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[发明专利]硅太阳能电池减反射薄膜-CN200710019794.6无效
发明人：励旭东 -专利权人：江苏艾德太阳能科技有限公司
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于太阳能电池的硅太阳能电池减反射薄膜，该薄膜在硅片正表面沉积有富硅的氮化硅薄膜，在富硅氮化硅薄膜上面沉积有接近理想配比的氮化硅薄膜。靠近硅片表面的氮化硅薄膜含量高，表面钝化效果优于接近理想配比氮化硅薄膜，表面复合速度比正常配比氮化硅薄膜低一倍以上。富硅的氮化硅薄膜较薄，光吸收损失较少，仅吸收20％～30％波长在300纳米左右的短波光，对中长波光几乎没有吸收。其余氮化硅薄膜组分接近理想化学配比，几乎没有光吸收损失。采用多层或渐变折射率的氮化硅薄膜以后，比单一折射率(折射率为1.9～2.1)的氮化硅表面光反射减少2％～4％，也有利于提高电池效率。
太阳能电池反射薄膜

[发明专利]SONOS器件以及SONOS器件制造方法-CN201610985482.X在审
发明人：丁航晨;张强;黄冠群 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：根据本发明的SONOS器件包括：硅衬底层、布置在硅衬底层上的隧穿氧化层、布置在隧穿氧化层上的第一氮化硅富硅层、布置在第一氮化硅富硅层上的氮化硅富氮层、布置在氮化硅富氮层上的第二氮化硅富硅层、布置在第二氮化硅富硅层上的阻挡氧化层、以及布置在阻挡氧化层上的多晶硅层；其中，第一氮化硅富硅层和第二氮化硅富硅层的硅含量高于氮化硅富氮层的硅含量；而且第一氮化硅富硅层和第二氮化硅富硅层的氮含量低于氮化硅富氮层的氮含量。
sonos 器件以及制造方法

[发明专利]一种在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法-CN202111619653.4在审
发明人：田洪军;覃文治;陈庆敏;齐瑞峰;刘源;谢和平 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法，该方法采用分步制备的方式，其步骤包括：一、准备干净的半导体衬底材料；二、在所述半导体衬底上制备一层满足预设Si/N含量比的富氮型氮化硅；三、在所述富氮型氮化硅上制备一层满足预设Si/N含量比的富硅型氮化硅；四、对所述氮化硅进行低温退火。本发明能够获得低应力、高硬度、耐腐蚀的氮化硅薄膜。
一种半导体衬底制备氮化薄膜方法

[发明专利]基于介电钝化层场效应的非掺杂晶体硅太阳能电池-CN202211623964.2在审
发明人：黄仕华;骆芸尔;李林华 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于介电钝化层场效应的非掺杂晶体硅太阳能电池，包括n型单晶硅基础层，n型单晶硅基础层的反面依次有氟掺杂的氮化硅层/富氮的氮化硅层/银层，n型单晶硅基础层的正面依次有氟掺杂的氮化硅层/氧掺杂的氮化硅层氟掺杂的氮化硅对硅起到了优异的表面钝化作用，氧掺杂的氮化硅、富氮的氮化硅分别起到了空穴选择性接触和电子选择性接触的作用。通过掺杂调控氮化硅薄膜中的固有电荷密度以及电荷的正负属性，从而改变材料的电荷俘获能力，使得氮化硅薄膜材料兼具电子选择性接触和空穴选择性接触的功能，同时电池的制备成本也可以得到大幅降低，并非常适合工业化量产
基于钝化场效应掺杂晶体太阳能电池

[发明专利]SONOS结构制造方法以及SONOS结构-CN201210009215.0有效
发明人：田志;谢欣云 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：根据本发明的SONOS结构制造方法包括：在衬底上制备隧穿氧化层；在隧穿氧化层上制备富硅的氮化硅层，富硅的氮化硅层的Si/N比是恒定的；在富硅的氮化硅层上制备硅含量渐变的氮化硅层；以及在硅含量渐变的氮化硅层上制备阻挡氧化层；其中，硅含量渐变的氮化硅层在从所述富硅的氮化硅层到所述阻挡氧化层的方向上硅含量渐少。通过改进SONOS结构中的氮化硅层结构，形成一层富硅的氮化硅层和渐变氮化硅层；由于富硅的氮化硅层中有更多的浅陷阱能级，有利于捕获电荷，增加编译和擦除的速度。并且，这些电荷被限制在Si/N渐变的氮化硅层中富氮的氮化硅层中较深的陷阱能级能够增加电荷的保留时间，使器件的可靠性增加。
sonos 结构制造方法以及

