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[发明专利]具有巨负电卡效应的反铁电陶瓷材料、其制备方法与用途-CN201710537751.0有效
发明人：李彼;唐新桂;刘秋香;蒋艳平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： F25B21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有巨负电卡效应的反铁电陶瓷材料，所述反铁电陶瓷材料的化学组成为：(Pb1‑3x/2Lax)(Zr0.95Ti0.05)O3；所述x为0.02～0.1；所述反铁电陶瓷材料具有巨负电卡效应与现有技术相比，本发明提供的反铁电陶瓷材料电卡效应制冷具有制冷系数大、能量转换率较高和易实现集成化的特点。
具有负电效应反铁电陶瓷材料制备方法用途

[发明专利]一种巨介电薄膜晶体管-CN201910414063.4在审
发明人：兰林锋;陈卓;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种巨介电薄膜晶体管，设置有栅极和半导体以及位于栅极和半导体层之间的栅绝缘层。所述栅绝缘层为采用巨介电材料作为栅绝缘层。巨介电材料处于陶瓷块状态时，在频率1kHz下相对介电常数大于10000，巨介电材料处于薄膜状态时，在1kHz下相对介电常数大于500。所述巨介电材料为非铁电陶瓷材料。与离子双电层作为TFT的栅绝缘层相比，本发明的巨介电薄膜晶体管具有频率响应好的优势，反相器频率响应大于500Hz，并且低耗电路，因此在显示器领域中具有良好的应用潜力。同时本发明的巨介电薄膜晶体管采用为非铁电材料制备而成，因此无迟滞现象。
巨介电材料介电薄膜栅绝缘层晶体管相对介电常数频率响应非铁电陶瓷材料半导体层薄膜状态应用潜力电材料反相器双电层陶瓷块状态时迟滞制备显示器半导体离子电路

[发明专利]基于巨磁电阻的电涡流检测传感器及其方法-CN200710156209.7无效
发明人：范孟豹;黄平捷;侯迪波;张光新;龚翔;贺光琳;叶波;周泽魁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2007-09-30 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： G01N27/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三巨磁电阻的电涡流检测传感器及其检测方法。采用激励线圈产生交变的磁场，激励线圈放置于被检测物体上方，激励线圈与被检测物体之间放置磁敏感方向两两正交的巨磁电阻I、巨磁电阻II、巨磁电阻III，巨磁电阻I与放大电路I相连，巨磁电阻II与放大电路II相连，巨磁电阻III与放大电路III相连，放大电路I、放大电路II、放大电路III的输出为与巨磁电阻I、巨磁电阻II、巨磁电阻III处磁场对应的电压信号，该电压信号包含被检测物体中的电涡流分布信息。基于三巨磁电阻的电涡流检测传感器，不仅对深层或多层缺陷检测有很高的灵敏度和空间分辨率，而且有利于缺陷的定量分析。
基于磁电涡流检测传感器及其方法

[发明专利]一种含巨介电粉的铝电解电容器用材料及其制备方法-CN202110971288.7有效
发明人：史瑞科;张于胜;白光珠;王立强;王海丽;刘璐 -专利权人：西安稀有金属材料研究院有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01G9/045 文献下载
摘要：本发明公开了一种含巨介电粉的铝电解电容器用材料及制备方法，该材料组成原料中含有铝粉和通过施主掺杂方法向SrTiO3介质材料中引入施主离子改性得到的SrTiO3基巨介电粉；该制备方法包括：一、将SrTiO3与施主离子的前驱体球磨后预烧再球磨得到巨介电粉体；二、将铝粉、巨介电粉体制成铝浆本发明的材料中添加有施主掺杂方法得到的SrTiO3基巨介电粉，其电容值提高且仍保持较小的介电损耗；本发明采用固相法结合基体涂覆和烧结工艺，引入巨介电粉体，提高了巨介电粉体的稳定性和添加量
一种含巨介电粉铝电解电容器用材料及制备方法

[发明专利]基于巨介电陶瓷材料的长效储能电容器-CN202110607929.0在审
发明人：吴永德;郑洪河 -专利权人：吴永德
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：一种基于巨介电陶瓷材料的长效储能电容器，属于储能器件技术领域。该基于巨介电陶瓷材料的长效储能电容器包括第一固态相和第二固态相，第一固态相和第二固态相中至少一个设有巨介电陶瓷层，巨介电陶瓷层设置在集电极上；第一固态相和第二固态相之间设置有电解质层，电解质层中设有隔膜本发明基于巨介电陶瓷材料能够制成大容量长效储能电容器，突破了传统物理电容器由于自身体积电阻导致的自放电较快而难以长时间储存电荷的问题。
基于巨介电陶瓷材料长效电容器

