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[发明专利]具有应力减轻结构的半导体器件-CN201910389088.3在审
发明人： M.A.博德雅;T.R.海德曼;M.马塔尔恩;C.斯贾罗韦洛 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及具有应力减轻结构的半导体器件。半导体器件包括：半导体主体；设置在半导体主体的至少部分之上的应力减轻层或层堆叠，应力减轻层或层堆叠包括多个开口，其产生用于应力减轻层或层堆叠的图案化表面形貌；以及形成在应力减轻层或层堆叠上并占据应力减轻层或层堆叠中的多个开口的金属层或层堆叠应力减轻层或层堆叠的图案化表面形貌被传递到金属层或层堆叠的背离半导体主体的表面。应力减轻层或层堆叠在一定温度范围内具有与金属层或层堆叠不同的弹性模量。
层堆叠应力减轻层半导体主体金属层形貌半导体器件图案化表面弹性模量开口应力减轻结构背离传递占据

[发明专利]具有增强的击穿强度的电介质材料-CN201580056337.7有效
发明人：纳纳亚克拉·L·D·索马希里;保罗·V·许恩;安德鲁·C·洛特;威廉·L·泰勒;莱文特·伯耶克勒;卡尔·E·菲舍尔 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01B3/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种击穿强度增强的电介质材料，所述电介质材料包括具有相背对的第一主表面和第二主表面的基础电介质层。第一应力减轻层设置在所述基础电介质层的所述第一主表面上。第二应力减轻层设置在所述基础电介质层的所述第二主表面上。所述第一应力减轻层和第二应力减轻层中的至少一者的体积电导率是所述基础电介质层的体积电导率的至少2倍。
具有增强击穿强度电介质材料

[发明专利]半导体装置、散热片、半导体芯片、内插式基板和玻璃板-CN200810086690.1无效
发明人：矢野祐司;福井靖树;宫田浩司 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包括具有半导体芯片的叠层结构，上述叠层结构的一部分被树脂密封；上述叠层结构的最上部具有应力减轻部，该应力减轻部形成为具有平坦顶面的凸部，用于减轻在进行树脂密封时的应力；在上述最上部的外缘区域中，上述应力减轻部形成为环状并与密封树脂接触；由此，能够提高其最上部构件露出的半导体装置的成品率。
半导体装置散热片芯片内插式基板玻璃板

[发明专利]应力减轻结构-CN202010744044.0在审
发明人：崔墉益;郑基雄;迈克尔·利里;多明戈·菲格雷多;崔昌圭;萨拉·哈尼;孙力 -专利权人：安华高科技股份有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请案是针对一种应力减轻结构。揭示一种装置及衬底。
应力减轻结构

[发明专利]用于集成电路的凸块应力减轻层-CN200980139245.X有效
发明人： K·J·李 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2009-12-07 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种装置，包括：具有器件层的半导体基板、多个金属化层、钝化层以及形成在钝化层上并电耦合到至少一个钝化层的金属凸块。所述装置进一步包括形成在钝化层上的焊料限定层，所述焊料限定层遮蔽金属凸块的上表面的外边缘，因此使得上表面的外边缘不能被焊接材料润湿。
用于集成电路应力减轻

[发明专利]用于减轻半导体管芯中应力的布线层-CN201280019784.1有效
发明人：罗登·托帕奇奥;加布里埃尔·翁 -专利权人： ATI科技无限责任公司
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/71 文献下载
摘要：公开一种用于半导体管芯的布线层。所述布线层包括把集成电路接合焊盘与UBM互连的迹线。所述布线层在介电材料层上形成。所述布线层包括设置在所述UBM下以吸收来自附接到所述UMB的焊料凸块的应力的导电迹线。所述UBM下的迹线保护靠近所述焊料凸块的所述下面的介电材料的部分免受所述应力影响。
用于减轻半导体管芯应力布线

[发明专利]在微电子学中增加可靠性和提高产率的直接键合堆叠结构-CN202080046522.9在审
发明人： C·E·尤佐;R·坎卡尔;T·沃克曼;G·高;G·G·小方丹;L·W·米卡里米;B·哈巴;G·Z·格瓦拉;J·瓦塔纳贝 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2020-06-25 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：例如，示例工艺减轻了较厚的顶部管芯与其下方的直接键合管芯之间的翘曲应力。顶部管芯上的蚀刻表面可以减轻翘曲应力。示例堆叠可以包括在管芯之间的顺应层。另一堆叠配置用模制材料层代替顶部管芯以规避翘曲应力。键合表面上的腔体阵列可以减轻应力。还可以在顶部管芯的一侧或在其他管芯之间创建一个或多个应力平衡层以减轻或对抗翘曲。边缘圆角化可以防止应力和压力破坏性地传递穿过管芯和衬底层。
微电子学增加可靠性提高直接堆叠结构

