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[发明专利]一种具有夹层的类金刚石膜-CN201811341661.5在审
发明人：陈云枫;邹飞扬;邹晓洙 -专利权人：长沙创恒机械设备有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有夹层的类金刚石膜，所述类金刚石膜包括三层结构，该三层结构包括作为基层的底层介质层、中间介质层以及置于表面的类金刚石层，所述底层介质层为Co，中间介质层为Ti系材料；所述底层介质层、中间介质层以及类金刚石层均采用微波等离子体气相沉积方法制备得到；其中，所述底层介质层的厚度为1～5um，所述中间介质层的厚度为100～800nm，所述类金刚石层的厚度为1～5um。
底层介质层中间介质层类金刚石层类金刚石膜三层结构夹层微波等离子类金刚石结合度中间层沉积制备基层

[发明专利]双通带平衡滤波耦合器-CN202210181090.3在审
发明人：孙小航;张钢;李益兵;顾小军;钟玮;周鑫;黄能才 -专利权人：南京恒电电子有限公司;南京师范大学
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本发明公开了双通带平衡滤波耦合器，从上至下同轴设置的顶层金属层、顶层介质基板、金属接地板、底层介质基板和底层金属层，其中顶层金属层和底层金属层均是正方形结构；顶层金属层的四个边设置至少两对平衡输入端口，每对平衡输入端口包括两个对向设置的输入端口，两个输入端口沿顶层金属层的轴线对称；每个输入端口均设置输入馈线和共面波导转换结构；底层金属层上设置两个输出端口，两个输出端口分别设置在底层金属层的相邻角上，顶层介质基板和底层介质基板上设置金属通孔
双通带平衡滤波耦合器

[发明专利]超宽带天线-CN202211114969.2在审
发明人：何坤林;付荣 -专利权人：昆山联滔电子有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：超宽带天线包括：介质基板；天线辐射体，天线辐射体设置于介质基板的第一侧，天线辐射体的边缘设置有缺口；嵌地金属层，嵌地金属层设置于介质基板的第一侧，且沿超宽带天线的厚度方向，嵌地金属层的正投影与缺口的正投影至少部分交叠，嵌地金属层的正投影与天线辐射体的正投影不交叠；底层金属层，底层金属层设置于介质基板的第二侧，底层金属层包括底层金属地和底层馈电焊盘，底层金属地与嵌地金属层电连接，底层馈电焊盘与天线辐射体电连接；介质基板的第一侧与介质基板的第二侧相对
宽带天线

[发明专利]含有具有垂直磁各向异性膜的数据记录层的磁存储器-CN201110385132.7有效
发明人：刈屋田英嗣;末光克巳;谷川博信;森馨;铃木哲广;永原圣万;尾崎康亮;大岛则和 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种含有具有垂直磁各向异性膜的数据记录层的磁存储器。该磁存储器(100)，包括：具有垂直磁各向异性的磁化固定层(50a、50b)，磁化固定层(50a、50b)的磁化方向是固定的；层间电介质(60)；形成在磁化固定层(50a、50b)和层间电介质(60)的上面上的底层(40)；和形成在底层(40)的上面上并且具有垂直磁各向异性的数据记录层(10)。底层(40)包括：第一磁底层(41)；和形成在第一磁底层上的非磁底层(42)。第一磁底层(41)形成为具有使得在第一磁底层(41)形成于层间电介质(60)上的部分中第一磁底层(41)没有呈现面内磁各向异性的厚度。
含有具有垂直各向异性数据记录磁存储器

[实用新型]非金属反射颜色膜-CN202020668078.1有效
发明人：易伟华;张迅;周成;刘明礼;成育凯;周文志 -专利权人：江西沃格光电股份有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种非金属反射颜色膜，用于镀设于基材上，所述非金属反射颜色膜包括过渡打底层、颜色效果层、金属吸收层及保护层，过渡打底层设于基材上，颜色效果层设于过渡打底层上，金属吸收层设于颜色效果层上，保护层设于金属吸收层上；其中，颜色效果层包括层叠设置的高介质材料层和低介质材料层，在过渡打底层上，高介质材料层与低介质材料层交替设置。高介质材料层与低介质材料层具有不同的折射率，从而可以改变高介质材料层及低介质材料层的厚度和层数，得到各种各样反射颜色效果的产品，金属吸收层使得产品的反射颜色效果更加鲜艳，颜色效果层与保护层分别设于金属吸收层的两侧
非金属反射颜色

