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[发明专利]一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法-CN201110139058.0有效
发明人：黄如;诸葛菁;樊捷闻;艾玉杰;王润声;黄欣 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法，包括：隔离并淀积SiN；淀积SiO2；定义沟道区和大源漏区；将光刻胶上的图形转移到SiN和SiO2硬掩膜上；淀积与Si有高刻蚀选择比的材料；定义Fin条；形成Fin和大源漏的硬掩膜；形成Si Fin条和大源漏；淀积SiN；刻蚀SiN，形成SiN侧墙；氧化，形成纳米线；去除氧化层，形成悬空纳米线；形成栅氧化层；淀积多晶硅；定义栅线条；将光刻胶上的图形转移到多晶硅上；多晶硅和源漏注入；湿法腐蚀SiN；淀积SiO2，形成空气侧墙；退火激活杂质；完成器件制备。
一种空气围栅硅纳米晶体管制备方法

[发明专利]制作悬浮纳米线沟道型MOSFET的方法-CN201110425829.2无效
发明人：王冬江;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作悬浮纳米线沟道型MOSFET的方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有氧化物层和栅极；b)在所述氧化物层和所述栅极上依次形成有阻挡层、牺牲层和多晶硅层；c)对所述多晶硅层进行刻蚀采用本发明的方法制作的悬浮纳米线沟道型MOSFET具有较大的工艺窗口，并且在制作过程中具有较高的良品率。此外，本发明的方法获得的悬浮纳米线沟道型MOSFET具有较低的栅极漏电流和较高的漏极电流。
制作悬浮纳米沟道 mosfet 方法

[发明专利]锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜及其制备方法-CN200910024599.1有效
发明人：叶敏华;施毅;濮林;徐子敬;张荣;郑有炓 -专利权人：施毅
申请日： 2009-02-23 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明的锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜主要由硅纳米线阵列和锗纳米点组成，所述锗纳米点分布在硅纳米线阵列的硅纳米线上。其制备方法主要包括：利用P型或N型单晶硅，多晶硅做原始材料，利用刻蚀法制备大面积硅纳米线阵列。然后使用低压化学气相沉积技术，使用锗烷为气源，在大面积硅纳米线阵列衬底上制备锗点。是一种锗纳米点层数多、光效率高的大规模锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜产品，特别有利于进一步生产高效的光电子器件。其生产方法还具有生产设备成本低、生产效率高，产品成本可大幅度降低等优点，易于和现有的硅薄膜器件工艺结合，是生产锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜的一种优选方法。
纳米阵列结构薄膜及其制备方法

[发明专利]一种亚波长硅纳米线阵列的制备方法-CN201410614911.3有效
发明人：马文会;李绍元;周阳;魏奎先;于洁;杨斌;戴永年 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种亚波长硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料技术领域。本发明以廉价的商用多晶硅片为原料，借助纳米金属粒子（Ag、Pd、Au、Pt、Cu）的催化作用，运用一步或两步金属纳米颗粒辅助刻蚀法制备大规模（156×156mm2）具有单晶结构的硅纳米线阵列，经过对硅纳米线阵列的二次腐蚀可高效地获得大规模尖端较细的（亚波长结构）纳米线阵列；可通过调控金属纳米颗粒尺寸、氢氟酸浓度、腐蚀时间、碱液浓度等参数来实现不同结构硅纳米线阵列的制备；本发明中获得的大规模具有亚波长结构的硅纳米线阵列对光线表现出良好的减反射特性，这使得硅纳米线在太阳能光伏领域也展现出良好的应用前景。
一种波长纳米阵列制备方法

