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[发明专利]印刷装置用的印刷密度限制装置及其印刷密度限制方法-CN97125251.3有效
发明人：铃木稔之;岩间正美;谷下田幸一;川上满 -专利权人：日立工机株式会社
申请日： 1997-09-19 - 公布日： 2002-04-17 - 主分类号： B41J9/44 文献下载
摘要：一种印刷装置用的印刷密度限制装置，包括其上设置有多个构成印字元件的字锤的字锤架、用于使上述字锤架作往复多动的往复移动机构，上述印刷装置在上述字锤架往复移动的过程中通过驱动字锤进行印字，其特征在于，印刷装置用的印刷密度限制装置包括每个字锤的驱动次数计算机构
印刷装置密度限制及其方法

[发明专利]一种测算海洋漂浮大型藻类等效分散密度的方法-CN202010396154.2有效
发明人：王长友 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F17/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种测算海洋漂浮大型藻类等效分散密度的方法，步骤：进行环境限制因子对大型藻生长影响的实验；确定环境限制因子的极限有效供给体积和漂浮大型藻类理论极限等效分散密度；计算环境限制因子标准极限有效供给面积和标准极限有效供给半径；计算环境限制因子的表观有效供给区面积；计算环境限制因子条件下漂浮大型藻类等效分散密度。
一种测算海洋漂浮大型藻类等效分散密度方法

[发明专利]中继装置和通信系统-CN03148350.X无效
发明人：波多野健 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-06-30 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： H04B7/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种无线LAN接入点，包括：通信单元(31)，能够采用第一无线通信方法进行通信；检测单元(32)，用于检测第一无线通信方法所用通信频带中的通信量密度超过预定通信量密度；以及限制单元(33)，用于当检测到通信量密度超过预定通信量密度时，限制无线LAN客户在第一无线通信方法的通信频带中的通信量密度。
中继装置通信系统

[实用新型]一种带有偏起始限制钉的指针式SF6气体密度继电器-CN200820055392.1有效
发明人：金海勇 -专利权人：上海乐研电气科技有限公司
申请日： 2008-02-03 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01H35/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有偏起始限制钉的指针式SF6气体密度继电器。该带有偏起始限制钉的指针式SF6气体密度继电器，包括刻度盘、机芯、与机芯相连的指针以及装在刻度盘上的起始限制钉，其特征在于：所述起始限制钉远偏离所述刻度盘的压力起始点的位置以使所述刻度盘上最小动作接点压力值与起始限制钉对应位置点压力值之间的压力差ΔP≥0.165Mpa并使所述刻度盘显示的该密度继电器的额定工作压力其范围为0.42～0.9Mpa。由于采用了上述的技术解决方案，使得指针式SF6气体密度继电器在无气不使用状态时，避免造成温度补偿片和指针变形，不会使密度继电器的精度变差，同时使产品的精度、稳定性都得到很大提高。
一种带有起始限制指针 sf6 气体密度继电器

[发明专利]用于无线通信的发射功率控制的装置、系统和方法-CN201480004314.7有效
发明人：亚历山大·马尔特瑟夫;阿里·S·萨德里;安德烈·普德伊鲁;理查德·B·尼科尔斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-02-06 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H04B7/0426 文献下载
摘要：控制器可基于至少第一功率限制和第二功率限制控制多个发射功率，第一功率限制包括对应于多个定向波束中的定向波束的功率密度的功率密度限制，第二功率限制包括对应于发射功率的总量的总发射功率限制。
用于无线通信发射功率控制装置系统方法

[发明专利]基于人群的车辆地理围栏-CN201910024657.4在审
发明人：阿尤什·沙阿;奥列格·尤里耶维奇·古西欣 -专利权人：福特全球技术公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： B60K31/00 文献下载
摘要：所述车辆包括控制器，所述控制器被配置为根据基于航向的速度限制来操作所述动力传动系统，使得对于特定道路的预定义区域，所述基于航向的速度限制所允许的最大速度对于朝向指定人群密度位置的航向而言比对于背离所述指定人群密度位置的航向而言要小所述动力传动系统操作对处于具有基于航向的速度限制的人群密度定义的地理围栏内作出响应。
航向动力传动系统地理围栏速度限制人群密度位置控制器预定义区域密度定义背离响应配置

[发明专利]用负压进行组织闭合的复合敷料-CN202080043377.9在审
发明人：克里斯多佛·布赖恩·洛克;本杰明·安德鲁·普拉特 -专利权人：凯希特许有限公司
申请日： 2020-05-05 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： A61M1/00 文献下载
摘要：该流体控制层可包括多个流体限制，并且基座歧管可邻近流体限制设置。闭合歧管可具有与基部歧管层相邻的穿孔。另外，基部歧管层可具有第一密度，并且闭合歧管层可具有第二密度，其中第二密度小于第一密度。
用负压进行组织闭合复合敷料

[实用新型]一种不受溶剂密度限制使用的实验分水器-CN201420586662.7有效
发明人：李恩博 -专利权人：李恩博
申请日： 2014-10-12 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： B01D17/025 文献下载
摘要：本实用新型提供一种不受溶剂密度限制使用的实验分水器，它包括连通管、进气弯管、选择分液阀、选择分液阀腔、回流管、分水管、排水阀、排水口。本实用新型用于化学反应实验中有机溶剂密度比水小和有机溶剂密度比水大两种冷凝混合液的分水，具备使用不受有机溶剂与水密度大小关系限制，通用性强，使用方便，分液效果理想的优点。
一种不受溶剂密度限制使用实验分水

