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[发明专利]一种基于双布拉格传感器的大地应变仪-CN201710216064.9有效
发明人：付继华;王旭;李智涛;谭巧;王建军;吴荣辉 -专利权人：中国地震局地壳应力研究所
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G01B11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双布拉格传感器的大地应变仪，包括传感器模块、混频器1、便携式频谱分析模块；传感器模块包括两个布拉格传感器，分别为测量用布拉格传感器和参考用布拉格传感器。布拉格传感器是在外绝缘层和内导体上具有周期性阻抗不连续点的弹性同轴电缆。测量用布拉格传感器包括布拉格传感器1和正反馈系统1，参考用布拉格传感器包括布拉格传感器2和正反馈系统2，每个正反馈系统包括放大器、滤波器、定向耦合器1和定向耦合器2。
一种基于布拉格传感器大地应变

[发明专利]发光二极管封装件-CN201510188604.8在审
发明人：李贞勋;李剡劤;陈相奇;慎镇哲;金钟奎;李小拉 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述发光二极管封装件包括：封装体、模制部分、引线、发光二极管芯片以及封装分布布拉格反射器，封装分布布拉格反射器包括第一封装分布布拉格反射器和第二封装分布布拉格反射器，第一封装分布布拉格反射器对绿光或红光波长范围的光比对蓝光波长范围的光具有更高的反射率，第二封装分布布拉格反射器对蓝光波长范围的光比对红光波长范围的光具有更高的反射率，发光二极管芯片包括基板、发光结构以及分布布拉格反射器，分布布拉格反射器对蓝光波长范围的第一波长的光、绿光波长范围的第二波长的光和红光波长范围的第三波长的光具有
发光二极管封装

[发明专利]增加侧向出光的发光二极管芯片及其制备方法-CN202111164551.8在审
发明人：刘小星;尹灵峰;张威;卫婷;魏柏林 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：位于p型GaN层一侧的第一布拉格反射镜与位于衬底的第二表面的第二布拉格反射镜，增加侧面出光率。使第一布拉格反射镜的反射层材料与第二布拉格反射镜的反射层材料相同，且第二布拉格反射镜的反射波带宽大于或等于第一布拉格反射镜的反射波长带宽，一方面可以便于芯片的制备，另一方面第二布拉格反射镜配合第一布拉格反射镜
增加侧向发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN202210556941.8在审
发明人：赖玉财;李森林;毕京锋;谢岚驰;廖寅生;薛龙;王亚宏 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，其中所述LED外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的底部缓冲层、分布式布拉格反射镜层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，其中分布式布拉格反射镜层从下至上依次包括第一分布式布拉格反射镜层、过渡层和第二分布式布拉格反射镜层，第一分布式布拉格反射镜层为第一AlAs层和AlGaAsP层交替排列的周期性结构；第二分布式布拉格反射镜层为第二AlAs层和AlGaAs层交替排列的周期性结构。本发明通过分布式布拉格反射镜层的结构设置，可以降低由于分布式布拉格反射镜层高周期数引起的外延结构的高翘曲度，减少后续芯片制程中的划伤和碎片风险。
led 外延结构及其制备方法

[发明专利]基于FP谐振腔耦合系统的PT对称全光纤光隔离器及方法-CN202111126501.0有效
发明人：张杰君;李铮;姚建平;李凌志;王旭东;曹元;廖宝亮 -专利权人：暨南大学
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G02F1/095 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FP谐振腔耦合系统的PT对称全光纤光隔离器及方法，包括端口一、端口二、有源光纤、第一光纤布拉格光栅、第二光纤布拉格光栅以及第三光纤布拉格光栅；第一光纤布拉格光栅和第二光纤布拉格光栅构成第一法布里‑珀罗谐振腔，第二光纤布拉格光栅和第三光纤布拉格光栅构成第二法布里‑珀罗谐振腔，第一法布里‑珀罗谐振腔与第二法布里‑珀罗谐振腔耦合。本发明利用均匀光纤布拉格光栅构成两个相互耦合的法布里‑珀罗谐振腔系统；通过控制泵浦光的光功率，基于对两个谐振腔的增益和损耗强度的调节，实现该全光纤光隔离器内的宇称‑时间对称的各种相位形式的调节，并且在宇称
基于 fp 谐振腔耦合系统 pt 对称光纤隔离器方法

[发明专利]增益器件、半导体激光器及半导体激光器的制作方法-CN202110754239.8有效
发明人：李健;韦欣;李川川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明提供了一种增益器件，包括：顶保护层、窗口层、有源层和双波长分布式布拉格反射区，双波长分布式布拉格反射区包括第一分布式布拉格反射区和第二分布式布拉格反射区；窗口层设置在有源层上；有源层设置在第一分布式布拉格反射区或第二分布式布拉格反射区上，用于吸收通过窗口层的泵浦光的能量并发射激光；第一分布式布拉格反射区用于改变经过有源层后的泵浦光的传播方向，并将传播方向改变后的泵浦光反射至有源层，第二分布式布拉格反射区用于改变依次经过窗口层和有源层后的第一反射激光的传播方向
增益器件半导体激光器制作方法