[发明专利]一种光学透明宽带高吸波率吸波体-CN202111595371.5在审
发明人：蒲彦;姜文;张浩宇;黄善智;高雨辰;洪涛 -专利权人：杭州湃腾科技有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学透明宽带高吸波率吸波体，由阵列排布的N×M个吸波体单元组成；吸波体单元包括顶层PET介质层、中间层PET介质层、底层PET介质层和中间空气层；每层介质层包括介质板和印刷于介质板上的图案化ITO电阻膜层，底层PET介质层上还包括底层ITO电阻膜层；顶层PET介质层的ITO电阻膜层图案为正方形弯折环结构；中间层PET介质层ITO电阻膜层的图案为正八边形环与内部叉指结构；底层PET介质层ITO电阻膜层的图案为正方形环结构；吸波体单元通过不同尺寸的结构多频点叠加，实现在宽频带内的兼顾宽带且高效率吸波与高透光率，并拥有良好的RCS减缩性能。
一种光学透明宽带高吸波率吸波体

[发明专利]一种快速表征相变材料及介质层的方法-CN200910200962.0有效
发明人：宋志棠;吕士龙 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速表征相变材料及介质层的方法，包括如下步骤：清洗硅片；在所述硅片上制备底层介质层；在所述底层介质层上制备底层电极；在底层电极上制备电介质层；在电介质层上利用光刻及刻蚀工艺制备一系列通孔，使其下方的底层电极通过通孔露出；在所述通孔内制备相变材料，相变材料与所述底层电极接触；在所述相变材料上制备顶层接触电极；在所得结构表面制备顶层绝热保护层；采用三维控制器将纳米机械探针快速定位，使其与顶层接触电极接触本发明的测试方法工艺步骤简单，利用三维控制器精确操纵纳米机械探针快速定位于单元结构上部，从而可完成相变材料及介质层电性能的快速测试。
一种快速表征相变材料介质方法

[发明专利]横向同质异质结二极管器件及其制备方法-CN202210946884.4在审
发明人：宁静;张弛;张进成;王东;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向同质异质结二极管器件及其制备方法，涉及微电子技术领域，包括：衬底；第一介质衬底层和第二介质衬底层，位于同层，且位于衬底的一侧；第一介质衬底层和第二介质衬底层相互接触；二维半导体材料层，位于第一介质衬底层和第二介质衬底层背离衬底的一侧；沿垂直于衬底的方向，二维半导体材料层的正投影至少部分与第一介质衬底层的正投影交叠，至少部分与第二介质衬底层的正投影交叠；第一欧姆电极和第二欧姆电极，位于同层，且位于二维半导体材料层背离衬底的一侧；第一欧姆电极和第二欧姆电极间隔排布。
横向同质异质结二极管器件及其制备方法

[发明专利]采用TiO₂陶瓷靶磁控溅射的膜系玻璃结构及方法-CN201010286734.2无效
发明人：杨桂祥;岳志峰;赵永进;方志坚 -专利权人：天津耀皮工程玻璃有限公司
申请日： 2010-09-19 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用TiO2陶瓷靶磁控溅射的膜系玻璃结构及方法；该玻璃的膜层结构自玻璃板向外依次为：玻璃/TiO2基层/底层电介质层/底银层/底层阻挡保护层层/中间复合电介质层/顶层银/顶层阻挡保护层/上层电介质层方法是a)基板玻璃清洗、干燥；b)预真空过渡；c)镀陶瓷TiO2基层；d)镀底层电介质层；e)镀底层银；f)镀底层阻挡保护层；g)镀中间复合电介质层；h)镀顶层银；i)镀顶层阻挡保护层；j)镀上层电介质层发明在具有TiO2有折射率高的特点，更有效的降低银层反射。TiO2膜有较强的耐腐蚀性能。氧化锌表面更适合于银层成膜，在同样银层厚度的情况下达到较低的辐射率，在氧化锌作为底层电介质层的情况下，先镀制一层陶瓷TiO2则结合了两种材料的优点。
采用 tio sub 陶瓷磁控溅射玻璃结构方法

[发明专利]一种防除冰电加热膜-CN202211339553.0在审
发明人：陈华伟;陈济琛;刘晓林;赵泽辉;朱彦曈;王泽林澜;占潇洋;马峥;孙师泽 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H05B3/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种防除冰电加热膜，涉及飞机防除冰领域，包括多个以阵列形式排列的基本单元；每个所述基本单元包括加热层、介质基底层和多个导电单元；所述加热层为圆环或者正多边形环；所述介质基底层为圆形或者正多边形；所述加热层与所述介质基底层的形状对应且中心重合；所述加热层设置在所述介质基底层的一侧，所述导电单元设置在所述介质基底层的另一侧；每个所述导电单元均与所述加热层连接。
一种除冰加热