[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法-CN201410513016.2有效
发明人： J·G·拉文;H-J·舒尔策;R·巴布斯克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：IGBT设置包括侧向设置在单元区域与敏感区域之间的载流子限制减小区域。配置或形成IGBT设置以使得单元区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第一平均密度，载流子限制减小区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第二平均密度，以及敏感区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第三平均密度自由电荷载流子的第一平均密度大于自由电荷载流子的第二平均密度，并且自由电荷载流子的第二平均密度大于自由电荷载流子的第三平均密度。
半导体器件用于形成方法

[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法-CN201810182957.0有效
发明人： J·G·拉文;H-J·舒尔策;R·巴布斯克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：IGBT设置包括侧向设置在单元区域与敏感区域之间的载流子限制减小区域。配置或形成IGBT设置以使得单元区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第一平均密度，载流子限制减小区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第二平均密度，以及敏感区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第三平均密度自由电荷载流子的第一平均密度大于自由电荷载流子的第二平均密度，并且自由电荷载流子的第二平均密度大于自由电荷载流子的第三平均密度。
半导体器件用于形成方法

[发明专利]一种高光功率密度808nm大功率量子阱半导体激光器-CN200510072922.4无效
发明人：王俊;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-05-20 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明涉及半导体激光器技术领域，一种高光功率密度808nm大功率量子阱半导体激光器结构提出了一种高光功率密度808nm大功率量子阱半导体激光器结构，包括衬底1，缓冲层2，N型下限制层3，下波导层4，下垒层5，量子阱层6，上垒层7，上波导层8，P型上限制层9，过渡层10，电极接触层11。它能够得到高质量的外延片材料，降低波导层和限制层材料的铝组分，从而提高激光器的输出光功率密度。
一种功率密度 808 nm 大功率量子半导体激光器

[发明专利]一种直升机尾桨距范围设计方法-CN201911227694.1有效
发明人：李杰;殷士辉;徐玉貌;杨志强;邱良军;张云鹤 -专利权人：中国直升机设计研究所
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G06F30/15 文献下载
摘要：本发明属于直升机飞行力学设计领域，提供一种基于大气密度变化的直升机尾桨距范围设计方法，包括，确定初步最大尾桨距；确定最大扭矩限制；计算给定大气密度下的尾桨扭矩：根据给定大气密度和所述不同尾桨距对应的尾桨扭矩，计算得出不同尾桨距在给定大气密度下的尾桨扭矩；计算给定大气密度下的最大尾桨距；确定实际的最大尾桨距Pedal：确定尾桨失速迎角对应的最大尾桨距为Pedal3，结构限制的最大尾桨距为Pedal4，标准大气、海平面状态下的瞬态限制扭矩Q瞬态对应的最大尾桨距为Pedal5，以及所述给定大气密度ρ条件下的最大尾桨距Pedal2，选取Pedal2、Pedal<
一种直升机尾桨距范围设计方法

[发明专利]基于光子限制效应的太阳能电池及光电器件-CN202010426684.7在审
发明人：狄大卫;连亚霄;周倩;赵保丹 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种基于光子限制效应的太阳能电池及光电器件，属于新型能源、材料和电子技术领域。本发明的目的是基于光子限制效应的理论模型，设计了基于理论模型的一种太阳能电池结构模型，从而有效减少电池内光子逃逸出电池概率的基于光子限制效应的太阳能电池及光电器件。本发明的步骤是：获得光电流密度与入射光子能量的关系，获得辐射复合光电流与入射光能量的关系，确定辐射复合电流密度与总的复合光电流密度的关系，获得标准太阳光的光电流密度、总的复合光电流密度、太阳能电池输出电流的关系
基于光子限制效应太阳能电池光电器件

[发明专利]带有磁通密度控制的开关式电源装置-CN96195354.3无效
发明人：彼得·沃尔夫 -专利权人：罗伯特.博施有限公司
申请日： 1996-06-21 - 公布日： 2000-04-19 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明建议使用一种带有变压器的开关式电源装置，在这一电源装置中输出电流或输出电压的控制或调节取决于变压器磁通量密度。由此有利地避免了特别在大的脉冲宽度时变压器进入饱和。通过将磁通量密度限制在一预定值上将由于出现的热负荷受到限制而使功率组件优化。
带有密度控制开关电源装置

[发明专利]一种具有抑制光吸收损耗上波导层的半导体激光器-CN202310936334.9在审
发明人：陈婉君;王星河;刘紫涵;胡志勇;蔡鑫;张江勇;李水清;请求不公布姓名 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有抑制光吸收损耗上波导层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层和上限制层，所述有源层与上限制层之间设置有上波导层，所述上波导层具有导带有效态密度、电子亲和能以及击穿场强的分布特性本发明的抑制光吸收损耗的上波导层具有导带有效态密度、电子亲和能以及击穿场强的分布特性，从而形成光场隔离和限制区，阻挡光场往上限制层扩散，降低上限制层的杂质光吸收损耗、缺陷光吸收损耗；同时，调控折射率色散，减少激光器在高浓度载流子浓度下的折射率波动，降低载流子光吸收损耗和波导结构侧壁散射损耗，进而降低激光器的光吸收损耗，提升限制因子和光功率。
一种具有抑制光吸收损耗波导半导体激光器

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