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[发明专利]柱状结构纳米硅/非晶硅碳复合光导层液晶光阀及制备方法-CN03150495.7无效
发明人：杜丕一;于永红;韩高荣;翁文剑 -专利权人：浙江大学
申请日： 2003-08-18 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明公开了柱状结构纳米硅/非晶硅碳复合光导层液晶光阀及制备方法。它依次包括第一光学玻璃、第一透明导电膜、光导层、阻光层、介质反射层、第一液晶定向层、液晶层、第二液晶定向层、第二透明导电膜、第二光学玻璃组合而成；在第一透明导电膜上镀有由金属诱导层诱导制成的柱状结构纳米硅/非晶硅碳各向异性复合光导层。这种光导层材料，在可见光波段范围，其光/暗电导比为10¹～10⁴，根据制备金属诱导层厚度的不同，光导膜的纵向电导率是横向电导率的2～10倍。光阀的分辨率达到500～1000lp/inch。本发明由于采用各向异性柱状结构光导膜，光导膜的横向电导率小于纵向电导率，使载流子的横向扩散减小，光导层的分辨率大大提高，液晶光阀的分辨率得到改善。
柱状结构纳米非晶硅碳复合光导层液晶制备方法

[发明专利]一种高性能MEMS热电堆红外探测器结构及其制备方法-CN201210303727.8有效
发明人：毛海央;陈媛婧;欧文;明安杰 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-08-23 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种高性能MEMS热电堆红外探测器结构及其制备方法，其包括衬底；衬底上设有释放阻挡带，释放阻挡带内具有热隔离腔体，热隔离腔体的正上方设有黒硅红外吸收区，黒硅红外吸收区位于释放阻挡带上；黒硅红外吸收区的外侧设有若干热电堆，黒硅红外吸收区外侧的若干热电堆相互串接后电连接成一体；热电堆的探测冷端通过第一热导通电隔离结构及所述第一热导通电隔离结构下方的热传导体与衬底相连；热电堆的探测热端通过第二热导通电隔离结构与黒硅红外吸收区相接触，第二热导通电隔离结构位于释放阻挡带上。本发明结构简单易于实现，便于单片集成，响应率及探测率高，与CMOS工艺兼容，适用范围广，安全可靠。
一种性能 mems 热电红外探测器结构及其制备方法

[发明专利]光电转换器、探测器及扫描设备-CN201410648328.4有效
发明人：谢庆国;朱俊;牛明;王璐瑶 -专利权人：苏州瑞派宁科技有限公司
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种光电转换器，其包括硅光电倍增管阵列及与硅光电倍增管阵列耦合的光导，硅光电倍增管阵列为i×j个硅光电倍增管在水平面上拼接而成，i和j都是大于或等于2的整数。一种探测器，其包括闪烁晶体、电子学系统、光导、硅光电倍增管。一种扫描设备，其包括探测装置和机架，所述探测装置包括探测器，所述探测器包括所述的光电转换器。本发明主要采用硅光电倍增管的光电转换方案，因为硅光电倍增管体积小巧，排列紧实，适当尺寸与个数的硅光电倍增管搭配适合形状的光导后，可搭建高空间分辨率的PET探测器，最终提高整个PET系统的空间分辨率，并且很适合搭建具有
光电转换器探测器扫描设备

[发明专利]一种台面式硅掺砷阻挡杂质带探测器及其制备方法-CN201710470592.7有效
发明人：陈雨璐;王兵兵;王晓东;张传胜;谢巍;侯丽伟;潘鸣 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供了一种台面式硅掺砷阻挡杂质带探测器及其制备方法，包括在高导硅衬底上外延生长硅掺砷吸收层，掺杂砷离子；在吸收层上外延生长高阻硅阻挡层；再通过光刻、离子注入、快速热退火、深硅刻蚀、等离子体增强化学气相沉积本发明的优点在于：采用化学气相沉积法外延生长硅掺砷吸收层，便于增加吸收层厚度和调节掺杂浓度，提高吸收层的吸收效率及器件响应率，避免了离子注入引起的损伤，降低了暗电流；将负电极设置在高导硅衬底上，缩短了光生载流子的输运路径，降低了光生载流子被高导硅衬底中杂质和缺陷俘获的几率，进一步降低器件的暗电流，提高响应率。
一种台面式硅掺砷阻挡杂质探测器及其制备方法

[实用新型]光电转换器、探测器及扫描设备-CN201420684723.3有效
发明人：谢庆国;朱俊;牛明;王璐瑶 -专利权人：苏州瑞派宁科技有限公司
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种光电转换器，其包括硅光电倍增管阵列及与硅光电倍增管阵列耦合的光导，硅光电倍增管阵列为i×j个硅光电倍增管在水平面上拼接而成，i和j都是大于或等于2的整数。一种探测器，其包括闪烁晶体、光导、硅光电倍增管。一种扫描设备，其包括探测装置和机架，所述探测装置包括探测器，所述探测器包括所述的光电转换器。本实用新型主要采用硅光电倍增管的光电转换方案，因为硅光电倍增管体积小巧，排列紧实，适当尺寸与个数的硅光电倍增管搭配适合形状的光导后，可搭建高空间分辨率的PET探测器，最终提高整个PET系统的空间分辨率，
光电转换器探测器扫描设备