[发明专利]一种Zn+Ta共掺杂TiO2-CN202210482575.6在审
发明人：徐东;蒋志;李永涛;李家茂;王梦凡;左如忠;李宇佳;赵丹;孙志鹏 -专利权人：安徽工业大学;安徽工程大学;中机智能装备创新研究院（宁波）有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明涉及介电陶瓷制备技术领域，具体涉及一种Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷、制备方法及其应用，采用闪烧法制备组成为(Zn1/0.05Ti0.95O2(ZTTO)的TiO2基巨介电陶瓷，利用XRD、SEM和XPS对Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷的微观结构、电学性能、快速致密化理论和巨介常数来源进行了综合研究，在不同电场强度下，焦耳热和高加热速率实现样品快速致密，细化了材料的微观结构，优化了材料的介电性能，当电场为200V/cm时，获得了巨介电常数(ε′～1.32×104)和较低的介电损耗(tanδ～0.27)，炉温降低了25％，烧结时间缩短了90％以上，巨介电常数可能源于电子钉扎缺陷偶极子极化和麦克斯韦‑瓦格纳弛豫型界面极化，这为TiO2基巨介电陶瓷的制备开辟了途径。
一种 zn ta 掺杂 tio base sub

[发明专利]一种基于巨磁阻效应芯片的三轴磁场强度计-CN201610051496.4在审
发明人：张日;郭强;路翎;屈成忠;唐晓成;张逢春;李晶;张桐 -专利权人：东北电力大学
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明是一种基于巨磁阻效应芯片的三轴磁场强度计，其特点是，包括：电源端口电路、稳压模块电路、升压模块电路、激励产生电路、巨磁阻芯片模块电路、单片机最小系统电路，所述的电源端口电路与稳压模块电路电连接，所述的稳压模块电路分别与升压模块电路、巨磁阻芯片模块电路电连接，所述的升压模块电路与激励产生电路电连接，所述的激励产生电路分别与巨磁阻芯片模块电路、单片机最小系统电路电连接，所述的巨磁阻芯片模块电路与单片机最小系统电路电连接。
一种基于磁阻效应芯片磁场强度

[发明专利]一种巨介电陶瓷填料/介电弹性体复合材料及制备方法-CN202310398844.5在审
发明人：阮梦楠;刘晓伟;刘志锋;蒋婷婷 -专利权人：天津城建大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C08L9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种巨介电陶瓷填料/介电弹性体复合材料及制备方法。所述复合材料中巨介电陶瓷填料为A位和B位掺杂钛酸锶钡(BaSrTiO3)，其中介电弹性体复合材料基体材料为天然橡胶、丁腈橡胶、硅橡胶和聚氨酯等。选取天然橡胶、丁腈橡胶、硅橡胶和聚氨酯100份，硫化剂1‑5份，巨介电陶瓷填料5‑20份共混，然后在150‑180℃高温下硫化25‑50分钟，制得介电弹性体复合材料。制得的巨介电陶瓷填料拥有巨介电常数(104‑106)以及低介电损耗(0.002‑0.2)，将其添加到天然橡胶、丁腈橡胶、硅橡胶和聚氨酯中，所制得的复合材料大大提高了介电性能，且在较低电场下获得高电致形变，使得介电弹性体应用范围更加广泛。
一种巨介电陶瓷填料弹性体复合材料制备方法

[发明专利]蓄巨力发巨电全新套设备-CN201510415260.X有效
发明人：黄衍尧;黄毅;黄昌宁 -专利权人：黄昌宁
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： F03B13/00 文献下载
摘要：蓄巨力发巨电全新套设备是：人、水、风、电等任何动力机→对应连接构件→减速器→钢板孙悟空→发电机→用电器或电网。作用是：200％克服了风能不稳定性全球巨难题——连台风、两天无风仍正常供电；全面应用于车、船等无限机械作全新动力；立减潜艇蓄电池空间70％和技师苦力90％；还有自生电手机和电脑、加电宝、万年钟楼，体育健身、开关门、自来水自蓄力发电工程，更有让人震惊的竟是“海面自蓄力别墅”人间天堂等最少38项国际巨工程均可实施。
蓄巨力发巨电全新设备

