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[发明专利]一种控制大直径单晶硅棒直径的加热器、拉晶炉和方法-CN202210697737.8在审
发明人：陶莹 -专利权人：陶莹;北京麦竹吉科技有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制大直径单晶硅棒直径的加热器、拉晶炉和方法，涉及单晶硅晶体生长领域，加热器为倒锥台形且上下均敞口的筒状。拉晶炉包括所述的控制大直径单晶硅棒直径的加热器。控制大直径单晶硅棒直径的方法，采用所述的控制大直径单晶硅棒直径的拉晶炉实现。有益效果是：加热器可以尽可能的靠近三相点，加热器升高功率与降低功率所增加和减少的热量，能快速反应在直径变化上。便于从单晶炉的正前方人工观察单晶硅棒的情况，便于拉晶炉内斜上方的感应器或监控相机监测硅棒状态，不遮挡视线或监测设备。
一种控制直径单晶硅加热器拉晶炉方法

[发明专利]一种加热器、拉晶炉和消除大直径单晶硅自我间隙缺陷的方法-CN202210876599.X在审
发明人：陶莹 -专利权人：北京麦竹吉科技有限公司;陶莹
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种加热器、拉晶炉和消除大直径单晶硅自我间隙缺陷的方法，涉及单晶硅晶体生长领域，加热本体为圆筒形，拉晶炉的导流筒架设于坩埚上方，加热本体安装于导流筒内侧。消除大直径单晶硅自我间隙缺陷的方法，采用所述的拉晶炉实现，单晶硅棒拉出液面后，利用所述加热本体对单晶硅棒进行加热并使单晶硅棒保持在950℃以上，保持时间为至少15小时。有益效果是：加热器保证硅棒在一定时间里保持拉出的晶体在950℃以上，利用加热本体对拉出液面的硅棒进行保温，让自我间隙的硅原子有足够的时间向单晶硅棒外表面这个自由界面扩散，从而在大直径硅棒中消除这种微观点缺陷
一种加热器拉晶炉消除直径单晶硅自我间隙缺陷方法

[发明专利]大直径单晶硅的生长方法-CN202111450500.1有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种大直径单晶硅的生长方法，属于单晶硅制备技术领域。大直径单晶硅的生长方法，包括：通过直拉法生长单晶硅，其中，在生长单晶硅的等径阶段包括以下工艺条件：通入氩气；单晶硅体与坩埚以相反的方向进行转动，单晶硅体旋转导致的强制对流占主导的区域的水平方向最大截面积为M1，整个硅熔体表面的面积为M0，其中，45％≤M1/M本申请的单晶硅的生长方法具有较高的单晶成功率，且生长的硅单晶的质量较好。
直径单晶硅生长方法

[发明专利]一种用于大直径单晶硅棒的多次取段复投工艺-CN201911377436.1在审
发明人：刘有益;王凯;许建;高利强;王建平;周泽;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于大直径单晶硅棒的多次取段复投工艺，包括若干次连续取段拉制单晶硅棒和终段收尾拉制单晶硅棒，每次所述取段拉制单晶硅棒后进行复投，每次所述复投加料重量均相同；每次所述取段拉制单晶硅棒长度相同；所述收尾拉制单晶硅棒后石英坩埚内无剩料。采用本发明设计的一种用于大直径单晶硅棒的多次取段复投工艺，不仅可提高石英坩埚和硅原料的利用率，最大程度低降低埚底废料，保证单晶硅棒质量的一致性，提升单晶品质，降低生产成本。
一种用于直径单晶硅多次取段复投工

[实用新型]一种用于大直径单晶硅切割定位的治具-CN202022159380.7有效
发明人：刘亮;穆光裕 -专利权人：辽宁中电科半导体材料有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于大直径单晶硅切割定位的治具，包括底座，所述底座的表面开设有弧形槽，所述弧形槽的内壁两侧均开设有凹槽，所述凹槽的内壁固定装配有传送带，所述传送带的表面与弧形槽的内壁处于同一平面，所述底座的表面两侧均开设有盲孔通过弧形槽和传送带的配合，需要对单晶硅移动时，传送带带动大直径的单晶硅进行移动，移动过后，在弧形槽的作用下单晶硅还是位于底座上中间的位置，再次对单晶硅进行固定，便于快速的定位，方便进行切割，在弹簧的作用下顶杆贴合到单晶硅的外壁上，通过多个顶杆的限位能够对不同尺寸的单晶硅进行固定，灵活性能强，适用范围广泛，方便对大直径的单晶硅进行切割，省时省力。
一种用于直径单晶硅切割定位

