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[发明专利]基于蓝宝石衬底外延的准垂直器件及其制备方法-CN202311201390.4在审
发明人：张泽雨林;张春福;刘丁赫;陈大正;赵胜雷;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于蓝宝石衬底外延的准垂直器件及其制备方法，包括：衬底；p型氧化物异质外延层，位于衬底上；氧化镓外延层，位于p型氧化物异质外延层上；p型氧化物异质外延层与氧化镓外延层共同组成复合栅结构；阴极金属，位于氧化镓外延层上；阳极金属，位于p型氧化物异质外延层上，且至少部分环绕氧化镓外延层；通过阴极金属和阳极金属向复合栅结构施加偏置电压；其中，p型氧化物异质外延层、阳极金属、氧化镓外延层和阴极金属共同组成异质本发明能够扩大氧化镓外延薄膜器件的应用范围。
基于蓝宝石衬底外延垂直器件及其制备方法

[发明专利]形成硅锗结构的方法-CN202310087274.8在审
发明人： W·金;R·卡扎卡;M·E·吉文斯 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了用于形成结构的方法，包括在衬底上形成异质外延层。当前公开的方法包括在衬底上外延形成缓冲层。衬底具有衬底成分。缓冲层具有缓冲层成分。缓冲层成分基本与衬底成分相同。当前公开的方法还包括在缓冲层上外延形成异质外延层。异质外延层具有不同于衬底成分的异质外延层成分。
形成结构方法

[发明专利]异质外延金刚石及其制备方法-CN201710062928.6在审
发明人：郁万成;金鹏;张烨;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质外延金刚石及其制备方法。该异质外延金刚石包括异质衬底；石墨烯柔性层，制备于异质衬底上；金刚石层，外延生长于石墨烯柔性层上；其中，石墨烯柔性层作为异质衬底上生长金刚石的柔性中间层。本发明利用石墨烯作为外延金刚石的模板和过渡缓冲层，消除了由于异质衬底与金刚石间晶格失配造成的外延金刚石质量降低。
外延金刚石及其制备方法

[发明专利]双异质外延SOI材料及制备方法-CN200410098933.5无效
发明人：王启元;王俊;王建华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-16 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种双异质外延SOI材料，是基于半导体单晶衬底上制备的双异质外延绝缘层上硅材料，其特征在于，包括：一种半导体衬底；一绝缘薄膜，该绝缘薄膜制作在半导体衬底上；一外延薄膜，该外延薄膜制作在绝缘薄膜上，形成双异质外延
双异质外延 soi 材料制备方法

[发明专利]一种铁磁/石墨烯/铁磁异质外延薄膜及其制备方法-CN202010455831.3有效
发明人：潘孟春;彭俊平;胡悦国;李裴森;邱伟成;胡佳飞;陈棣湘 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁磁/石墨烯/铁磁异质外延薄膜，包括石墨烯层以及分别位于石墨烯层上、下表面的第二异质铁磁层和第一异质铁磁层，所述石墨烯层在第一异质铁磁层上直接外延生长得到，所述第二异质铁磁层在石墨烯层上外延生长得到本发明还公开了前述薄膜的制备方法，本发明具有界面晶格外延特性的优点。
一种石墨铁磁异质外延薄膜及其制备方法

[发明专利]一种在Ru(0001)薄膜上异质外延生长金刚石（111）薄膜的制备方法-CN202011636822.0在审
发明人：魏强;王宏兴;陈根强;张晓凡;宋志强;王若铮 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种在Ru(0001)薄膜上异质外延生长金刚石(111)薄膜的制备方法，步骤一、在异质外延衬底材料上制备Ru(0001)薄膜；步骤二、在Ru(0001)薄膜上制备金刚石(111)籽晶；步骤三、将金刚石(111)籽晶在MP‑CVD中外延生长，得到单晶金刚石(111)薄膜。Ru具有良好的金属延展性，有效防止异质外延中缓冲层破裂问题，适合异质外延单晶金刚石生长；且降低了成本。
一种 ru 0001 薄膜上异质外延生长金刚石 111 制备方法

[发明专利]内吸杂的异质外延半导体晶片及其制造方法-CN200510073150.6无效
发明人： M·R·西克瑞斯特;G·M·威尔逊;R·W·斯坦德利 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2005-05-31 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C30B29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质外延半导体晶片，其包括一形成该晶片的正面的异质外延层，该异质外延层包含一种其晶体结构与该晶片的主要材料不同的次要材料。该异质外延层基本上没有缺陷。该表面层与该异质外延层邻接。一主体层包含该主要材料而不含该次要材料。该主体层与该表面层邻接并延伸通过该中心平面。本发明公开了一种SOI晶片和一种制造晶片的方法。
内吸杂外延半导体晶片及其制造方法

[发明专利]异质结及其制备方法-CN202010842090.4在审
发明人：曹立新;王瑞;黄忠学;杨鑫;陈浩锋 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结，该异质结由外延的磁性半导体薄膜与外延的超导体薄膜构成。本发明还提供一种制备本发明的异质结的方法。本发明的异质结通过同构异质外延制备了具有近乎完美、稳定可重复的安德烈夫界面，在测量磁性半导体的自旋极化率、获得完全自旋极化的自旋流等方面具有应用潜力。
异质结及其制备方法

