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[发明专利]一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法-CN202010523672.6在审
发明人：陶科;姜帅;贾锐;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法，异质结背接触太阳能电池包括但不限于半导体衬底、第一钝化层及异质结。第一钝化层形成于半导体衬底的背表面上，异质结可形成于第一钝化层背面，异质结包括N型掺杂硅薄膜和P型掺杂硅薄膜，N型掺杂硅薄膜与P型掺杂硅薄膜沿垂直方向上形成叠层结构。该异质结背接触太阳能电池的形成方法包括：在半导体衬底的背表面上形成异质结，异质结包括依次形成的N型掺杂硅薄膜和P型掺杂硅薄膜，其中，N型掺杂硅薄膜与P型掺杂硅薄膜沿垂直方向上形成叠层。本发明能够在不降低电池效率的前提下有效降低异质结背接触太阳能电池的生产成本，而且本发明光能转换效率比较高。
一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法

[发明专利]一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法-CN201580085420.7在审
发明人：薛黎明;杨武保;陆钧 -专利权人：中海阳能源集团股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法，其中背电极异质结太阳能电池包括：晶硅基片、异质结部分和背电极部分，晶硅基片的正面形成有陷光层，陷光层上沉积有增透膜，异质结部分位于晶硅基片的背部，包括本征非晶硅膜层、P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层，P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层上沉积有导电膜，背电极部分沉积于所述导电膜上，本发明将背电极异质结一体化，一方面具有异质结电池制造中工艺较为简单的优点，克服了常规异质结电池存在正面栅线的缺点；另一方面保持了背电极电池没有正面栅线的优点，克服了常规背电极电池制造工艺复杂的缺点。
背电极异质结太阳能电池晶硅基片异质结沉积异质结电池正面栅线导电膜陷光层制备本征非晶硅膜电池制造工艺增透膜电池一体化制造

[发明专利]背接触异质结电池片、光伏组件及其制作方法-CN202210768478.3在审
发明人：罗丽珍;彭文博;肖平;赵建勇;赵东明;张时;杨萍;鞠进;陈文吉;左康正;田丹丹 -专利权人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能集团技术创新中心有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开一种背接触异质结电池片、光伏组件及其制作方法，涉及异质结光伏组件技术领域，背接触异质结电池片包括P区、N区、P区及N区的间隙、贯穿于P区及N区的电池片n等分切割线，(1≤n≤10),切割线分布在电池片本征非晶硅钝化层上本发明提供的背接触异质结电池片具有透明导电层切损小，切片方便、成本低的优点。
接触异质结电池组件及其制作方法

[发明专利]一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池及其制备方法-CN202110413537.0有效
发明人：张丽平;姚宇波;刘正新;刘文柱;石建华 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池，其包括异质结主体结构和背反射结构，异质结主体结构包括作为吸收层的n型晶体硅衬底，其具有对称结构的窗口层和背场层；背场TCO薄膜连接在n型晶体硅衬底的背场层，背反射结构包括第一介电薄膜和第一金属薄膜，第一介电薄膜沉积在背场TCO薄膜上，第一金属薄膜沉积在第一介电薄膜上。本发明还涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池的制备方法。根据本发明的高效背反射晶体硅异质结太阳电池可以提升异质结主体结构的短路电流密度和提高转换效率，使得高效背反射晶体硅异质结太阳电池对长波段的光谱响应明显增加，减少自然光的吸收损失，从而获得更高的转换效率。
一种高效反射晶体硅异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]背接触异质结太阳能电池及其制备方法-CN202210392892.9在审
发明人：萧生刚;刘万满 -专利权人：深圳市科纳能薄膜科技有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种背接触异质结太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能光伏领域。该方法包括将硅片定位后放置于金属掩模板的一侧表面；将磁性件定位后放置于所述硅片的背离所述金属掩模板的一侧表面，以将所述硅片与所述金属掩模板固定；通过所述金属掩模板在所述硅片上完成镀膜，形成所述背接触异质结太阳能电池的发射极和基极本发明解决了如何降低制作背接触异质结太阳能电池的制作成本的问题，实现了金属掩模代替光刻胶制作背接触异质结太阳能电池，提高了制造背接触异质结太阳能电池的效率，降低了硅片镀膜的成本。
接触异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池-CN201910811358.5在审
发明人：赖怡;王璞;王岚;张忠文;谢毅 -专利权人：通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池，属于太阳能电池技术领域，目的在于克服现有技术中的不足之处，提供一种背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池，其采用顶部宽带隙1.5‑2.5ev钙钛矿太阳电池和底部窄带隙1.12ev硅基背接触无掺杂异质结太阳电池的叠层组合，充分利用了太阳光谱。底部背接触无掺杂异质结电极设置在底部，正面减少了阴影遮挡面积。使其背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池具有高的光电转换效率和高的开路电压，增加了发电量。本发明适用于太阳能电池。
背接触钙钛矿异质结掺杂叠层太阳电池太阳能电池技术异质结太阳电池光电转换效率太阳能电池电极设置开路电压太阳光谱阴影遮挡宽带隙窄带隙叠层硅基发电量

