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[发明专利]工艺条件感测设备-CN202180086785.7在审
发明人： F·A·库利 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：根据本公开的一或多个实施例，公开一种壳体组合件。所述壳体组合件包含顶部部分。所述壳体组合件进一步包含底部部分。所述顶部部分能经由一或多个耦合装置可拆卸地连接到所述底部部分。所述顶部部分进一步能经由一或多个电子接触件可逆地电耦合到所述底部部分。一或多个电子组件经安置于所述壳体组合件内。
工艺条件设备

[发明专利]CMP工艺条件调整控制方法-CN200710094357.0有效
发明人：刘艳平;张震宇;金新 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMP工艺条件调整控制方法，收集整理制品前膜、残膜膜厚均一性与工艺条件之间的关系，建立根据前膜厚度范围调整工艺条件的表格；每个制品在CMP工艺进行前一步，进行前膜膜厚测量，获得前膜厚度范围；在CMP工艺进行的过程中，CMP设备根据前膜厚度范围大小，依据建立的根据前膜厚度范围调整工艺条件的表格选定相应的CMP工艺条件进行研磨。
cmp 工艺条件调整控制方法

[发明专利]细胞培养工艺搜索方法、细胞培养工艺搜索程序、细胞培养工艺搜索装置及已学习模型-CN202180015602.2在审
发明人：寺尾隆宏 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2021-02-15 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C12N5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够搜索最佳的培养条件的细胞培养工艺搜索方法、细胞培养工艺搜索程序及细胞培养工艺搜索装置。本发明的细胞培养工艺搜索方法具有：工艺条件产生工序，产生培养细胞的多个工艺条件；培养结果预测工序，对于工艺条件产生工序中所产生的所述多个工艺条件中的每一个，获取细胞的培养预测结果；及最佳化工艺条件获取工序，从在培养结果预测工序中所获得的培养预测结果，发现最佳的工艺条件。并且，本发明为执行的细胞培养工艺搜索程序及细胞培养工艺搜索装置。工艺条件包含多个培养基组成及多个培养条件中的至少任一个。
细胞培养工艺搜索方法程序装置学习模型

[发明专利]一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件的方法-CN201710276130.1有效
发明人：陈巧丽;杨正凯;毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件的方法，首先确定参数相同的掩模版的基准工艺条件，再确定第一掩模版的最佳工艺条件，之后计算第一掩模版最佳工艺条件偏离基准工艺条件的比率，若该比率大于等于设定阈值，则第一掩模版送检调查，若该比率小于设定阈值，则根据上述比率和第二掩模版基准工艺条件确定第二掩模版的最佳工艺条件，以此类推，确定剩余掩模版的最佳工艺条件。本发明提供的一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件的方法，可以快速建立光刻工艺条件，减少确定最佳离焦量和曝光量的试生产时间，较快导入新品，提高生产能力。
一种通过预补值来快速建立光刻工艺条件方法

[发明专利]金属铝填孔的方法-CN201810120404.2有效
发明人：王星杰;沈今楷;刘春玲;季芝慧 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属铝填孔的方法，包括步骤：提供形成有层间膜的半导体衬底，在层间膜中形成有通孔；采用溅射工艺并按照形成铝籽晶的工艺条件形成第一金属铝籽晶层；采用溅射工艺并在第二工艺条件下形成第二金属铝层并将通孔进行无空洞填充；第二工艺条件的温度大于形成铝籽晶的工艺的温度，第二工艺条件的射频功率小于形成铝籽晶的工艺的射频功率；对半导体衬底进行冷却；采用溅射工艺并在第三工艺条件下形成第三金属铝层并叠加形成所需厚度的总金属铝层；第三工艺条件的温度等于第二工艺条件的工艺的温度，第三工艺条件的射频功率大于第二工艺条件的射频功率。
金属铝填孔方法

[发明专利]用于辅助优化工艺的方法、装置和电子设备-CN202210978707.4在审
发明人：卢世祺;郑莲君;王纵虎 -专利权人：北京晶泰科技有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G16C20/10 文献下载
摘要：本申请涉及了一种用于辅助优化工艺的方法、装置和电子设备。该用于辅助优化工艺的方法包括：获得条件参数空间和优化目标；对所述条件参数空间进行采样，得到多个采样条件点；通过预设模型预测多个所述采样条件点，得到每个采样条件点的优化目标的估计；通过预设采集函数处理每个采样条件的优化目标的估计，从多个采样条件点中确定推荐条件点；以及输出推荐条件点。通过贝叶斯优化自动生成推荐的工艺条件参数值，引导工艺优化过程，可以缩短工艺优化的周期，以更少的实验获得更优的工艺条件，同时能够节省工艺优化过程中消耗的物料成本，降低对技术人员的先验知识的依赖。
用于辅助优化工艺方法装置电子设备

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN202110585596.6在审
发明人：程仲良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体工艺系统蚀刻半导体晶圆上的薄膜。半导体工艺系统包括基于机器学习的分析模型。分析模型通过接收静态工艺条件和目标薄膜数据来动态选择蚀刻工艺的工艺条件。分析模型识别动态工艺条件数据，该数据与静态工艺条件数据一起可使得预测的剩余薄膜数据与目标薄膜数据匹配。然后，工艺系统将静态和动态工艺条件数据用于接下来的蚀刻工艺。
集成电路及其形成方法