[发明专利]一种可控硅的驱动方法以及驱动装置-CN202211567978.7在审
发明人：卢博宇;黄伟;卢博朗;徐爽;卢贤利 -专利权人：浙江柳晶整流器有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H03K17/13 文献下载
摘要：本发明公开了所述可控硅的控制端连接驱动模块，所述驱动方法用于所述驱动模块，所述驱动方法包括：获取市电电压；根据所述市电电压判断是否出现过零检测信号；当出现所述过零检测信号时，向所述可控硅发出驱动信号。本发明在采集到过零检测信号之后，由于提前向可控硅发出驱动信号，使得可控硅能够在市电过零之前提前导通，从而可控硅能够连续导通，避免可控硅在延迟导通时承受的高频电压冲击。进而能够减少电路元器件的损耗。同时，由于可控硅在承受高频冲击电压时，会出现明显的电磁噪声，对线路会产生传导干扰。通过提前导通可控硅，能够避免了电压变化率和电流变化率带来的干扰问题。
一种可控硅驱动方法以及装置

[发明专利]一种新型的鼠笼式电机转子导条及其制造方法-CN201310296677.X在审
发明人：王岳元;孙申丰;谭绍洪 -专利权人：上海电气集团上海电机厂有限公司
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H02K3/02 文献下载
摘要：一种新型的鼠笼式电机转子导条，其成分质量百分比为：硅1.5％-1.7％，余量为铜以及不可避免的杂质，制造方法为：按上述成分将硅块以及电解铜放入中频电炉中熔炼；通过下引连铸机将熔炼产生的原料熔液铸成硅铜锭圆坯；通过挤压机将硅铜锭圆坯挤制成导条半成品，挤压机工作压力25Mpa，挤压加热温度870℃，挤压速度0.2米/分钟；通过液压拉拔机将导条半成品拉制成导条成品，液压拉拔机工作压力12Mpa，拉拔速度10米/本发明导条电导率稳定，能满足电机对导条电导率的要求，钎焊性能良好，可选用低银钎料，钎料的含银量由原先45％降至30％，每年可节约材料费几百万元，经济效益非常可观，并且机械性能优良。
一种新型鼠笼式电机转子及其制造方法

[实用新型]免氩焊压接式硅元件-CN01273761.5无效
发明人：杨雅祥;韩国强 -专利权人：杨雅祥;韩国强
申请日： 2001-12-27 - 公布日： 2002-10-23 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种大电流硅元件,具体涉及一种免氩焊压接式硅元件。目的是为克服现有技术的缺点而提供一种结构简单,封装容易,合格率高,成本低的免氩焊压接式硅元件。其技术解决方案是包括管座、管帽、管壳、管芯、与内引线连接的外引线和绝缘层,所述内引线是硬质材料制成的导杆,该导杆与管芯联接的一端设有导杆帽,所述导杆外侧设置有绝缘层,该绝缘层与管壳之间设有弹簧压紧装置。不仅可制作硅可控元件,还可制作硅整流元件。
免氩焊压接式硅元件

[发明专利]改性的填料颗粒和包含该颗粒的有机硅组合物-CN201680054553.2有效
发明人：索斯藤·费尔德;莫妮卡·弗里德里希斯;贡纳尔·霍夫米勒;阿比拉米·斯里坎斯;道格拉斯·杜克斯;苏米·丁卡尔;罗兰·瓦格纳;卡尔·海因茨·斯塔胡拉 -专利权人：莫门蒂夫性能材料有限公司
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：包含纳米金属氧化物/氢氧化物颗粒和具有增加的折射率的聚有机硅氧烷的组合物、固化这些组合物用于通过挤出或模塑方法制造具有高于所述聚有机硅氧烷的折射率的折射率的透明涂层、成型制品的方法。所述固化的聚有机硅氧烷组合物作为光学装置、涂层、透镜或光导的用途。
改性填料颗粒包含有机硅组合

[发明专利]一种具有分子滑轮作用的导离子型聚合物硅负极粘结剂及其制备方法-CN202211424185.X在审
发明人：贾叙东;张秋红;蔡一枫;刘彩霞 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C08G18/75 文献下载
摘要：本发明提供一种具有分子滑轮作用的导离子型聚合物硅负极粘结剂、其制备方法及其应用，所述粘结剂具有较高离子电导率，结合分子轮滑作用的结构设计，实现了硅负极优异的综合性能。基于这类粘结剂配置纳米硅负极浆料涂覆得到的硅负极片，具有首圈库伦效率高，电极阻抗低，容量保持率高等特点。
一种具有分子滑轮作用离子聚合物负极粘结及其制备方法