[发明专利]提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法-CN201410148669.5无效
发明人：李进;高忙忙;薛子文;李海波;李国龙;梁森;张洪岩;何力军 -专利权人：宁夏大学
申请日： 2014-04-15 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法，该方法应用于直拉法制造单晶硅的生产工艺中，该提高400mm以上大直径单晶硅拉晶稳定性的方法包括如下步骤：将直拉法制造单晶硅的生产工艺中的石英坩埚的尺寸设置为≥800mm；在采用直拉法制造单晶硅的等径生长步骤中，在等径初期控制液口距的范围值为15～20mm。
提高 400 mm 以上直径单晶硅稳定性方法

[发明专利]用于单晶硅生长的非Dash缩颈法-CN98807993.3无效
发明人：金孔民;萨达斯瓦姆·钱德拉塞卡 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1998-08-03 - 公布日： 2000-09-20 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：制造单晶硅棒的非Dash缩颈法,该单晶硅棒按照直拉法拉晶。该方法其特征在于在硅棒生长开始之前,让一大直径、无位错的籽晶进行热平衡,以避免形成由对单晶热冲击而产生的位错。该方法生产出一种单晶硅棒,此种单晶硅棒具有大直径的短缩颈,该大直径的短缩颈是无位错的,并能在生长和随后的处理期间,支承至少重约100kg的硅棒。
用于单晶硅生长 dash 缩颈

[发明专利]大直径高效N型单晶硅的制备装置-CN201910637011.3在审
发明人：陈嘉豪;徐文州;陈磊;樊茂德 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够实现二次硅料添加，保证足够硅料制备较大直径单晶硅的大直径高效N型单晶硅的制备装置。该大直径高效N型单晶硅的制备装置，包括炉体；所述炉体上方设置有上炉腔；所述炉体的炉膛内设置有坩埚、石墨托、底部旋转支撑杆；所述炉体的顶部设置有二次加料装置；所述二次加料装置包括硅料存储筒、硅料加热熔融装置；所述硅料加热熔融装置包括筒体；筒体内设置有加热坩埚、熔融加热装置；所述加热坩埚底部设置有底部加热装置；加热坩埚底部设置有出料口；所述筒体底部设置有与出料口连通的导料管；所述导料管穿过炉体的顶部延伸到坩埚内采用该大直径高效N型单晶硅的制备装置，能够降低生产设备的成本，降低能耗，提高生产效率。
炉体制备装置硅料加热坩埚二次加料装置加热熔融装置出料口导料管筒体坩埚炉膛大直径单晶硅底部加热装置旋转支撑杆顶部设置加热装置降低生产生产效率存储筒上炉腔石墨托次硅熔融制备连通体内穿过延伸保证

[发明专利]能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产方法及装置-CN202110688408.2在审
发明人：伊冉;王黎光;张兴茂;闫龙;李小红 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产方法及装置，属于单晶硅生产技术领域。生产时，单晶硅原料化料后，增加降氧处理过程，对硅熔汤进行搅拌的同时，提高氩气流量至化料结束后氩气流量的1.5倍～3倍，和/或提高拉晶炉的炉内压力为化料结束后炉内压力的1.5倍～3倍，实践结果表明，采用上述手段能够有效地降低单晶硅晶棒的头部氧含量约50%，有效打破了大直径单晶硅晶棒头部氧含量无法进一步降低的技术瓶颈。
能够降低头部含量直径单晶硅生产方法装置

[发明专利]单晶硅生产设备-CN91102923.0无效
发明人：岛芳延;神尾宽;铃木真 -专利权人：日本钢管株式会社
申请日： 1991-04-27 - 公布日： 1991-11-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种按照坩埚不旋转的切克劳斯基法高速提拉直径大、组成稳定的单晶硅的单晶硅生产设备。通过妥善维持单晶硅外周边与分隔件内侧熔融硅自由表面的热平衡，可以高速提拉大直径单晶硅。必须满足的条件如下4＝18-24英寸，3/4＝0.75-0.84；2-1＝30-50毫米，α＝15-25度；及h＝10-30毫米，其中1为单晶硅直径，2为保温盖圆柱形侧面部分下端处的孔径，3为分隔件的直径，4为坩埚直径，h为熔融硅表面至2部分的距离。
单晶硅生产设备

