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[发明专利]光电元件及其形成方法-CN201010003228.8有效
发明人：苏宗一;王铭义;蓝邦强;廖德淦;苏昭安;黄建欣;吴惠敏;谭宗涵;陈敏;林梦嘉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2010-01-11 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：该光电元件包括基底、半船型材料层、深沟槽隔离结构及光波导。基底具有第一区。半船型材料层配置于第一区的基底中。半船型材料层的折射率小于基底的折射率。半船型材料层的顶面与基底的表面齐平。深沟槽隔离结构配置于第一区的基底中，且位于半船型材料层的头部的一侧。光波导配置于第一区的基底上。光波导与部分深沟槽隔离结构及至少部分半船型材料层重叠。
光电元件及其形成方法

[发明专利]一种SJMOS器件结构及其制作工艺-CN202210424549.8在审
发明人：刘静;黄健;孙闫涛;顾昀浦;宋跃桦;吴平丽;张楠 -专利权人：捷捷微电（上海）科技有限公司;江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种SJMOS器件结构及其制作工艺，包括衬底，所述衬底上方形成有外延层，所述外延层的表面向下形成有柱区，所述外延层的表面注入形成有体区，所述体区位于柱区的上方，所述体区内形成源区；所述外延层上方设置有栅极，所述栅极的四周被包裹氧化层包裹，所述栅极的一侧边缘与柱区的边缘齐平，所述栅极的另一侧位于相邻柱区之间的外延层上方；所述体区延伸至栅极的下方，所述源区的一侧延伸至栅极的下方；所述体区的中轴线与柱区的中轴线不在同一水平位置上本发明通过将栅极的尺寸减半，调整体区的设置位置使其与柱区非对称，能够提升器件的Rsp，减小Cgs和Cgd，提高开关速度，降低开关损耗，提升产品的电流短路能力。
一种 sjmos 器件结构及其制作工艺

[发明专利]一种立柱磨耗板-CN201210212485.1有效
发明人：刘占峰;裴顶峰;满伟;方永智;种克挺;李航 -专利权人：河北辛集腾跃实业有限公司
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： B61F5/50 文献下载
摘要：其包括钢质基板和固定在钢质基板上表面的高分子复合材料磨耗层，钢质基板上分布有销孔，磨耗层分为第一磨耗区、第二磨耗区、第三磨耗区和第四磨耗区，四个磨耗区磨耗层厚度相同，并且上表面平齐；四个磨耗区顺序平行排列，四个磨耗区中至少两个磨耗区高分子复合材料组成不同。本发明立柱磨耗板将磨耗层分为不同的区，每个区采用不同的高分子复合材料，得到的磨耗层摩擦系数不同，根据需要当空车运行时斜楔与摩擦系数小的部分摩擦，当重车运行时，斜楔与摩擦系数大的部分摩擦，可以保证空车、重车运行更加平稳
一种立柱磨耗

[发明专利]一种半导体结构的制造方法-CN202310714774.X在审
发明人：李逛城;郑标;朱顺;方淼焱;施露安 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：公开了一种半导体结构的制造方法，包括：提供包括第二区域和第三区域的衬底，在衬底上依次形成初始填充层、间隔层和覆盖层，初始填充层包括分别位于第二区域和第三区域的第二初始填充层和第三初始填充层，第二初始填充层的厚度小于第三初始填充层的厚度，覆盖层包括分别位于第二区域和第三区域的第二覆盖层和第三覆盖层，第二覆盖层的厚度大于第三覆盖层的厚度；执行至少一次刻蚀工艺至第二初始填充层形成为第二填充层，第三初始填充层形成为第三填充层，且两者的上表面齐平
一种半导体结构制造方法

