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[发明专利]存储器单元失效检测方法与系统-CN201511030997.6有效
发明人：刘奕宏;杨春晖;黄晓昆;陈华军;罗银;张宝林;王剑亮;陈立明 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所;南方电网科学研究院有限责任公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器单元失效检测方法与系统，将存储器单元中每一位设为初始数码，并读出存储器单元中每一位的内容，将存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码，当其他存储器单元中每一位的内容未发生改变时，读出存储器单元中每一位的内容，检测存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改准确时，再次将存储器单元中每一位的内容修改，再次检测存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改准确时，表明存储器单元正常整个过程，能够检测可能发生的存储器单元转换故障以及对周边存储器单元数据操作引发的单个存储器单元的耦合故障，能够准确检测存储器单元是否失效。
存储器单元失效检测方法系统

[发明专利]电阻式随机存取存储器以及存储及检索电阻式随机存取存储器的信息的方法-CN201480020193.5有效
发明人：亚当·琼森 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：一些实施例包含存储及检索电阻式随机存取存储器RRAM阵列的数据的方法。所述阵列被细分为多个存储器位，其中每一存储器位具有至少两个存储器单元。通过同时改变存储器位内的所有存储器单元的电阻状态而编程所述存储器位。通过确定通过所述存储器位内所有存储器单元的总电流来读取所述存储器位。一些实施例包含具有多个存储器单元的RRAM。通过位线/字线组合唯一地寻址所述存储器单元中的每一者。存储器位含有耦合在一起的多个存储器单元，其中每一存储器位内的所述耦合的存储器单元处于彼此相同的电阻状态中。
电阻随机存取存储器以及存储检索信息方法

[发明专利]存储器电路、存储器单元以及存储器单元的操作方法-CN202110339682.9在审
发明人：王屏薇;杨智铨;洪连嵘;张峰铭;徐国修;林建隆;张瑞文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本公开涉及存储器电路、存储器单元以及存储器单元的操作方法。存储器电路包含多个存储器单元、第一位元线，第一位元线连接至该等存储器单元的第一列存储器单元、以及第二位元线，第二位元线连接至第一列存储器单元。第一列存储器单元与相邻的第二列存储器单元共用第一位元线。第一列存储器单元与第三列存储器单元共用第二位元线，第三列存储器单元与第一列存储器单元相邻且与第二列存储器单元对向。
存储器电路单元以及操作方法

[发明专利]存储器单元、存储器单元编程方法、存储器单元读取方法、存储器单元操作方法及存储器装置-CN200880124714.6有效
发明人：刘峻 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：所揭示实施例包含存储器单元操作方法、存储器单元编程方法、存储器单元读取方法、存储器单元及存储器装置。在一个实施例中，存储器单元包含字线、第一位线、第二位线及存储器元件。所述存储器元件电连接到所述字线且选择性地电连接到所述第一位线及所述第二位线。所述存储器元件经由所述存储器元件的电阻状态存储信息。所述存储器单元经配置以经由从所述第一位线穿过所述存储器元件流到所述字线的第一电流或从所述字线穿过所述存储器元件流到所述第二位线的第二电流传达所述存储器元件的所述电阻状态。
存储器单元编程方法读取操作方法装置

[发明专利]多寄存器存储器访问指令、处理器、方法和系统-CN201810502429.9有效
发明人： G·欣顿;B·托尔;R·辛加尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G06F9/30 文献下载
摘要：处理器包括N位寄存器和接收多寄存器存储器访问指令的解码单元。多寄存器存储器访问指令指示存储器单元和寄存器。处理器包括与解码单元和与N位寄存器耦合的存储器访问单元。存储器访问单元响应于多寄存器存储器访问指令而执行多寄存器存储器访问操作。操作涉及在包括所指示的寄存器的N位寄存器的每一个中的N位数据。操作也涉及对应于所指示的存储器单元的存储器的MxN位线的不同的对应N位部分。在多寄存器存储器访问操作中涉及的N位寄存器中的N位数据的位的总数等于存储器的线的MxN位的至少一半。
寄存器存储器访问指令处理器方法系统