[发明专利]一种二维应变检测的柔性高温光栅应变片-CN201310040920.1在审
发明人：刘月明;高晓良;蔡庆木;吴刚;夏忠诚 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： G01B11/16 文献下载
摘要：它是由“十”字形或“T”字形高温恒弹合金基底、高温布拉格光栅A、高温布拉格光栅B和高温布拉格光栅C以及耐高温覆盖层组成的；三只高温布拉格光栅沿横向和纵向用高温胶固定在基底上，其中高温布拉格光栅A和高温布拉格光栅B两端由高温胶进行固定，分别测量横向应变和纵向应变，高温布拉格光栅C单端自由，只感受温度变化，以实现温度补偿功能。
一种二维应变检测柔性高温光栅

[发明专利]基于飞秒激光直写系统的相移光纤布拉格光栅制备方法-CN202110533124.6在审
发明人：吴志芳;王溪铖;杨雯青;蒲继雄;王孝艳 -专利权人：华侨大学
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于飞秒激光直写系统的相移光纤布拉格光栅制备方法，飞秒激光直写系统包括：三维运动台、旋转夹具、处理器、飞秒激光器和显微物镜，其中，制备方法包括以下步骤：旋转夹具根据预设扭转率对待加工光纤进行扭转；三维运动台根据运动数据带动待加工光纤进行运动；飞秒激光器产生飞秒脉冲激光并根据快门数据控制激光出射，并将激光通过显微物镜聚焦至待加工光纤上，配合光纤移动以刻写布拉格光栅；刻写后光纤从旋转夹具中释放，以使得布拉格光栅发生偏折，形成相移光纤布拉格光栅；能够对相移光纤布拉格光栅进行一步制备，无需准备成品光纤布拉格光栅；并且，工艺简单，提高相移光纤布拉格光栅的制备效率和制作过程的灵活性。
基于激光系统相移光纤布拉格光栅制备方法

[发明专利]一种电梯钢丝绳张力检测装置及方法-CN202210556807.8在审
发明人：刘志刚;赵结昂;包俊义;方琦;金嵩;商高亮;唐方平;方国庆;王理成;王灿 -专利权人：金华市特种设备检验检测院（金华市特种设备应急处置指挥中心）
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： B66B5/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种电梯钢丝绳张力检测装置及方法，包括井道、曳引机、钢丝绳、轿厢、配重块、光纤布拉格光栅解调器、单模光纤、光纤布拉格光栅振动传感器和夹紧装置，轿厢设置在井道内，曳引机设置在井道的上方；钢丝绳绕设在曳引机上，钢丝绳一端与轿厢相连接，另一端与配重块相连接；光纤布拉格光栅振动传感器通过单模光纤与光纤布拉格光栅解调器通信连接；夹紧装置将光纤布拉格光栅振动传感器固定设置在钢丝绳上；夹紧装置用于固定光纤布拉格光栅振动传感器，安装方便，实现实时监控；光纤布拉格光栅振动传感器是基于等强度悬臂梁的结构，能够测量低频、微小的振动，测量精度较高，并且结构小巧，便于安装。
一种电梯钢丝绳张力检测装置方法

[发明专利]一种激光器外延结构和垂直腔面发射激光器制备方法-CN202210683916.6在审
发明人：潘德烈 -专利权人：深圳市德明利光电有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请提供一种激光器外延结构和垂直腔面发射激光器制备方法，涉及激光器技术领域，包括衬底，以及依次层叠设置于衬底上的底部N型分布式布拉格反射镜、量子阱、P型分布式布拉格反射镜、隧道结和顶部N型分布式布拉格反射镜，或，以及依次层叠设置于衬底上的底部N型分布式布拉格反射镜、隧道结、P型分布式布拉格反射镜、量子阱和顶部N型分布式布拉格反射镜。由此，通过在激光器外延结构中加入隧道结，从而能够形成双N型分布式布拉格反射镜的器件结构，进而得以形成双N型金属层的器件结构，以便于使得器件在载流子迁移率和整体电效率方面的性能获得提升，同时，也能够改善器件的散热
一种激光器外延结构垂直发射制备方法