[实用新型]一种背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池-CN201921425513.1有效
发明人：赖怡;王璞;王岚;张忠文;谢毅 -专利权人：通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池，属于太阳能电池技术领域，目的在于克服现有技术中的不足之处，提供一种背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池，其采用顶部宽带隙1.5‑2.5ev钙钛矿太阳电池和底部窄带隙1.12ev硅基背接触无掺杂异质结太阳电池的叠层组合，充分利用了太阳光谱。底部背接触无掺杂异质结电极设置在底部，正面减少了阴影遮挡面积。使其背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池具有高的光电转换效率和高的开路电压，增加了发电量。本实用新型适用于太阳能电池。
一种接触掺杂异质结钙钛矿叠层太阳电池

[发明专利]一种钝化接触背结硅异质结太阳电池及其制备方法-CN202010380493.1有效
发明人：任栋樑;陈昌明;杨杰;李正平;刘超;徐小娜;周国平 -专利权人：熵熠(上海)能源科技有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供了一种钝化接触背结硅异质结太阳电池，其特征在于，以n型单晶硅片为基底，在基底硅片的背面由内至外依次为背面本征非晶硅层、p型非晶硅发射极层、透明导电氧化物薄膜层和背面金属栅线电极；在基底硅片的正面由内至外依次为超薄氧化硅层、n型多晶硅层、氮化硅减反射层、正面金属电极；所述钝化接触背结硅异质结太阳电池的钝化接触层位于电池正面，包括超薄氧化硅层和n型多晶硅层；所述钝化接触背结硅异质结太阳电池的p‑n异质结位于电池背面，由p型非晶硅层与n型单晶硅片之间形成p‑n异质结。本发明在电池正面引入钝化接触结构，能实现正面良好的全面积钝化，将p‑n异质结置于电池背面，能够拓宽异质结电池的工艺窗口，有利于电池的优化设计。
一种钝化接触背结硅异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]太阳能电池-CN200780007078.4无效
发明人：纳齐尔·皮亚拉利·凯拉尼;巴努·甘加达尔·罗亚普罗尔;达维特·叶吉克扬;斯特凡·祖科廷斯基 -专利权人：阿莱斯技术公司
申请日： 2007-01-10 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L31/0376 文献下载
摘要：本发明提供一种用于异质结太阳能电池的薄膜非晶硅-结晶硅背异质结和背表面场器件结构。该结构通过在低温下在结晶硅的背表面上形成异质结而获得。低温制造允许应用低分辨率光刻法和/或荫罩工艺来制备该结构。背接触仅需要对于最大电荷载流子收集进行优化，而不用担心荫影损耗。背异质结器件的开路电压高于全结晶器件的开路电压。该太阳能电池结构同样可适用于通过利用各种制造工艺形成的结晶硅晶片吸收体以及硅薄层。
太阳能电池

[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法-CN202110095617.6有效
发明人：董刚强;郁操 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法。在所述硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层，所述光疏介质层包括介质材料层，所述介质材料层的材料为光疏介质材料，所述光疏介质材料的折射率为范围在1‑3.7中任一值。通过在硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层，可以有效提升硅基异质结太阳能电池的电流。
一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]基于异质结的浮动结太阳能电池背钝化结构及其制备工艺-CN201110405263.7有效
发明人：王旺平 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于异质结的浮动结太阳能电池背钝化结构，包括P型晶体硅，所述的P型晶体硅衬底底部具有由本征异质材料层以及N型异质材料层构成的异质结结构，所述的本征异质材料层插于N型异质材料层与P型晶体硅之间，N型异质材料层外部包裹有绝缘层，所述的绝缘层的底部设置有铝金属层；所述的P型晶体硅衬底底部两端设置有P+定域掺杂区，P+定域掺杂区的下方具有点接触的铝烧结区。本发明在保留异质结的良好钝化效果的同时，可以将光生空穴通过背结构良好导出，还能防止同质浮动结的针孔寄生回路问题。
基于异质结浮动太阳能电池钝化结构及其制备工艺

