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[发明专利]具有阻挡层的铜接触插塞-CN201210390173.X有效
发明人：苏莉玲;谢静华;陈煌明;曹学文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了具有阻挡层的铜接触插塞，其中，一种器件包括导电层，导电层包括底部以及位于底部上方的侧壁部分，其中侧壁部分连接至底部的端部。含铝层与导电层的底部重叠，其中含铝层的顶面与导电层的侧壁部分的顶部边缘基本平齐。氧化铝层覆盖在含铝层之上。含铜区域位于氧化铝层上方并通过氧化铝层与含铝层隔开。含铜区域通过导电层的侧壁部分的顶部边缘电连接至含铝层。
具有阻挡接触

[实用新型]一种抗菌防霉石英石板材-CN202020345492.9有效
发明人：林建家;潘孝贞 -专利权人：金牌厨柜家居科技股份有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： A47B77/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗菌防霉石英石板材，包括石英石基层，石英石基层上设有含银抗菌层，含银抗菌层上设有耐磨层，耐磨层内设有若干贯通至含银抗菌层的孔洞；孔洞为中空结构或孔洞内设有含银抗菌层的延伸部分。本实用新型的抗菌防霉石英石板材在含银抗菌层外设置耐磨层，耐磨层起到耐酸碱耐腐蚀耐磨损作用，可以保护内部的含银抗菌层，防止含银抗菌层磨损导致的抗菌效果减弱甚至丧失；同时耐磨层内设置孔洞，水分会通过孔洞渗入至含银抗菌层或解除含银抗菌层的延伸部分
一种抗菌防霉石英石板材

[发明专利]半导体工艺所用的方法-CN202111535505.4在审
发明人：蔡承晏;吴仲强;黄泰维;锺鸿钦;李威缙;李达元;苏庆煌;庄媖涓;刘冠廷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在一实施例中，方法包括暴露第一装置的第一含金属层与第二装置的第二含金属层至反应物，以分别形成多个单层于第一含金属层与第二含金属层上。第一装置与第二装置位于基板上。第一装置包括第一栅极结构，且第一栅极结构包括第一含金属层。第二装置包括第二栅极结构，且第二栅极结构包括第二含金属层，而第一含金属层与第二含金属层不同。暴露第一含金属层与第二含金属层上的单层至氧化剂，以提供单层所用的羟基封端表面。之后形成第三含金属层于第一含金属层与第二含金属层上的单层的羟基封端表面上。
半导体工艺所用方法

[发明专利]半导体工艺所用的方法-CN201910103532.0有效
发明人：蔡承晏;吴仲强;黄泰维;锺鸿钦;李威缙;李达元;苏庆煌;庄媖涓;刘冠廷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在一实施例中，方法包括暴露第一装置的第一含金属层与第二装置的第二含金属层至反应物，以分别形成多个单层于第一含金属层与第二含金属层上。第一装置与第二装置位于基板上。第一装置包括第一栅极结构，且第一栅极结构包括第一含金属层。第二装置包括第二栅极结构，且第二栅极结构包括第二含金属层，而第一含金属层与第二含金属层不同。暴露第一含金属层与第二含金属层上的单层至氧化剂，以提供单层所用的羟基封端表面。之后形成第三含金属层于第一含金属层与第二含金属层上的单层的羟基封端表面上。
半导体工艺所用方法

[发明专利]形成硅化镍的增强方法-CN201010519988.4有效
发明人： J·P·卡哈兰;G·哈姆;G·R·奥拉德伊斯;D·L·雅克斯 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：采用镍涂覆含硅基体。采用一保护层涂覆镍并且加热结合体至一足够温度以形成硅化镍。硅化镍的形成可在含氧环境中进行。提供了一种方法，所述方法包括：a)提供含硅基体；b)在含硅基体上沉积镍层；c)在镍层上沉积银层；和d)加热具有镍层和银层的含硅基体至足够温度以形成硅化镍。
形成硅化镍增强方法