[实用新型]阵列基板、显示面板和显示装置-CN202222440059.5有效
发明人：陈西兵;杨巍;张育萌;张何攀;孙玉龙;李荣荣 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，阵列基板包括衬底和阵列层，阵列层设置在衬底的表面，阵列层包括多个像素区和多个开关区，多个开关区与多个像素区一一对应设置，衬底对应开关区上设置有多个第一凹槽，开关区位于第一凹槽内，开关区远离衬底的一面和像素区远离衬底的一面齐平。通过上述设置，本申请不需要增加额外的材料，即可使得阵列基板的表面更加的平整，减小显示面板的制造成本，而且由于不需要增加平坦层，因而不需要考虑平坦层会存在析出离子，进而污染液晶导致显示面板残像的问题，减小阵列基板的厚度
阵列显示面板显示装置

[发明专利]可变电容器平带电压工程-CN201880086382.0在审
发明人： F·A·马里诺;N·卡尼克;F·卡洛波兰蒂;P·梅内格利;Q·梁 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：一个示例半导体可变电容器通常包括半导体区，绝缘层和第一非绝缘区，该绝缘层被布置在半导体区与第一非绝缘区之间。在某些方面，半导体可变电容器还可包括毗邻于半导体区布置的第二非绝缘区和毗邻于半导体区布置的第三非绝缘区，第二非绝缘区和第三非绝缘区具有不同掺杂类型。在某些方面，半导体可变电容器还可包括在半导体区与绝缘层之间布置的注入区。注入区可用于调整半导体可变电容器的平带电压。
可变电容器电压工程

[实用新型]多功能不锈钢片制茶盘-CN201920595652.2有效
发明人：李丹 -专利权人：广州腾工通用设备有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： A47J31/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及多功能不锈钢片制茶盘，包括箱体和设置于箱体顶部的栅栏式泡茶层，所述栅栏式泡茶层以中线朝向前后两侧分为第一泡茶区和第二泡茶区，所述第一泡茶区沿其长度方向上依次凹陷设置有至少两个用于放置电子秤的称重区和茶具消毒区；在所述第二泡茶区的两侧上分别凹陷设置有垃圾放置区和洗杯区，所述垃圾放置区开设有槽口向上且与栅栏式泡茶层齐平的垃圾进料槽，所述洗杯区内设置有洗杯装置。通过称重区、茶具消毒区、垃圾放置区和洗杯区在栅栏式泡茶层上紧凑地设置，使得茶盘除了放置茶具还具有称重茶叶、消毒茶具、清洗水杯和收集垃圾的功能，具有多功能的特点。
多功能不锈钢片茶盘

[发明专利]一种具有特殊耐压环的高压功率器件-CN201510760236.X在审
发明人：周炳;石英学;郝建勇;张志娟 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有特殊耐压环的高压功率器件，其包括工作区(1)和终端区(2)；所述工作区(1)和终端区(2)的衬底(3)上表面设有外延层(4)；所述终端区(2)自所述外延层(4)的上表面向下开设有耐压环沟槽(21)；所述耐压环沟槽(21)的深度小于所述外延层(4)的厚度，其内部填充有轻掺杂的P型GaN材料且填充后的所述P型GaN材料的上表面与所述外延层(4)的上表面平齐；同时，所述耐压环沟槽(21)内填充的所述P型GaN材料上表面还覆盖有一层边缘钝化层(5)。本发明结构设计简单、合理，使用稳定、可靠，在有效提高器件的击穿电压的同时，能有效减小终端区的面积，降低了成本。
一种具有特殊耐压高压功率器件

[发明专利]一种FinFET结构及其制造方法-CN201410459149.6有效
发明人：刘云飞;尹海洲;李睿 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种FinFET结构及其制造方法，包括：衬底；第一、第二鳍片，位于所述衬底上方，彼此平行；器件隔离区，所述器件隔离区包围所述衬底，与所述第一、第二鳍片平齐；栅极叠层，所述栅极叠层覆盖所述衬底和部分第一、第二鳍片的侧壁；源区，位于所述第一鳍片未被栅极叠层所覆盖区域；漏区，位于所述第二鳍片未被栅极叠层所覆盖区域；侧墙，位于所述第一、第二鳍片两侧，栅极叠层上方，用于隔离源区、漏区和栅极叠层。
一种 finfet 结构及其制造方法