[发明专利]三银镀膜玻璃-CN202011416468.0在审
发明人：吕宜超;刘莹;谭小安;宋宇;熊建;黄颖;周泓崑 -专利权人：深圳南玻应用技术有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明实施例公开的一种三银镀膜玻璃，包括玻璃基板和依次在玻璃基板同一侧面上形成的第一介质层、第一打底层、第一功能层、第一金属阻挡层、第二介质层、第二打底层、第二功能层、第二金属阻挡层、第三介质层、第三打底层、第三功能层、第三金属阻挡层、第四介质层，其中，第二介质层包括依次排布的第二下子介质层、第二中间层、第二上子介质层，第二下子介质层与第一金属阻挡层相邻，第二上子介质层与第二打底层相邻；第三介质层包括依次排布的第三下子介质层、第三中间层、第三上子介质层，第三下子介质层与第二金属阻挡层相邻，第三上子介质层与第三打底层相邻；第二中间层、第三中间层分别选自于铜镍合金、铜钛合金、铜铬合金以及铜锌合金。
镀膜玻璃

[发明专利]一种低漏电流单向TVS结构-CN202111401648.6在审
发明人：彭时秋;喻先坤;王涛;肖步文;贺琪;张世权;张继 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种低漏电流单向TVS结构，属于浪涌保护器件领域，包括衬底层、外延层、有源区、欧姆接触区、隔离区、介质层、金属层和钝化层；所述外延层形成于所述衬底层上；所述有源区和所述欧姆接触区均形成于所述外延层中；所述隔离区形成于所述外延层和所述衬底层中，贯穿所述外延层并延伸至所述衬底层中；所述介质层形成于所述外延层的表面；所述金属层形成于所述介质层和所述有源区及所述欧姆接触区上；所述钝化层形成于所述金属层及所述介质层上，为电绝缘层。
一种漏电单向 tvs 结构

[发明专利]一种具有自阻匹配的三维介质腔TSV互连结构-CN202110256038.5在审
发明人：刘晓贤;朱樟明;杨银堂;刘阳;卢启军;尹湘坤 -专利权人：西安电子科技大学昆山创新研究院
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有自阻匹配的三维介质腔TSV互连结构，包括一上一下设置的顶层介质层和底层介质层，且顶层介质层与底层介质层之间通过半导体硅衬底相连接，顶层介质层与底层介质层之间还具有TSV导体柱介质腔，TSV导体柱介质腔中插设有若干个TSV导体柱，TSV导体柱的上端贯穿顶层介质层的表面后与一顶层互连线相连接，TSV导体柱的下端贯穿底层介质层的表面后与一底层互连线相连接。
一种具有匹配三维介质 tsv 互连结构

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010724388.5在审
发明人：刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底内具有底层介质层；在底层介质层内形成第一凹槽；在第一凹槽内形成第一金属层，第一金属层的顶部表面低于底层介质层的顶部表面；在第一金属层、第一凹槽的部分侧壁上以及基底上形成第一介质层，第一介质层和底层介质层之间具有刻蚀选择比；在第一介质层上形成第二介质层，第二介质层和第一介质层之间具有刻蚀选择比；刻蚀第二介质层，直至暴露出第一介质层，形成开口；刻蚀去除开口暴露出的第一介质层，直至暴露出第一金属层表面
半导体结构形成方法

[发明专利]过滤介质、其制备方法和该过滤介质在过滤元件中的用途-CN202011222606.1在审
发明人： C·齐斯尔斯贝格;C·克劳特纳;J·诺伊曼;M·海因茨曼;M·克莱因;M·鲍希 -专利权人：曼·胡默尔有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：本发明涉及过滤介质（1），其包括基底层（2）和纳米纤维层（3），其中通过透入所述纳米纤维层的粘合纤维和/或熔融粘合纤维（4）使所述纳米纤维层（3）与所述基底层（2）接合。纳米纤维层（3）在层顺序中位于基底层（2）与粘合纤维和/或熔融粘合纤维（4）之间。在纳米纤维层（3）与基底层（2）之间存在增粘剂层（6），其包含平面施加在基底层（2）上的增粘剂，其中借助于增粘剂层（6）将纳米纤维层（3）固定在基底层（2）上。此外公开了一种制备过滤介质（1）的方法以及该过滤介质（1）的用途。
过滤介质制备方法元件中的用途