专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]垂直SOT MRAM-CN201980076994.6在审
  • G·米哈伊洛维奇;M·格罗比斯 - 西部数据技术公司
  • 2019-12-16 - 2021-06-29 - H01L27/22
  • 本发明公开了一种MRAM存储器单元,该MRAM存储器单元包括SHE层、具有垂直各向异性的磁位层和奥斯特层。该磁位层具有可切换的磁化方向以便存储数据。使用自旋霍尔效应将数据写入该MRAM存储器单元,使得在该SHE层中生成的自旋电流在该磁位层上施加转矩,同时该奥斯特层提供热量和奥斯特场以实现确定性切换。使用反常霍尔效应以及在所述奥斯特层处感测电压来从该MRAM存储器单元读取数据。
  • 垂直sotmram
  • [实用新型]奥斯特实验仪-CN201520174703.6有效
  • 卿鸿影 - 卿鸿影
  • 2015-03-26 - 2015-09-23 - G09B23/18
  • 一种奥斯特实验仪,包括支撑轴、可绕支撑轴灵活转动的磁针、以及平行放置在磁针旁边的直导线,其特征是:所述磁针铰链在所述支撑轴上,所述支撑轴固定在底座的中部,所述底座的两侧还分别固定有金属杆,所述两金属杆之间的顶部还彼此电连接地固定有直线形导线
  • 奥斯特实验

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