[发明专利]氮化物半导体结构及其制造方法-CN202110948747.X在审
发明人：焦佑麒;黄永立;朱俊宜;周圣伟 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体结构，其包括硅基板、成核层、含铝缓冲层以及超晶格层。成核层设置于硅基板上。含铝缓冲层设置于成核层上，且具有彼此交叠的M个AlGaN层和M个GaN层。超晶格层设置于含铝缓冲层上。含铝缓冲层的铝含量沿着成核层往超晶格层的方向从A渐变至B。每一个AlGaN层的铝含量的渐变量为(A‑B)/M。A介于90％至100％，且B介于0％至10％。
氮化物半导体结构及其制造方法

[发明专利]具有至少一个从含Se层至含BeTe层的过渡层的Ⅱ－Ⅵ半导体器件及此过渡层的制备方法-CN98807030.8无效
发明人： F·菲舍尔;A·瓦尔格;T·巴隆;G·兰德维尔;T·利茨;G·罗伊舍尔;M·凯姆;U·策恩德;H·P·斯坦吕克;M·纳格斯特拉瑟尔;H·J·卢戈尔 -专利权人：西门子公司
申请日： 1998-07-09 - 公布日： 2000-08-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：Ⅱ－Ⅵ半导体器件,在此器件上在一个层序列内,至少有一个由含BeTe半导体层向含Se半导体层的过渡层,并且在含BeTe半导体和含Se半导体层之间的界面是这样制备的,即形成一个Be－Se构型。
具有至少一个 se 层至含 bete 过渡半导体器件制备方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202011026228.X在审
发明人：沈香谷;陈殿豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：半导体结构包括设置在金属线上方的第一钝化层，设置在第一钝化层上方的含铜RDL，其中含铜RDL电耦接至金属线，并且含铜RDL的与第一钝化层的上表面接触的部分形成锐角，以及设置在含铜RDL上方的第二钝化层，其中位于第二钝化层和含铜RDL的顶面之间的界面是弯曲的。半导体结构可以进一步包括设置在第二钝化层上方的聚合物层，其中聚合物层的部分延伸以接触含铜RDL，电耦接至含铜RDL的凸块以及设置在凸块上方的焊料层。本申请的实施例还涉及制造半导体结构的方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202210275753.8在审
发明人：潘昇良;陈泳字;李中傑;徐永昌;洪嘉阳;王柏荃;陈冠亘;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体元件及其制造方法，制造方法包含形成栅极结构于半导体基板上；沉积含碳密封层于栅极结构之上；沉积含氮密封层于含碳密封层之上；引入含氧前驱物于含氮密封层上；加热基板使含氧前驱物解离成氧自由基，以将氧自由基掺杂至含氮密封层中；于加热基板后，蚀刻含氮密封层及含碳密封层，使得含氮密封层及含碳密封层的剩余物留在栅极结构的侧壁上作为栅极间隙壁。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]线路板及其制作方法-CN201510562497.0有效
发明人：王金胜;陈庆盛;张美勤;陈进达 -专利权人：旭德科技股份有限公司
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H05K1/09 文献下载
摘要：该线路板包括基板、图案化铜层、含磷化学钯层、化学钯层以及浸镀金层。图案化铜层配置于基板上。含磷化学钯层配置于图案化铜层上，其中含磷化学钯层中，磷的重量百分比介于4％至6％之间，而钯的重量百分比介于94％至96％之间。化学钯层配置于含磷化学钯层上，其中化学钯层中，钯的重量百分比至少为99％以上。浸镀金层配置于化学钯层上。
线路板及其制作方法

[发明专利]增加封装膜透光度的方法-CN200680031509.6有效
发明人： T·K·翁;S·亚达夫 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2006-08-02 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：所揭示者为一种用以沉积一含碳材料层至一基板上的方法，其包括传送一用以沉积该含碳材料层的前驱物的混合物至一处理室中，以硅掺杂该含碳材料层，并在一低温下沉积该含碳材料层至该基板上。在一态样中，可获得在一可见光光谱所有波长下均具有高透光性的含碳材料层。此外，提供一种用以沉积一可供多种显示应用(因其底下层本身热不安定性之故因而需要低温沉积制程)使用的封装层的方法。该封装层具有一或多阻障材料层及一或多氛晶形碳材料层。该非晶形碳层可用以降低热应力并防止所沉积膜层自基板表面剥离。
增加封装透光方法