[发明专利]一种富硅氮化硅薄膜低温制备方法-CN201810873131.9在审
发明人：刘林;陈钰杰;张彦峰;吴泽儒;杨纯川;余思远 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种富硅氮化硅薄膜低温制备方法。该富硅氮化硅薄膜低温制备方法包括步骤一、提供载盘与衬底，并在衬底下方涂抹真空脂，将涂过真空脂的衬底粘贴在载盘上；步骤二、对衬底进行等离子体表面处理；步骤三、在衬底上使用电感耦合等离子体化学气相沉积法生长满足预设Si/N含量比的氮化硅。该制备方法通过使用电感耦合等离子体气相沉积法，并控制生长温度与反应气体比例、气流、气压和等离子体功率，从而得到低应力、高抗腐蚀性的富硅氮化硅薄膜，解决了传统制备方法中的高温工艺难以和CMOS兼容等问题，
富硅氮化硅薄膜衬底低温制备真空脂载盘制备等离子体表面处理电感耦合等离子体电感耦合等离子等离子体功率化学气相沉积反应气体高温工艺生长沉积法氮化硅低应力含量比高抗预设气压涂抹粘贴兼容

[发明专利]一种低功耗氮化硅隧穿结阻变存储器及其制备方法-CN201810099307.X在审
发明人：马忠元;孙杨;谭定文 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低功耗氮化硅隧穿结阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于：氮化硅隧穿结阻变层由富氮的氮化硅阻变层作为中间层，上下两层为相同化学配比的富硅氮化硅薄膜，阻变层上表面的条形电极和下表面的条形电极互相垂直；本发明与当前的微电子工艺技术相兼容，通过含氢富氮氮化硅薄膜的化学配比调控，从而调节构成隧穿结阻变存储器的隧穿层势垒高度，控制穿过隧穿层的电流，进而达到调控工作电流，实现超低功率，使氮化硅隧穿结阻变存储器可切实应用于未来的硅基纳米存储器件中。
氮化硅隧穿结阻变存储器阻变层化学配比条形电极低功耗隧穿层富氮非挥发性存储器富硅氮化硅薄膜微电子工艺技术氮化硅薄膜超低功率存储器件工作电流硅基纳米互相垂直上下两层存储器上表面下表面中间层调控势垒制备兼容穿过应用

[发明专利]含有金属纳米颗粒的硅基电致发光器件的制备方法-CN201210436983.4无效
发明人：王春霞;高洪生;阚强;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-11-06 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种含有金属纳米颗粒的硅基电致发光器件的制备方法，包括在硅衬底晶片上生长富硅氮化硅层；采用高温退火的方法，使富硅氮化硅层中的富硅形成纳米晶硅，该富硅氮化硅层变为富含纳米晶硅的氮化硅层；定义发光区域，通过干法刻蚀形成有源区域；通过电子束蒸发，在氮化硅层上面沉积金或者银薄膜，通过高温退火形成金属纳米颗粒，形成基片；通过等离子体增强化学气相沉积法或磁控溅射的方法，在基片上制备隔离层；通过光刻及湿法刻蚀的方法，在有源层区域上的隔离层上开电极窗口；通过光刻、金属热蒸发和带胶剥离工艺，在电极窗口内制备阴极电极，在硅衬底晶片的背面制备阳极电极；通过快速退火，使阴极电极和阳极电极与源层区域和硅衬底晶片之间形成欧姆接触，完成制备。
含有金属纳米颗粒电致发光器件制备方法

[发明专利]一种增强硅基薄膜电致发光的方法-CN201110030656.4无效
发明人：李东升;任常瑞;王锋;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强硅基薄膜电致发光的方法，包括如下步骤：在P型硅片正面上沉积一层银薄膜，然后进行热退火，在P型硅片正面上形成银岛膜；在银岛膜上沉积富硅氮化硅薄膜，然后在富硅氮化硅薄膜上沉积一层氧化硅薄膜；在氧化硅薄膜表面沉积一层ITO薄膜作为正面出光电极，在P型硅片背面沉积一层Al作为背面电极，制得硅基薄膜发光器件。本发明方法制备的硅基薄膜器件的电致发光强度显著强于普通硅薄膜器件的电致发光强度；器件能工作在更高的输入功率下，不易被击穿。
一种增强薄膜电致发光方法

[发明专利]一种纳米硅/氮化硅薄膜型电子源及其制作方法-CN201410558893.1有效
发明人：胡文波;樊金龙;赵晓磊;吴胜利;张劲涛 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：一种纳米硅/氮化硅薄膜型电子源及其制作方法，包括依次沉积在基底上的底电极、纳米硅/氮化硅层以及顶电极；且纳米硅/氮化硅层采用镶嵌有纳米晶硅的氮化硅薄膜；或者纳米硅/氮化硅层采用纳米晶硅层与氮化硅层交替组成的多层薄膜在纳米硅/氮化硅层的制备过程中，调节通入镀膜腔中的氩气和氮气的分压比或调节硅靶和氮化硅靶的溅射功率来控制最后制得的纳米硅/氮化硅层中的硅晶粒的大小及密度，使硅晶粒的粒径达到3-6nm。此纳米硅/氮化硅薄膜电子源的制作工艺与硅基微电子加工工艺兼容，并且其电子发射性能稳定。
一种纳米氮化薄膜电子及其制作方法