[发明专利]楼宇平层-CN201510496786.5在审
发明人：席鹏 -专利权人：席鹏
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： E04H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种楼宇平层，包括若干相互独立的单元，至少两个相邻的单元之间设置有走廊，所述走廊内设置有采光系统以将室外的阳光引入所述走廊内。相较于现有技术，本发明所述楼宇平层不仅采光性能优良，而且使得暗房易于出租。
楼宇

[实用新型]平层官邸-CN200720169775.7无效
发明人：王朝晖 -专利权人：北京兴业万发房地产开发有限公司
申请日： 2007-07-18 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： E04H1/04 文献下载
摘要：一种平层官邸，包括若干层布局相同的平层建筑，所述平层建筑的平面布置基本为矩形，在所述矩形布局的中心点有一个穹隆式的圆厅，在所述圆厅的周围通过“十”字型的走廊连通有不同的功能区；本实用新型平层官邸，圆厅的设计凸显了走廊实质的轴线感，是控制整体空间完全对称的一个轴心，每个空间均保持有非常好的独立性与连通性，避免了空间之间的功能性干扰，同时四个区域可通过十字形布局的中心点，进行自由转换，十字内廊和圆厅，形成了平层户型的十字形平面，使整个室内的布局显得更为严谨
官邸

[外观设计]平层地漏-CN201930617022.6有效
发明人：陈子焯 -专利权人：陈子焯
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：平层地漏。2.本外观设计产品的用途：用于地漏。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
地漏

[发明专利]显示模组及其制备方法和显示装置-CN202011543351.9在审
发明人：田雨宸 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示模组及其制备方法和显示装置，该显示模组具有第一显示区和第二显示区，第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率，该显示模组包括显示面板和设置于显示面板出光面一侧的偏光片层，其中，显示面板具有出光面；偏光片层包括对应第二显示区设置的偏光功能部和对应第一显示区设置的透光功能部，透光功能部朝向显示面板的一侧表面与偏光功能部朝向显示面板的一侧表面平齐，透光功能部背离显示面板的一侧设置有透光介质，透光介质背离显示面板的一侧表面与偏光功能部背离显示面板的一侧表面平齐该显示模组中通过在偏光片层设置透光功能部，使得在与透光功能部相对的区域的透光率提高，从而使得与透光功能部相对的摄像头模组的拍照效果更好。
显示模组及其制备方法显示装置

[发明专利]一种针对绝对位置控制系统的调试方法-CN202110936945.4有效
发明人：王伟;周俊良;耿鹏鹏;张红兵;罗亮;王叶;张丰鹏;胡先高 -专利权人：杭州西奥电梯有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B66B1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种针对绝对位置控制系统的调试方法，包括以下步骤：标定电梯上下基准位；进行楼间距设置；电梯执行自学习操作；针对平层精度进行调整。上述技术方案首先标定上下基准位，然后通过设定每一楼层间的楼层间距，设置完成后电梯进行自学习，自动以设定的自学习速度从底层跑至顶层位置，并根据设定的楼层间距，在每一层平层位置自动标定平层，当电梯快车运行至每层可开门门区时，记录每一层平层精调的数值，进行针对化调整，当电梯再次经过设定的位置时系统会自动进行纠正标定平层位置，无需人为将电梯开到所需要的标定位置再进行标定，大大节省了工时，提高了调试效率。
一种针对绝对位置控制系统调试方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710131234.3有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括第一区、第二区和第三区，所述第三区位于所述第一区和第二区之间；形成从第一区延伸到第二区的伪栅结构，所述伪栅结构贯穿所述第三区；分别在所述第一区伪栅结构两侧的基底内形成第一源漏掺杂区；分别在所述第二区伪栅结构两侧的基底内形成第二源漏掺杂区；形成所述第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区之后，形成贯穿所述伪栅结构的介质开口，所述介质开口暴露出所述第三区的基底；在所述介质开口内形成层间介质层，所述层间介质层的顶部表面与伪栅结构的顶部表面齐平。所述方法能够降低在介质开口内形成层间介质层的难度。
半导体结构及其形成方法