[实用新型]大直径高效N型单晶硅的单晶炉-CN201921105646.0有效
发明人：陈嘉豪;徐文州;樊茂德;喻先丽 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够降低通入氩气对炉体内热场造成影响，能够保证氩气气流稳定的大直径高效N型单晶硅的单晶炉。该大直径高效N型单晶硅的单晶炉，包括炉体、上炉腔；所述炉体的炉膛内设置有坩埚、石墨托、底部旋转支撑杆；所述坩埚外侧设置有加热装置以及保温罩；所述保温罩上方设置有环形布气筒；环形布气筒与保温罩顶部以及炉体内壁之间形成惰性气体进入腔采用该大直径高效N型单晶硅的单晶炉能够便于控制含氧量，同时能够保证单晶硅的品质。
直径高效单晶硅单晶炉

[发明专利]制造单晶硅的方法-CN201280063749.X有效
发明人：加藤英生;久府真一;大久保正道 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：提供了制造单晶硅的方法，其能够在采用由同一坩埚中的原料熔体提拉多根单晶硅的多重提拉法生长单晶硅时减少单晶硅的位错的产生。解决问题的手段制造单晶硅的方法涉及采用通过Czochralski法在腔室内由同一坩埚8中的原料熔体7提拉多根单晶硅1的多重提拉法制造单晶硅1的方法，该方法包括在磁场中生长单晶硅1的步骤，其中将在大直径的坩埚
制造单晶硅方法

[发明专利]大直径高效N型单晶硅的制备工艺-CN201910637767.8有效
发明人：陈嘉豪;徐文州;陈辉;陈磊 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了能够降低对设备要求，同时提高生产效率的大直径高效N型单晶硅的制备工艺。该大直径高效N型单晶硅的制备工艺，包括步骤：S1、配料；S2、装料和熔化；S3、引晶；S4、缩颈；通过晶棒提升旋转装置提拉籽晶，形成晶体；S5、放肩；将晶体控制到所需的目标直径；S6、等径生长；S7、通过二次加料装置向坩埚内添加熔融硅料；S8、收尾：晶体直径逐渐缩小，离开熔体；S9、降温：降低温度，逐渐冷却温度。采用该大直径高效N型单晶硅的制备工艺，能够小型化生产设备，能够降低生产设备的成本，降低能耗，提高生产效率，便于生产。
直径高效单晶硅制备工艺

[发明专利]一种大直径半导体硅单晶的生长方法及单晶炉-CN202011048131.9有效
发明人：代冰;胡碧波;冯帆 -专利权人：万华化学集团电子材料有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种大直径单晶炉，用于生长大尺寸半导体单晶硅棒，所述单晶炉包括炉体、石英坩埚、加热器、超导磁场、坩埚旋转升降机构、籽晶提拉旋转机构。本发明采用超导磁场辅助的大直径单晶炉，可以生长出12英寸以上的半导体单晶硅，满足半导体行业发展的需求，同时超导磁场的强度连续可调，晶棒的轴向、径向均匀性得到改善，单晶硅棒中的氧含量也得到有效控制。
一种直径半导体硅单晶生长方法单晶炉

[发明专利]一种大直径低氧碳太阳能单晶硅片的制备方法-CN200910027873.0无效
发明人：陈宝昌 -专利权人：扬州华尔光伏科技有限公司
申请日： 2009-05-18 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种大直径低氧碳太阳能单晶硅片的制备方法，该方法突破了单晶硅片直径的限制，从目前的8英寸向12英寸发展；降低单晶硅片中氧碳元素的含量，提高单晶硅片的电学性能，该方法包括以下步骤：1、采用高纯多晶硅原料；2、使用高纯涂层石英坩埚，最大限度阻隔氧元素的析出渗入熔硅中反应生产新的杂质；3、在高纯氩气和高规格热场环境下生长硅单晶；4、采用直拉式单晶炉制备大直径硅单晶；5、对硅单晶进行切方、滚圆处理；6、采用碱腐工艺去除单晶表面损伤层；7、利用多线切割机，辅以切割线、碳化硅和切削液进行切片加工，生产出超过薄低氧碳的高效单晶硅片。
一种直径低氧太阳能单晶硅制备方法

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