[发明专利]基于宽带隙窗口层的背结硅异质结太阳电池-CN202110022467.6有效
发明人：沈文忠;李正平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种基于宽带隙窗口层的背结硅异质结太阳电池，包括：作为基底的N型单晶硅层、依次设置于基底一侧的本征非晶硅层、宽带隙窗口层和透明导电氧化物层以及依次设置于基底另一侧的本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅发射极层和透明导电氧化物层，其中：P型掺杂非晶硅发射极层与基底之间形成PN异质结。本发明通过在背结硅异质结太阳电池的正面应用宽带隙窗口层，采用非晶氧化硅或非晶碳化硅作为宽带隙窗口层能透过更多光而减少光吸收的特性，提升背结异质结电池的短路电流，从而提升电池的转换效率的同时大幅度缩短制备时间
基于宽带窗口背结硅异质结太阳电池

[发明专利]硅异质结太阳能电池及其背场结构和背场结构的制备方法-CN201811603708.0在审
发明人：龙巍 -专利权人：君泰创新（北京）科技有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅异质结太阳能电池背场结构。所述背场结构包括：p型硅基底，所述p型硅基底具有背场面；形成在所述背场面上的第一本征钝化层；形成在所述第一本征钝化层上的p型硅掺杂层；以及形成在所述p型硅掺杂层上的吸附原子层；所述吸附原子层包括沉积在所述本申请还公开了所述硅异质结太阳能电池背场结构的制备方法和一种硅异质结太阳能电池。本申请的背场结构的p型硅掺杂层和TCO界面的对p型硅基底的空穴的肖特基势垒的高度较低，硅异质结太阳能电池的填充因子和转换效率较高。
硅异质结太阳能电池及其结构制备方法

[发明专利]双面发电的异质结太阳电池的电极设计及电池互联方法-CN202111148116.6在审
发明人：白宇;俞健;邱卿清;李君君 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了双面发电的异质结太阳电池的电极设计及电池互联方法，其属于太阳电池技术领域，包括异质结太阳电池衬底；太阳电池入光面丝网印刷银电极；太阳电池背光面电极；太阳电池之间的互联。其特征在于，所述的异质结太阳电池背光面电极，包括：位于透明导电薄膜上的金属种子层，以及依次位于金属种子层上的传导层和焊接层。背光面电极与另一相邻所述异质结太阳电池的入光面电极栅线相连，实现异质结太阳电池的互联导通。双面发电的异质结太阳电池的电极设计及电池互联方法，通过沉积金属叠层来取代原来丝网印刷的Ag背电极，具有低成本制备背电极和实现电池互联的特点。
双面发电异质结太阳电池电极设计电池方法

[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制作方法-CN201410798442.5有效
发明人：张树旺;杨富琨;李宝胜;蔡明;李立伟;郭铁 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其制作方法，该硅异质结太阳能电池包括：晶硅衬底，在晶硅衬底的入光侧依次设置的第一非晶硅层、前电极层和前栅线，焊接或粘贴在前栅线上的第一互联条，在晶硅衬底的背光侧依次设置的第二非晶硅层、第一透明导电氧化物薄膜和银薄膜，以及焊接或粘贴在银薄膜背离晶硅衬底一侧的第二互联条；与现有的硅异质结太阳能电池在背电极层上设置背栅线的结构相比，省去利用银浆材料制作的背栅线，在银薄膜上直接焊接或粘贴第二互联条，这样，不仅可以简化硅异质结太阳能电池的制作工艺，还可以降低硅异质结太阳能电池的制作成本。
硅异质结太阳能电池衬底晶硅互联条银薄膜粘贴非晶硅层依次设置制作背栅前栅焊接透明导电氧化物薄膜背光背电极层前电极层银浆材料直接焊接制作工艺背离

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