[发明专利]一种非对称结构布拉格光栅结构法布里-波罗滤波器-CN202210357094.2在审
发明人：冯吉军;袁硕;陈剑;高萍 -专利权人：嘉兴佳晔光子科技有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种非对称结构布拉格光栅结构法布里‑波罗滤波器，其由输入非对称布拉格波导光栅、第一段F‑P腔直波导、单周期非对称布拉格波导、第二段F‑P腔直波导、输出非对称布拉格波导光栅组成。F‑P腔滤波器是由输入输出两个非对称布拉格光栅作为F‑P腔的反射镜，两个F‑P腔直波导中间插入单周期的光栅作为F‑P腔的谐振腔。本发明的用于窄线宽激光器的可调非对称布拉格光栅结构F‑P腔滤波器采用了非对称布拉格波导和覆盖电极的双F‑P腔直波导结构，解决了传统光栅滤波器的滤波波长调控精度不高、损耗大和无法对带宽进行调控的问题。
一种对称结构布拉格光栅法布里波罗滤波器

[发明专利]基于纳米梁谐振腔的超小尺寸超大自由光谱范围滤波器-CN202310733289.7在审
发明人：孙春雷;李兰;唐仁杰;林宏焘 -专利权人：西湖大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明公开一种基于纳米梁谐振腔的超小尺寸超大自由光谱范围滤波器，该结构包括由入射波导、耦合波导和出射波导依次相连构成的边耦合波导，以及位于纳米梁波导上的左侧布拉格反射镜孔阵列、拉锥渐变型孔阵列、反向拉锥渐变型孔阵列、右侧布拉格反射镜孔阵列。左侧布拉格反射镜孔阵列的周期和右侧布拉格反射镜孔阵列的周期不同，两者形成的布拉格重叠带与纳米梁谐振腔的自由光谱范围满足一定的条件。本发明将波导耦合器与非对称纳米梁谐振腔结合，通过调整左右两侧布拉格反射镜形成的布拉格重叠禁带，使其小于纳米梁谐振腔的自由光谱范围，可实现全光谱范围单纵模激励，从而实现单通道信号滤波。
基于纳米谐振腔尺寸超大自由光谱范围滤波器

[发明专利]一种光纤布拉格光栅压力传感器及其相应的测量方法-CN201010223373.7有效
发明人：李宏伟;冷志鹏;马佑桥 -专利权人：宁波杉工结构监测与控制工程中心有限公司
申请日： 2010-07-05 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： G01L1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种光纤布拉格光栅压力传感器及其相应的测量方法，该传感器包括壳体、弹性膜片、L形等强度梁和光纤布拉格光栅，壳体的顶端设置有开口，开口与壳体的内部空间构成腔体，弹性膜片覆盖开口，等强度梁设置于腔体内，等强度梁的梁臂的自由端设置有受压块，弹性膜片的下表面设置有与受压块紧密连接的硬凸台，光纤布拉格光栅主要由两个温度梯度完全相同的布拉格光栅通过光纤串联连接构成，两个布拉格光栅分别连接于梁臂的上下表面上，优点在于在设计时弹性膜片与梁臂刚性连接，不仅可提高测量精度，而且可降低工艺难度；由于光纤布拉格光栅主要由两个温度梯度相同的布拉格光栅构成，这样在测量时可解决温度交叉敏感问题。
一种光纤布拉格光栅压力传感器及其相应测量方法

[发明专利]基于非均匀光纤布拉格光栅分布式传感的光谱识别方法-CN201310455613.X有效
发明人：于雪莲;沈涛;熊艳玲;胡超;杨倩茹;王伟佳 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G01D3/028 文献下载
摘要：基于非均匀光纤布拉格光栅分布式传感的光谱识别方法，涉及基于非均匀光纤布拉格光栅分布式传感的光谱识别技术领域。解决了现有光谱识别方法在进行光谱识别时，当光纤布拉格光栅长度与被测物体的尺寸相当，同时被测物体体内存在非均匀的传感参数的作用场时，导致光纤布拉格光栅的反射谱形状发生改变，进而影响光谱识别效率的问题。基于非均匀光纤布拉格光栅分布式传感的光谱识别方法，它包括以下步骤：计算非均匀应变场作用下的光栅折射率分布；建立非均匀外界应变场作用下光栅光谱识别的传输矩阵模型；传输矩阵模型得出非均匀外界应变场作用下直角三角谱光纤布拉格的光谱变化本发明适用于非均匀光纤布拉格光栅的光谱识别。
基于均匀光纤布拉格光栅分布式传感光谱识别方法

[发明专利]分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极-CN201210319019.3有效
发明人：康俊勇;高娜;杨旭;李金钗;李书平 -专利权人：厦门大学
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极，涉及一种电极。提供一种可抑制发光二极管金属电极吸收光较强的负面效应，改善发光二极管横向电流扩展均匀性的分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极。设有分布式布拉格反射结构、小面积金属欧姆接触阵列和半导体基底；分布式布拉格反射结构设在半导体基底上，分布式布拉格反射结构为多层介质，所述多层介质由至少1层高折射率介质层和至少1层低折射率介质层交替组成的膜堆；所述小面积金属欧姆接触阵列与分布式布拉格反射结构复合并贯穿分布式布拉格反射结构再与半导体基底欧姆接触并形成复合三维电极。
分布式布拉格反射面积金属接触复合三维电极