[发明专利]基于侧壁保护的硬掩模刻蚀方法-CN202211451697.5在审
发明人：罗先刚;谷雨;罗云飞;刘凯鹏;牟帅;赵泽宇 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于侧壁保护的硬掩模刻蚀方法，包括：S1，制备超分辨光刻结构，自下而上依次包括衬底、介质层、含碳硬掩模层、含Si抗反射涂层、金属层和感光膜层；S2，在感光膜层中形成光刻图形结构，并依次刻蚀传递至金属层、含Si抗反射涂层，光刻图形结构包括在含Si抗反射涂层中形成的凹陷结构；S3，利用保护气体在含Si抗反射涂层上沉积聚合物，至少使含Si抗反射涂层的凹陷结构侧壁形成聚合物保护层；S4，利用等离子体刻蚀去除凹陷结构底部的聚合物保护层并继续刻蚀含碳硬掩模层，凹陷结构侧壁被聚合物保护层保护；S5，在凹陷结构侧壁的聚合物保护层消耗完之前，重复进行S3～S4，直至将光刻图形结构传递至含碳硬掩模层。
基于侧壁保护硬掩模刻蚀方法

[发明专利]以可变的氮/氢比所制造的自由基来生长介电薄膜的方法-CN201080059994.4无效
发明人：梁璟梅;X·陈;M·L·米勒;N·K·英格尔;S·文卡特拉马 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-12-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明描述形成介电层的方法。本方法可包括以下步骤：混合含硅前驱物与氮自由基前驱物，以及沉积介电层至基板上。氮自由基前驱物在远端等离子体中藉由将氢(H2)及氮(N2)流动至等离子体中以便允许调整氮/氢比例所形成。介电层起初为含硅及氮层，所述含硅及氮层可藉由在含氧环境中固化和/或退火薄膜而转化为含硅及氧层。
可变制造自由基生长薄膜方法

[发明专利]一种MEMS桥梁柱结构及其制作方法-CN202010253123.1有效
发明人：刘善善;朱黎敏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：其中，方法包括：提供衬底；在衬底上沉积含钛薄膜层；刻蚀含钛薄膜层，形成隔离槽和连接槽，隔离槽和连接槽从含钛薄膜层的上表面向下延伸至衬底的刻蚀停止面；在未被刻蚀的含钛薄膜层上，与，隔离槽和连接槽中沉积非晶硅层；刻蚀非晶硅层，去除位于隔离槽中的非晶硅层；在非晶硅层上与的隔离槽中沉积二氧化硅层。结构包括衬底；含钛薄膜层沉积在衬底上，且含钛薄膜层上开设有隔离槽和连接槽；隔离槽和连接槽从含钛薄膜层的上表面向下延伸至衬底的刻蚀停止面；非晶硅层沉积在剩余的含钛薄膜层上，并填充在连接槽中；二氧化硅层沉积在非晶硅层上
一种 mems 桥梁结构及其制作方法

[发明专利]具低电阻含金属薄层的制造方法-CN02822143.5有效
发明人： H·－J·巴思 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2002-09-09 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明是相关于产生具有低电阻的含金属层的方法，在该方法中，首先，具有一第一粒径尺寸的一含金属层(5’)是加以形成至一再结晶厚度(d1)，然后，一再结晶是在此再结晶厚度(d1)加以执行，以产生具有一较大粒径尺寸的含金属层(5”)，最后，具有该较大粒径尺寸的该含金属层(5”)是被薄化至一所需的目标厚度(d2)，因而造成具有被更进一步降低的电阻的一非常薄含金属层。
电阻金属薄层制造方法

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