甲硅烷基丙烯酸酯、含双键硅烷偶联剂改性纳米二氧化硅的混合。
结构 acr 树脂及其制备方法

[发明专利]一种量子点及其制备方法-CN201711363565.6在审
发明人：杨一行;聂志文 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点及其制备方法，其中，所述量子点包括量子点核，包覆量子点核的第一金属层，包覆第一金属层的第一半导体壳层，包覆所述第一半导体壳层的第二金属层，包覆第二金属层的第二半导体壳层；其中，所述第一金属层中的金属元素和第二金属层中的金属元素独立地选自金属层能够以量子点核表面的配体作为连接纽带，与量子点核相键合，促使量子点核表面活化，有利于进一步的量子点外半导体壳层生长反应；同时金属层中的金属原子与量子点核通过上述键合所形成的晶体结构，能够有效地钝化量子点核表面、减少其表面缺陷并减小核壳之间的晶格失配，从而增强量子点材料的发光效率和尺寸均匀性。
量子点半导体壳包覆第二金属层第一金属层核表面金属元素金属层键合制备尺寸均匀性量子点材料表面缺陷发光效率金属原子晶格失配晶体结构有效地钝化核壳活化减小配体纽带生长

[发明专利]基于神经网络的数据计算方法及装置、多核架构芯片-CN202010195190.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京希姆计算科技有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G06F15/16 文献下载
摘要：方法包括：确定每个计算层的计算量；根据每个计算层的计算量，划分为至少一个计算核组，所述计算核组包括至少两个计算层的多个计算核；重新分配至少两个计算层的计算量，以使得该至少两个计算层的多个计算核的计算量均衡；由计算核组执行对应的计算层的计算。从而，有效平衡了多核芯片各计算核的计算负载，充分发挥整个芯片的算力，加速神经网络计算任务的计算，还可以有效合理利用各计算核的存储区间，降低使用计算核的数量而不降低任务的计算能力，降低芯片访问外部存储，节省带宽
基于神经网络数据计算方法装置多核架构芯片

[发明专利]一种基于AMP架构的核间通信方式-CN202010883181.2有效
发明人：阎波;郑行杰;刘洪波;林水生 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G06F9/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于AMP架构的核间通信方式，包括以下步骤：将多核通信系统划分为应用层、驱动层和逻辑层；配置逻辑层的电路，进行多核通信初始化配置，得到配置后的多核通信系统；启动配置后的多核通信系统中的主核，并通过主核监控应用层中的网络信息，构建主从核管理机制；根据主从核管理机制，调用驱动层接口建立主从核之间的通信请求，开始主从核之间的通信。本发明提供了一种基于AMP架构的核间通信方式，减少了不同操作系统之间数据交互接口的不一致性，响应时间短，并且避免了数据丢失的问题。
一种基于 amp 架构通信方式