[发明专利]一种可重复利用衬底异质外延金刚石材料的方法-CN202210051168.X有效
发明人：刘庆彬;郭建超;蔚翠;马孟宇;高学栋;王亚伟;何泽召;周闯杰;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种可重复利用衬底异质外延金刚石材料的方法，属于异质外延金刚石制备技术领域，包括以下步骤：以MgO衬底为基础衬底，通过光刻和刻蚀制备金字塔形状的MgO衬底，并通过高温溅射将金属Ir结合，形成Ir/MgO复合衬底，通过在Ir/MgO复合衬底上完成异质外延金刚石的生长，最后，Ir/MgO复合衬底连同外延金刚石一并从高温状态快速降温，利用Ir/MgO复合衬底和外延金刚石热膨胀系数的不同，使二者脱离，以完成异质外延金刚石的制备，并达到Ir/MgO复合衬底可重复利用的目的。本发明提供的一种可重复利用衬底异质外延金刚石材料的方法，有助于制备人为可控厚度，表面均匀平坦，可重复利用衬底异质外延金刚石材料。
一种重复利用衬底外延金刚石材料方法

[发明专利]一种异质结沟槽T型栅功率MOSFET器件及其制备方法-CN202210143112.7在审
发明人：贾仁需;赵淑婷;元磊;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结沟槽T型栅功率MOSFET器件及其制备方法，包括：衬底、异质外延缓冲层、外延沟道层、源区重掺杂欧姆接触区、漏电极和栅电极；异质外延缓冲层的材料为β‑Ga2O3；异质外延缓冲层内分别设有源区电流阻挡层；异质外延缓冲层内设有外延沟道层；外延沟道层的材料为掺杂的β‑Ga2O3；外延沟道层上开设有沟槽；外延沟道层上和沟槽的内壁上设有第一栅氧化层；第一栅氧化层的表面设有第二栅氧化层，第二栅氧化层的表面设有第三栅氧化层；异质外延缓冲层上设有钝化层
一种异质结沟槽功率 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种复合衬底及制备方法、射频集成芯片制备方法-CN202110374676.7有效
发明人：朱庆芳;蔡文必;罗捷 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种复合衬底及制备方法、射频集成芯片制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：提供砷化镓基底，在高电子迁移率晶体管区域刻蚀异质结双极晶体管外延层结构以露出高电子迁移率晶体管外延层结构，高电子迁移率晶体管外延层结构位于高电子迁移率晶体管区域、异质结双极晶体管区域和键合区域，异质结双极晶体管外延层结构位于异质结双极晶体管区域和键合区域；在键合区域的异质结双极晶体管外延层结构上沉积结合层。在结合层上通过键合形成键合压电层，从而可以将高电子迁移率晶体管外延层结构、异质结双极晶体管外延层结构和键合压电层集成，在封装时，能够提高芯片集成化，减小打线，减小体积。
一种复合衬底制备方法射频集成芯片

[发明专利]N极性GaN/AlGaN异质结外延结构及其制备方法-CN202111407956.X在审
发明人：王文樑;江弘胜;李国强;李林浩;黄星悦 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种N极性GaN/AlGaN异质结外延结构及其制备方法，所述N极性GaN/AlGaN异质结外延结构包括在硅衬底上依次生长的低温N极性AlN缓冲层、非掺杂N极性AlGaN缓冲层、非掺杂N极性AlGaN本发明提供的N极性GaN/AlGaN异质结外延结构，是一种高质量N极性GaN/AlGaN异质结的外延结构，能够实现高效率的功率电子器件。
极性 gan algan 异质结外延结构及其制备方法

[发明专利]一种基于氮面极性硼铝氮材料的金刚石二维电子气异质结结构及其制备方法-CN202310027176.5在审
发明人：张金风;任泽阳;杨智清;苏凯;何琦;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮面极性硼铝氮材料的金刚石二维电子气异质结结构的制备方法，包括以下步骤：获取C面单晶蓝宝石衬底；在C面单晶蓝宝石衬底上外延生长具有施主掺杂的氮面极性纤维锌矿结构的硼铝氮，形成硼铝氮外延层；在硼铝氮生长过程中，通过对硼源与铝源的比值进行调控以控制所述硼铝氮外延层的硼与铝的组分；在硼铝氮外延层上生长金刚石外延层，以形成异质结。本发明基于蓝宝石衬底材料制作金刚石异质结器件，异质结所需金刚石层由外延生长所得，突破了高质量金刚石衬底的尺寸限制，同时降低了异质结制造成本，提供了获取大尺寸金刚石异质结的有效方法。
一种基于极性硼铝氮材料金刚石二维电子气异质结结构及其制备方法

[发明专利]一种图形化衬底、制备方法及LED外延片-CN202211027249.2在审
发明人：曾广艺;王子荣 -专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种图形化衬底、制备方法及LED外延片，制备方法包括提供一蓝宝石基底；在基底上沉积第一异质材料，形成预设孔隙率的带孔隙异质层或混合沉积至少两种异质材料，形成预设掺杂比例的复合异质层；通过刻蚀工艺对复合异质层或带孔隙异质层进行图案化，形成预设表面粗糙度的多个第一异质微结构，多个表面粗糙的第一异质微结构能够促进外延层内部的位错沿图形侧面以及在图形顶部的合拢，提高外延材料的晶体质量、减小衬底表面的应力影响，同时保证图形化衬底对光线路径的改善，衬底与异质材料较大的折射差也能够提升出光的提取效率。
一种图形衬底制备方法 led 外延

[发明专利]一种基于中间刻槽工序的无裂纹异质外延生长技术-CN200810132429.0有效
发明人：黄辉;任晓敏;吕吉贺;蔡世伟;王琦;黄永清 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2008-07-15 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种异质外延生长工艺，外延层材料生长阶段包括预生长阶段和二次生长阶段，且所述两个生长阶段之间为刻槽工序，其中衬底材料与外延层材料之间热膨胀系数失配度大于10％。本发明成功解决了热失配较大的材料间异质外延的裂纹问题，特别为硅基半导体光电子集成中的材料兼容技术提供新的思路。实现无裂纹、高质量的异质外延生长方法。
一种基于中间工序裂纹外延生长技术

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