[发明专利]存储器修复方案-CN201810844311.4在审
发明人：史毅骏;李伯浩;李嘉富;池育德;陈昱霖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G11C29/10 文献下载
摘要：本发明实施例涉及存储器修复方案，提供存储器装置和修复存储器的方法。第一阵列包含正常存储器单元，并且第二阵列包含修复存储器单元。所述修复存储器单元经配置以代替所述正常存储器单元使用。查找表包括存储器位单元，所述存储器位单元经配置以存储包含所述正常存储器单元的缺陷存储器单元的地址的条目集合。匹配电路经配置以评估输入存储器地址是否被存储为所述存储器位单元中的缺陷地址。所述匹配电路还经配置以基于所述评估生成用于选择所述正常存储器单元或所述修复存储器单元的选择信号。
存储器单元修复存储器存储器位单元存储器修复配置存储缺陷存储器单元存储器装置输入存储器匹配电路缺陷地址条目集合选择信号查找表评估匹配

[发明专利]非易失性存储器与其操作方法-CN202010045577.X在审
发明人：叶腾豪;吕函庭;刘逸青 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器与其操作方法。非易失性存储器包含多个存储器单元串列、多个位开关、存储器操作电路及多个源极开关。这些位开关电性连接于这些存储器单元串列。存储器操作电路电性连接于这些位开关，用以传送写入信号至存储器单元串列。这些源极开关电性连接于存储器单元串列，使得存储器单元串列经由源极开关接收偏压信号。在写入阶段中，当位开关中的第一位开关导通，使得第一存储器单元串列通过第一位开关接收写入信号时，电性连接于其他存储器单元串列的这些源极开关将导通。
非易失性存储器与其操作方法

[发明专利]多寄存器存储器访问指令、处理器、方法和系统-CN201480030741.2有效
发明人： G·欣顿;B·托尔;R·辛加尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： G06F9/30 文献下载
摘要：处理器包括N位寄存器和接收多寄存器存储器访问指令的解码单元。多寄存器存储器访问指令指示存储器单元和寄存器。处理器包括与解码单元和与N位寄存器耦合的存储器访问单元。存储器访问单元响应于多寄存器存储器访问指令而执行多寄存器存储器访问操作。操作涉及在包括所指示的寄存器的N位寄存器的每一个中的N位数据。操作也涉及对应于所指示的存储器单元的存储器的MxN位线的不同的对应N位部分。在多寄存器存储器访问操作中涉及的N位寄存器中的N位数据的位的总数等于存储器的线的MxN位的至少一半。 1
寄存器存储器访问指令位寄存器存储器访问单元存储器访问操作解码单元寄存器位数据处理器存储器单元系统处理器指示存储器耦合的位线响应

[发明专利]辅助和操作存储器单元的方法以及存储器电路-CN201910016982.6有效
发明人：周志贤;石维强 -专利权人：円星科技股份有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G11C11/417 文献下载
摘要：本公开提供一种在存取操作中辅助存储器单元的方法、存储器电路以及操作存储器单元的方法。辅助存储器单元的方法包括：设定供应电压为第一供应电压位准，以决定将该第一供应电压位准施加至该存储器单元时该存储器单元的参考概率值；施加辅助电压至该存储器单元耦接的存取线，并设定该供应电压为第二供应电压位准，以决定该辅助电压与将该第二供应电压位准施加至该存储器单元时该存储器单元的存取失败概率两者间的关系；由该关系决定对应于该参考概率值的该辅助电压的目标辅助电压位准；及提供在该存取操作中施加该目标辅助电压位准至该存取线的辅助电路在该存取操作中，该第二供应电压位准施加于该存储器单元。该方法使存储器具备良好功率效能。
辅助操作存储器单元方法以及电路