[发明专利]锆钛酸铅铁电膜非对称平板光波导-CN200310108721.6无效
发明人：胡古今;孙艳;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2003-11-20 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种锆钛酸铅铁电膜非对称平板光波导，该波导包括硅基片，在硅基片上依次有相互牢固结合的导电金属氧化物镍酸镧缓冲层，通过锆组份的变化得到折射率差异的锆钛酸铅衬底层和锆钛酸铅导光层。该波导是利用锆钛酸铅铁电膜的折射率随锆含量减少而增加的线性缓变特性，使得导光层和衬底的折射率有较小的差，从而实现光波在导光层中的单模传输。使光波导器件性能优化，满足了用于制作集成光路的要求。
锆钛酸铅铁电膜非对称平板波导

[发明专利]一种单晶硅光栅导模共振滤波器-CN202010065429.4有效
发明人：钱林勇;朱雯;李海涛;闫长春 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅光栅导模共振滤波器。滤波器基于单晶硅光栅制作导模共振结构，实现对线偏振光的光谱滤波，并通过改变单晶硅光栅的周期和高折射率薄膜的厚度来调节共振峰。其中TM线偏振光滤波器包括高折射率薄膜层锗、单晶硅光栅层；TE线偏振光滤波器包括二氧化硅薄膜层、锗薄膜层及单晶硅光栅层。TM、TE模式的线偏振光垂直入射到单晶硅三角形光栅上，在反射方向上实现对入射光谱的滤波。该反射滤光片结构中的单晶硅光栅采用湿法刻蚀，结构加工无需进行反应离子刻蚀，降低了此类器件的制备成本和难度。
一种单晶硅光栅共振滤波器

[发明专利]一种鼠笼式电机转子及其制备方法-CN201810606602.X在审
发明人：苏舜辉;邓伟杰;李明锐 -专利权人：广州西奥多电气设备有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H02K1/22 文献下载
摘要：本发明提供的一种鼠笼式电机转子，其包括预定数量导条、一对导电端环及一转子芯，所述转子芯为中空的圆柱体，该圆柱体内圆与外圆之间的区域设置有导条通孔，所述导条通孔贯穿所述转子芯的两端，所述导条通孔按一定距离环形均匀分布在所述转子芯上，所述导条通孔用于放置所述预定数量的导条，所述转子芯两端分别设有导电端环，所述导条为硅铜导条，其成分质量比为：硅1.8％～2％，余量为铜及不可避免的杂质；所述硅铜导条由于其材料特性导致电导率稳定，具有较高的启动转矩和过载能力，焊接性能优异，其故障率低，几乎可实现所述鼠笼式电机转子的无故障运行；本发明还提供一种鼠笼式电机转子的制备方法，该制备方法操作简单，质量可靠，成本可控性高。
转子芯鼠笼式电机转子导条制备导电端硅铜电导率材料特性过载能力焊接性能启动转矩区域设置故障率可控性质量比中空的内圆外圆贯穿

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202211513199.9在审
发明人：郭德霄;许东;刘胜北;雷嘉成;彭昊炆 -专利权人：上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法。该高电子迁移率晶体管中，势垒层位于非栅极区域的部分中掺杂有硅离子，势垒层位于栅极区域的部分中则未掺杂有硅离子或者仅有扩散的少量硅离子，从而可以在维持器件的较高阈值电压的情况下，大大提高沟道层内的二维电子气的浓度，继而降低导通电阻，有效缓解器件的阈值电压和导通电阻二者相互制约的问题。此外，本发明中在势垒层内掺杂的是硅离子，而硅离子的掺杂工艺更容易控制、精度更高，有利于提高所形成的器件稳定性。
电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]照明驱动电路和方法以及照明系统-CN201910547062.7在审
发明人：白浪;黄必亮;周逊伟 -专利权人：杰华特微电子(杭州)有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种照明驱动电路和方法以及照明系统，交流电源经整流桥得到输入电压对负载供电，所述交流电源和整流桥之间连接有可控硅调光器，所述驱动电路包括可控硅导通时刻检测电路、第一模块、第二模块和电流调节电路，所述可控硅导通时刻检测电路检测可控硅的导通时刻，得到可控硅的导通时刻信号，所述第一模块接收可控硅的导通时刻信号，得到预期输出平均电流值，所述第二模块接收预期输出平均电流值，并采样负载电流，根据预期输出平均电流值和负载电流调节负载电流参考值本发明的输出平均电流不会随着输入电压或负载电压变化，提高了一致性和线性调整率。
负载电流导通时刻平均电流预期输出可控硅电流调节电路可控硅导通第一模块交流电源时刻检测输入电压整流桥参考负载电流调节可控硅调光器输出平均电流照明驱动电路采样负载电路检测负载电压负载供电模块接收驱动电路线性调整照明系统电路

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