专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高光通透性天线-CN201110262137.0有效
  • 祝辰 - 数伦计算机技术(上海)有限公司
  • 2011-09-06 - 2013-03-20 - H01Q1/38
  • 本发明公开了一种高光通透性天线,包括透明基材和导电材料,在透明基材的表面形成有微纳米级沟槽,导电材料位于微纳米级沟槽之内。该高光通透性天线使用微纳加工技术制备,可使导电材料对天线的光线透过率的影响减至最低。由于沟槽呈微纳米级宽,可以使导电材料不局限于透明导电材料,例如可以使用纳米银浆。此外,利用微纳加工技术,可以获得透明基材与导电材料一体成型的高光通透性天线,减少了天线的厚度,且不易造成天线的变形与损伤。
  • 一种通透天线
  • [发明专利]压力触控显示屏-CN201610541046.3有效
  • 蔺帅;王向前;朱修剑 - 昆山国显光电有限公司
  • 2016-07-11 - 2019-03-15 - G06F3/041
  • 本发明涉及一种压力触控显示屏,包括封装盖板、基板、封装侧板、显示单元、压力检测层和第一导电层,封装侧板的上端与封装盖板连接,封装侧板的下端与基板连接,封装侧板、封装盖板和基板包围形成密封腔室,显示单元、压力检测层和第一导电层设置在密封腔室内部,显示单元与基板连接,第一导电层与封装盖板或显示单元连接,且第一导电层接地,压力检测层与第一导电层相对设置,第一导电层与压力检测层形成电容器。
  • 压力显示屏
  • [发明专利]下电极的制造方法-CN02122004.2有效
  • 刘勇 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2002-05-28 - 2003-12-24 - H01L21/28
  • 在基底上形成具有电容器开口的氧化硅层,接着在氧化硅层的上表面和开口的侧壁和底部形成顺应性的导电层。之后在开口中填满光阻材质,并以此光阻材质为掩膜(mask),移除氧化硅层的上表面上的顺应性的导电层,使其转为冠状导电层。之后移除氧化硅层,以暴露出冠状导电层的外侧表面,此时光阻材质仍位于开口内保护冠状导电层的内侧表面。待氧化硅层移除后,再移除光阻材质以暴露出冠状导电层的内侧表面。
  • 电极制造方法
  • [发明专利]倾斜检测装置-CN98102805.5有效
  • 棚沢正义;南俊二 - 卡西欧计算机株式会社
  • 1998-07-02 - 2003-11-05 - G01C9/10
  • 在该绝缘壳体中,两导电销以一预定间隔相互并行地配置在其上,并具有一较大的直径部分,一较小的直径部分和它们之间的一台阶。在该球体容纳部分中,一导电球被装于其中,当该绝缘壳体被倾斜时,该导电球可在该球体容纳部分中沿该两导电销的纵向移动该导电球位于该较大直径部分上的一位置以与该两导电销电接触而输出一对应的检测信号。
  • 倾斜检测装置
  • [发明专利]液晶显示装置-CN03106806.5有效
  • 江口晋吾;辻百合子 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2003-03-03 - 2003-09-17 - G02F1/1343
  • 本发明的目的是提供一种具有在不特别地增加步骤的情况下形成的凹凸不平结构的透明电极的透射反射型液晶显示装置,在制造该透射反射型液晶显示装置中,在衬底上形成非晶透明导电膜,在该非晶透明导电膜中形成晶体部分以由此形成含有晶体部分的透明导电膜,去除含有晶体部分的透明导电膜表面的非晶部分以由此形成具有通过保留薄膜表面处的晶体部分形成的凹凸不平形状的透明导电膜,并且通过在具有凹凸不平形状的透明电极之上形成反射导电膜来形成具有凹凸不平形状的反射电极
  • 液晶显示装置
  • [发明专利]栅极导电体及其制造方法-CN201510335363.5有效
  • 倪志荣;王天佑;赖树伟 - 华邦电子股份有限公司
  • 2015-06-17 - 2019-12-03 - H01L21/285
  • 本发明提供了一种栅极导电体的制造方法,此方法包括在真空环境中沉积导电材料于半导体基板上,以形成包括钨的导电材料层于半导体基板上。此方法亦包括在真空环境中沉积包括钛的阻障材料层于导电材料层上。本发明亦提供了一种栅极导电体。本发明提供的栅极导电体及其制造方法,可在不增加工艺复杂度及生产成本的前提下,有效地改善或避免因发丝状(柱状)的钨突出部所导致的缺陷,进而有助于存储器装置的微小化及提升产品良率。
  • 栅极导电及其制造方法

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