[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法-CN202211402963.5在审
发明人：朴铉瀷;李在训;全昌愍;李龙圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了非易失性存储器装置及其操作方法。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元，存储第一数据和第二数据中的一个，并且包括第一子存储器单元和第二子存储器单元，第一子存储器单元连接到第一字线和第一位线，第二子存储器单元连接到第二字线和第二位线；源极线，由第一子存储器单元和第二子存储器单元共享；以及感测放大器，连接到第一位线和第二位线，感测放大器读取存储在存储器单元中的数据。感测放大器从第一位线接收第一电流，从第二位线接收第二电流，并且通过将第一电流的幅度和第二电流的幅度进行比较来读取存储在存储器单元中的数据。响应于存储器单元存储第一数据，第一子存储器单元被编程，并且第二子存储器单元被擦除。
非易失性存储器装置及其操作方法

[发明专利]基于自适应校准的存储器预设调节-CN201910149651.X在审
发明人： P.S.达姆勒;房伟;A.法齐奥 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G11C7/20 文献下载
摘要：本发明涉及基于自适应校准的存储器预设调节。一种存储器设备包括具有多个非易失性存储器单元的存储器阵列，所述非易失性存储器单元将数据存储为存储器单元的置位或复位状态。非易失性存储器单元可以是基于电阻的存储器，其基于存储器单元的电阻状态来存储数据。耦合到存储器阵列的控制器周期性地对存储器阵列的存储器单元的置位和复位裕度进行采样。响应于检测到裕度变化，该系统可以自适应地调节用于区分置位状态和复位状态的预设电气设置。
非易失性存储器单元存储器单元存储器阵列存储器自适应预设复位状态校准裕度置位控制器周期性存储器设备存储数据电阻状态数据存储置位状态耦合到采样复位电阻响应检测

[发明专利]用于产生参考电压的包括存储器单元的存储器装置-CN201710397863.0有效
发明人：车秀镐;金灿景;朴晟喆;宋镐永;崔光哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供了一种用于产生参考电压的包括存储器单元的存储器装置。该存储器装置包括第一存储器单元、第二存储器单元、第三存储器单元、位线感测放大器和开关电路。第一存储器单元连接到第一字线和第一位线。第二存储器单元连接到第一字线和第二位线。第三存储器单元连接到第一字线和第三位线。位线感测放大器连接到第三位线。开关电路连接到第一位线、第二位线和位线感测放大器。开关电路执行第一存储器单元与第一位线之间的电荷共享以产生第一参考电压，并且执行第二存储器单元与第二位线之间的电荷共享以产生第二参考电压。
用于产生参考电压包括存储器单元装置

[发明专利]存储器中软故障检测的方法和装置-CN03814088.8无效
发明人：托马斯·W·利斯顿;劳伦斯·N·赫尔 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2003-05-07 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：存储器包括多个存储器单元，形成存储器阵列，存储器单元的每一个连接至一条位线、互补位线和字线。存储器单元的每一个包括多个晶体管。该方法包括以下步骤：写存储器阵列；通过将它们充电至预定电压来调整多个位线和互补位线，该电压具有不改变完全功能存储器单元的位状态的值；激活预定字线，用于选择一行存储器单元；读选择的存储器单元；将读的结果与写到存储器单元的位值进行比较，以确定是否更改了任何存储器单元位状态；以及识别更改的存储器单元作为测试故障。
存储器故障检测方法装置

[实用新型]存储器装置-CN202221330476.8有效
发明人：包家豪;林建隆;杨智铨;张瑞文;张朝渊;张峰铭;洪连嵘;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：一种存储器装置，包含存储器单元矩阵、预充电电路，以及预充电辅助电路。存储器单元矩阵具有多个存储器单元，多个存储器单元排列在具有多个行及多个列的矩阵中。多个行中的每一行包含连接至第一位元线及第二位元线的第一多个存储器单元。预充电电路连接存储器单元矩阵。预充电电路从第一端预充电第一位元线及第二位元线。预充电辅助电路连接存储器单元矩阵。预充电辅助电路从第二端预充电第一位元线及第二位元线。
存储器装置

[发明专利]分时共享的存储器内计算位单元-CN202180018678.0在审
发明人： A·斯里瓦斯塔瓦 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供了一种存储器内计算阵列，该存储器内计算阵列包括一组存储器内计算位单元，该组存储器内计算位单元对连接在该组存储器内计算位单元与读取位线之间的共享电容器进行分时共享。
分时共享存储器计算单元

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