[发明专利]铜互连结构及其制造方法-CN201210024611.0有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-02-03 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜互连结构及其制造方法，使得硅铜合金层表面低于富硅氮化硅层表面，即富硅氮化硅层和硅铜合金层不在同一个平面内，也即硅铜合金层中无富硅氮化硅层，仅是低K介质层，由此硅铜合金层的击穿电压比较稳定，从而避免了由于富硅氮化硅层存在于硅铜合金层中而导致硅铜合金层的击穿电压受到影响的问题，大大的提高了器件的稳定性。
互连结构及其制造方法

[发明专利]用于薄膜晶体管的富氮氮化硅膜-CN202080061205.4在审
发明人：罗德尼·顺隆·利马;金正倍;王家锐;崔羿;任东吉;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本公开内容的多个实施方式一般涉及富氮氮化硅和多个用以沉积富氮氮化硅的方法，和包含富氮氮化硅的多个晶体管和其他装置。在一个或多个实施方式中，一种钝化膜堆叠物包含氧化硅层，氧化硅层设置于工件上；和富氮氮化硅层，富氮氮化硅层设置于氧化硅层上。富氮氮化硅层具有约20原子百分比(at％)至约35at％的硅浓度、约40at％至约75at％的氮浓度和约10at％至约35at％的氢浓度。在一个或多个例子中，钝化膜堆叠物包含氧化硅层、富氮氮化硅层和第三层，第三层包含任何类型的氮化硅，例如是富氮氮化硅和/或富氢氮化硅。
用于薄膜晶体管氮化

[实用新型]双层氮化硅减反膜-CN201220041652.6有效
发明人：吕加先;吴胜勇;宋令枝;张涌 -专利权人：苏州盛康光伏科技有限公司
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种双层氮化硅减反膜，其特征在于包括第一层氮化硅薄膜（1）和第二层氮化硅薄膜（2），所述第一层氮化硅薄膜（1）位于第二层氮化硅薄膜（2）下方，且所述第一层氮化硅薄膜（1）的硅氮比高于所述第二层氮化硅薄膜（2）的硅氮比。本实用新型双层氮化硅减反膜因为第一层氮化硅薄膜的硅氮比高于第二层氮化硅薄膜的硅氮比，因此第一层氮化硅薄膜的折射率高于第二层氮化硅薄膜的折射率，所以增大了对太阳光的光谱段的吸收，可以吸收到高宽的太阳光谱，增强了薄膜的减反射作用，同时第一层氮化硅薄膜折射率较高更有利于对硅片表面的钝化，对太阳光的反射率较低，吸收率较高，太阳电池的光电转换效率较高，具有较好的实用价值。
双层氮化硅减反膜

[发明专利]一种X射线显微透镜成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法-CN201010167751.4有效
发明人：侯克玉;贺周同 -专利权人：上海纳腾仪器有限公司
申请日： 2010-05-06 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种X射线显微透镜成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法，在一硅晶片衬底的两面上分别沉积一层低应力氮化硅薄膜，利用一掩膜板将氮化硅窗口图形转移至之相应的覆盖在一氮化硅薄膜上的光刻胶上，并形成光刻胶的被曝光显影的光刻开口区、及未曝光显影的非光刻区，通过光刻开口区刻蚀该氮化硅薄膜并暴露硅晶片衬底，在硅晶片衬底上刻蚀出氮化硅窗口图形沟槽，并在氮化硅窗口图形沟槽的底部与另一层氮化硅薄膜之间形成一层硅残留层，最后利用湿法刻蚀移除硅残留层本发明使得氮化硅薄膜窗口的损伤减少并更加规则，可以任意调节硅衬底的厚度，缩短成品的制作周期时间，提高了成品率和生产效益。
一种射线显微透镜成像氮化薄膜窗口制作方法

[发明专利]提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法-CN200710132145.7无效
发明人：黄锐;陈坤基;董恒平;王旦清;李伟;徐骏;马忠元;徐岭;黄信凡 -专利权人：南京大学
申请日： 2007-09-11 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其步骤是1)在室温下生长富硅非晶氮化硅(a－SiNx)薄膜：利用等离子体增强化学汽相淀积方法，在室温下，采用硅烷(SiH₄)和氨气(NH₃)作为反应气源，在ITO玻璃衬底上淀积a－SiNx薄膜，SiH₄与NH₃的流量比控制在0.5－1之间，薄膜厚度60－100nm；2)氧等离子体源氧化以形成富硅的掺氧非晶氮化硅(a－SiNx)薄膜：在衬底温度为95－105℃的条件下，利用PECVD技术，用氧等离子体源氧化室温生长的a－SiNx薄膜，氧等离子体处理时间：10－30min；形成富硅的掺氧a－SiNx薄膜，以这层薄膜作为器件的有源层。
提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率方法

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