[发明专利]一种基于巨磁电阻和正交偏置调制的金属探测方法及装置-CN201610247899.6有效
发明人：刘要辉;王天真;彭建学 -专利权人：上海海事大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： G01V3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于巨磁电阻和正交偏置调制的金属探测方法及装置。本发明的方法包括两部分：第一部分针对克服激励线圈磁场分量，提出了“正交偏置”方法，即巨磁电阻传感器的偏置电流与激励线圈电流频率相同、相位相差90°，从而使巨磁电阻传感器输出的直流信号仅与金属电涡流磁场有关；第二部针对克服放大电路的直流失调，提出了“移相调制”方法，经过低通滤波器，从而率除了放大电路的直流失调，获得仅与金属电涡流有关的信号输出。本发明的装置由激励线圈、巨磁电阻传感器、检测电路组成。巨磁电阻传感器置于激励线圈中，激励线圈用于产生交流磁场，巨磁电阻传感器用于敏感金属电涡流磁场，检测电路用于检测金属涡流信号。
一种基于磁电正交偏置调制金属探测方法装置

[发明专利]一种铋基棒状结构巨介电陶瓷材料及制备方法-CN202111234855.7有效
发明人：高攀;陈昕;张方晖 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种铋基棒状结构巨介电陶瓷材料及制备方法，属于介电陶瓷材料及巨介电陶瓷介电电容器领域，该陶瓷材料的制备采用一定量的MgO和WO3制备出混合物A再将得到的混合物本发明方法制得的无铅巨介电陶瓷材料呈棒状结构、致密性较好，且具有巨介电的特点，适合巨介电材料在高密度存储器件中的广泛应用。
一种铋基棒状结构巨介电陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种巨介电常数介质材料及其制备方法和应用-CN202310926451.7在审
发明人：王梦龙;李拓;邹晓峰;王长红;苏康;柳萌;方兴 -专利权人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明属于介电材料技术领域，具体涉及一种巨介电常数介质材料及其制备方法和应用。本发明提供的巨介电常数介质材料的制备方法，通过选择La3+和Ta5+作为掺杂离子，结合在氮气或氢气与氮气混合气体气氛中进行热处理，通过控制掺杂含量，调控TiO2基介质材料的介电性能，从而提供具有巨介电常数、低介电损耗和良好频率稳定性介质材料，所得材料在实现介质材料巨介电常数和低介电损耗的同时，介电常数和介电损耗随频率的稳定性显著提高，从而满足高性能介质电容器或动态存储器等领域的应用需求。
一种介电常数介质材料及其制备方法应用

[发明专利]一种复相巨介电陶瓷材料及其制备方法-CN202010205096.0有效
发明人：曹秀华;刘建梅;陈德宏;任海东;刘芸;特里·詹姆士·弗朗科姆;付振晓;沓世我 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种复相巨介电陶瓷材料，所述复相巨介电陶瓷材料的总组分表达式为AxBnxTi1‑(n+本申请所制备的复相巨介电陶瓷材料在具有巨介电﹑低损耗﹑频率和温度稳定性好的优良性能的基础上，重点突出其具有高绝缘电阻率的抗高压击穿性能，其绝缘电阻率高于1011同时，本发明还公开一种所述复相巨介电陶瓷材料的制备方法。
一种复相巨介电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种BCTZ-xCu体系巨介电陶瓷的制备方法-CN201410035085.7无效
发明人：蒲永平;孙梓雄 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2014-01-25 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明提供了一种BCTZ-xCu体系巨介电陶瓷的制备方法，包括以下步骤：将BaCl₂·2H₂O、CaCl₂、ZrOCl_{2巨介电陶瓷粉体；将BCTZ-xCu体系巨介电陶瓷粉体通过去离子水洗涤、沉淀；将成型后的坯体在马弗炉中进行微波烧结，得到BCTZ-xCu体系巨介电陶瓷。本发明与传统CCTO巨介电材料相比，其制备工艺简单，容易合成，大大缩短了烧结时间，提高了生产效率。}
一种 bctz xcu 体系巨介电陶瓷制备方法

[发明专利]车轮传感器-CN200810064788.7无效
发明人：刘晓为;张海峰;唐佳禄;尹亮;刘广新 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-06-23 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： B61L1/16 文献下载
摘要：它包括固定支架和巨磁阻传感器，巨磁阻传感器包括偏置磁场、信号调理电路和巨磁阻芯片，信号调理电路包括依次电连接的仪表放大器、数字比较器和低通滤波器，仪表放大器连接巨磁阻芯片、偏置磁场的N极对应巨磁阻芯片设置本发明采用巨磁阻传感器设计，可用于火车车轮检测，有效减小系统的体积，提高系统的工作温度范围和系统工作的稳定性，能够很好的适应铁路现场的工作环境。
车轮传感器

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