[发明专利]光刻工艺条件添加方法及装置、设计系统、介质和设备-CN202110339791.0有效
发明人：陈志立 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开是关于一种光刻工艺条件添加方法、光刻工艺条件添加装置及图形设计系统、存储介质和电子设备，所述光刻工艺条件添加方法，用于图形设计系统，包括：获取所述图形设计系统中记录的层识别码，根据所述层识别码确定光刻层对应的工艺条件；根据所述工艺条件生成工艺类型数据信息；将所述工艺类型数据信息通过所述层识别码标记，并存储至所述图形设计系统中。本公开可以在EDA的图形设计系统中添加光刻工艺条件。
光刻工艺条件添加方法装置设计系统介质设备

[发明专利]判定半导体工艺条件的方法-CN200610071587.0有效
发明人：周文湛;于劲;施继雄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：判断半导体曝光条件的方法，包括提供一具有多个相异线条间距的图形区的光掩模，依据多组设定值相异的工艺参数经由该光掩模对多个晶片曝光，量测各该晶片上的各个图形区的一临界尺寸，并建立该多个图形区的线条间距与相对应的多个临界尺寸的对应关系数据库；经由该光掩模对一预测晶片曝光，以同样方法建立该预测晶片上的一组对应关系；由所建立的该对应关系数据库中，找出一组最近似于该预测晶片所建立的该组对应关系，并依此判断当该预测晶片进行曝光时所使用的该多个工艺参数的设定值
判定半导体工艺条件方法

[发明专利]修正CMP作业工艺条件的方法-CN200610116251.1有效
发明人：刘艳平;赵正元 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-09-20 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种修正CMP作业工艺条件的方法，它可以根据不同的研磨速率倾向参数选择不同的CMP作业工艺条件，进而可以控制产品膜厚，提高产品膜厚的均一性。它根据产品的研磨速率倾向参数选择CMP作业工艺条件，其中不同的研磨速率倾向参数对应不同的CMP作业工艺条件，所述研磨速率倾向参数是硅片在中心区域的研磨速率和边缘某个区域研磨速率的比值。
修正 cmp 作业工艺条件方法

[发明专利]工艺条件测量设备(PCMD)和方法-CN201280016390.0有效
发明人： M·孙;F·曲利;E·詹森;P·阿里欧;V·维沙 -专利权人：克拉-坦科股份有限公司
申请日： 2012-01-24 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种工艺条件测量设备(PCMD)可包括第一和第二衬底组件。一个或多个温度传感器被嵌入到每个衬底组件中。当PCMD受工件加工工具中的工艺条件作用时，可测量多对相应的温度传感器之间的温度差。可从这些温度差计算出工具中的工艺条件。
工艺条件测量设备 pcmd 方法

[发明专利]基于工艺条件选择的智能化工系统-CN201910921896.X有效
发明人：周政;闫瀚钊;刘颖;王苏 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于工艺条件选择的智能化工系统，包括，前端显示模块，其实时显示当前需求及选择的对应工艺相关信息；控制模块，所述控制模块包括：需求单元，根据实际化工结果输入控制模块内；还设置有工艺条件建模单元，其内设置有工艺选择矩阵H(D，E)，其将各种化学反应及工艺过程进行分类，并设定工艺选择值B；处理模块，其根据用户需求获取符合需求的各种特定工艺条件，并根据工艺条件选择的结果获取最终的工艺条件。
基于工艺条件选择智能化工系统

[发明专利]基于工艺效果选择的智能化工系统-CN201910922109.3有效
发明人：周政;闫瀚钊;刘颖;王苏 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于工艺效果选择的智能化工系统，包括，前端显示模块，其实时显示当前需求及对应的工艺效果相关信息；控制模块，所述控制模块包括：需求单元，根据实际化工需求输入控制模块内；还设置工艺效果建模单元，其内设置有工艺效果矩阵P，通过工艺效果与物料、工艺条件、设备进行综合选择；通过工艺效果与物料、工艺条件、设备之间的加权关系，选择对应的物料、工艺条件、设备，所述处理模块按照工艺效果、设备、工艺条件、物料的选择顺序进行调整，优先调整工艺效果、设备选择，之后调整工艺条件的选择，最后对物料进行选择，直至达到最优值。
基于工艺效果选择智能化工系统

[发明专利]信息处理装置、程序和工艺条件搜索方法-CN202210085909.6在审
发明人：野田勇人;山崎翔太;竹永裕一;福元敏之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G06N20/00 文献下载
摘要：本发明提供信息处理装置、程序和工艺条件搜索方法，其使用半导体制造装置的机器学习模型，搜索能够达成作为目标的工艺结果的工艺条件。为了解决上述问题，信息处理装置生成依照工艺条件执行处理的半导体制造装置的机器学习模型，使用机器学习模型搜索能够达成作为目标的工艺结果的工艺条件，并包括：选择使用多个回归方法所生成的多个机器学习模型中的、适合于数据集的机器学习模型的模块；使用所选择的机器学习模型进行优化计算，计算多个工艺条件、工艺结果的预测值和预测值的可靠度的模块；根据工艺结果的预测值和预测值的可靠度，选择1个以上的工艺条件的模块；以及显示所选择的工艺条件、工艺结果的预测值和预测值的可靠度的模块。
信息处理装置程序工艺条件搜索方法

[发明专利]动态调节薄膜沉积参数的系统和方法-CN202110366655.0在审
发明人：程仲良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：该分析模型通过接收静态工艺条件和目标薄膜数据来动态选择下一个沉积工艺的工艺条件。该分析模型可识别动态工艺条件数据，该数据与静态工艺条件数据一起可生成与目标薄膜数据匹配的预测薄膜数据。然后，沉积系统将静态和动态工艺条件数据用于下一个薄膜沉积工艺。
动态调节薄膜沉积参数系统方法

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