[发明专利]包括用于减小由导线接合引起的焊盘下损坏的力减轻系统的集成电路（IC）器件-CN201980018713.1在审
发明人： J·萨托;B·陈;A·泰勒 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路芯片管芯，该集成电路芯片管芯包括力减轻系统，力减轻系统用于减小或减轻通常由每个导线接合焊盘下方的导线接合引起的焊盘下应力。力减轻系统包括用作冲击板的金属区域(22)、位于冲击板上方的密封层以及力减轻层，力减轻层包括在金属区域(22)和密封层(52)之间的密封空隙(56A)的阵列。力减轻层中的密封空隙(56A)通过在氧化物电介质层中形成开口并且在开口上方形成非共形密封层(52)来限定以限定密封空隙(56A)的阵列。力减轻系统减轻由每个导线接合焊盘上的导线接合引起的应力，这可减少或消除对位于管芯的焊盘下区域中的半导体器件的导线接合相关的损坏。
包括用于减小导线接合引起焊盘下损坏减轻系统集成电路 ic 器件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200510083471.4无效
发明人：森克已 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2002-09-06 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于制造包括位于基板上的布线层和覆盖所述布线层的层间绝缘层的半导体器件的方法，该方法应用于具有优良填充性的层间绝缘层的半导体器件的制造中，该层间绝缘层按照0.13μm设计规则，在相邻布线层的间隔中形成该半导体器件的制造方法包括使掩膜，至少形成所述基板指定图案中的所述应力减轻层的步骤和通过使用流态化绝缘体覆盖所述应力减轻层和所述布线层形成一个平坦化绝缘层的步骤。掩膜包括通过施加一个正(+)调整量来调整布线层图案(120)的大小以及删除调整大小后相互重叠的那些图案(130)，和调整大小后的图案外面形成具有特定宽度的应力减轻层图案。
制造半导体器件方法

[发明专利]显示面板及显示母板-CN201810798747.4有效
发明人：陈伟华;谢月成;张玄;甘帅燕;高峰 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：该显示面板包括衬底基板以及与所述衬底基板接触的应力缓冲层组，应力缓冲层组为弹性结构。在显示面板受到外力冲击时，应力缓冲层组能够很好地缓冲外力，从而减轻或避免显示面板各个层的损伤从而改善显示失效问题。
显示面板母板

[发明专利]辨识传感结构、指纹识别组件及终端-CN202110196458.9在审
发明人：钟金峰 -专利权人：业泓科技（成都）有限公司;业泓科技股份有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本申请涉及辨识传感结构、指纹识别组件及终端；辨识传感结构包括：基板；压电层设置在基板上；导电层部分设置在压电层上且部分设置在基板上；保护层设置在导电层上；导电层按比例均匀掺杂有辅助材料，辅助材料用于相对导电层的导电物质辅助释放热应力上述辨识传感结构，巧妙地设计了辅助材料以辅助释放热应力，提升了导电层的热应力释放能力，减轻了压张应力，有利于保证薄膜表面的附着力，避免发生剥落问题；有利于减轻乃至于克服热应力对于底层的基板影响，避免出现边缘位置的翘曲问题
辨识传感结构指纹识别组件终端

[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置-CN202110413936.7有效
发明人：远新新 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：显示面板包括：可折叠区；第一应力缓冲层；所述第一应力缓冲层包括第一应力缓冲结构，所述第一应力缓冲结构位于所述可折叠区内，所述第一应力缓冲结构包括形成于所述第一应力缓冲层上的多个凹槽；所述凹槽的内表面包括多个凸起部本发明实施例可以在显示面板折叠时缓冲膜层应力，从而减轻显示面板因折叠产生的折痕不平整现象，保证显示效果，提升用户体验。
显示面板及其制作方法显示装置

[发明专利]有机中介层及其制造方法-CN202110805105.4在审
发明人：廖莉菱;游明志;许佳桂;叶书伸;林柏尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种有机中介层及其制造方法，该有机中介层包括内埋重分布互连结构的介电材料层、位于介电材料层的第一侧的封装侧凸块结构、以及位于介电材料层的第二侧的晶粒侧凸块结构。应力减轻线路结构位于在平面图中在间隙区域的范围内的介电材料层之上或之内。每个应力减轻线路结构包括沿各自的水平方向横向地延伸的多个直线段部，并且不电性连接到重分布互连结构。应力减轻线路结构可以包括与位于相同水平高度的重分布互连结构或凸块结构的金属材料相同或不同的材料。
有机中介及其制造方法

[发明专利]应力减轻/弯曲防护装置-CN201280022623.8有效
发明人： M.路德维希;N.帕普库 -专利权人：德尔菲技术公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01R13/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于与插塞连接器连接的线缆特别是高速线缆的应力减轻/弯曲防护装置，其包括可固定在插塞连接器的外壳上的基本区段和从该基本区段伸出来的套管区段，该套管区段用于包围线缆的位于外壳之外的区域，其中
应力减轻弯曲防护装置

[发明专利]MEMS麦克风及其制备方法-CN201610389572.2有效
发明人：胡永刚 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS麦克风，包括基板、下电极层、牺牲层、应力层和上电极层，基板的中部设有第一开口，下电极层横跨于基板上；牺牲层、应力层、上电极层依次层叠在下电极层上，并在牺牲层、应力层上开设第二开口；应力层的厚度与基板的翘曲程度相匹配。上述MEMS麦克风，可根据半导体基板的翘曲或形变程度改变应力层的厚度，使应力层的厚度或应力与基板的翘曲程度相匹配，通过改变应力层的厚度和应力，进而对基板施加与基板变形方向相反的力，以减轻或消除基板的变形
mems 麦克风及其制备方法

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