[发明专利]一种基于超表面结构的光学平坦滤波器及光纤器件-CN202310817909.5有效
发明人：刘洋;高茂华 -专利权人：武汉中科锐择光电科技有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于超表面结构的光学平坦滤波器及基于该光学平坦滤波器实现的光纤器件，所述光学平坦滤波器包括：沿入射光方向依次设置的导模共振多晶硅纳米层、第一SiO2沉底层、Mie共振多晶硅纳米层和第二SiO2沉底层；所述导模共振多晶硅纳米层和所述Mie共振多晶硅纳米层均包含多组结构尺寸相同的多晶硅纳米结构，且所述Mie共振多晶硅纳米层中的多晶硅纳米结构的间距以及单个多晶硅纳米结构的尺寸大于所述导模共振多晶硅纳米层中多晶硅纳米结构的间距与尺寸
一种基于表面结构光学平坦滤波器光纤器件

[发明专利]硅基核壳纳米线光伏电池及其制备工艺-CN201110219803.2有效
发明人：吕文辉;陈立桅 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基核壳纳米线光伏电池及其制备方法。该光伏电池包括N型硅衬底，该衬底正面形成有N型硅纳米线阵列作为光活性层，其底面上设有金属背电极，该硅纳米线阵列与空穴传输的有机导电聚合物形成核壳纳米线肖特基异质结，该异质结上设有ITO顶电极。该硅纳米线阵列及硅衬底由纯度为3-6N级的单晶或多晶硅形成，纳米线高度为3-5μm，衬底厚度为5-200μm。其制备工艺为：采用湿法刻蚀在N型硅衬底正面制备出硅纳米线阵列，然后与空穴传输的有机导电聚合物形成核壳纳米线异质结，最后在硅衬底底面和异质结上分别组装金属背电极和ITO顶电极。
硅基核壳纳米线光伏电池及其制备工艺

[发明专利]一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜及其制备方法和应用-CN202110428229.5有效
发明人：曾俞衡;刘尊珂;叶继春;廖明墩;闫宝杰;刘伟 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：本发明公开了一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜，包括位于衬底背面的隧穿层、位于隧穿层背面的掺杂多晶硅层、位于掺杂多晶硅层背面的烧结电极，还包括位于掺杂多晶硅层和烧结电极之间的第一硅氧纳米晶层。本发明提供一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜，增加掺杂的硅氧纳米晶层作为电极金属扩散的势垒层，防止金属浆料烧结时烧穿多晶硅层与晶体硅直接接触，阻挡电极金属向衬底扩散；本发明还提供了一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜的制备方法和应用，其将制备隧穿层与掺杂多晶硅层中的退火晶化过程与制备烧结电极中的高温烧结过程合二为一，降低成本；将含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜应用于太阳能电池，提高电池效率。
一种含硅氧纳米多晶薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种太阳能电池片的制造方法-CN201110333979.0无效
发明人：孔繁敏;孙湘航;司继良;张小翠 -专利权人：山西纳克太阳能科技有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种太阳能电池片的制造方法，包括以下工艺步骤：（一）将金属硅在高周波电磁诱导精炼炉中熔化为熔融硅，并对熔融硅进行造渣除硼、一次直拉除金属、连续真空除磷、二次直拉得到6N以上提纯好的太阳能级多晶硅；（二）将6N以上的太阳能级多晶硅送入粉体制备设备，并制成太阳能级多晶硅微纳米粉体；（三）将太阳能级多晶硅微纳米粉体置于成型设备，将太阳能级多晶硅微纳米粉体制成太阳能级多晶硅片；（四）将太阳能级多晶硅片制作成太阳能级多晶电池片本发明从金属硅到太阳能级多晶硅的提纯生产过程是完全没有酸碱参与处理的，把多晶硅提纯、多晶硅微纳米粉制备、热压成型、电池片制作相结合在一个生产系统里面完成。制作工艺投入少、流程短。
一种太阳能电池制造方法

[发明专利]硅纳米管的制作方法-CN201110328166.2有效
发明人：景旭斌;杨斌;郭明升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅纳米管的制作方法，该方法包括以下步骤：在硅片上热氧化生长二氧化硅层，在二氧化硅层上依次沉积多晶硅和氮化硅；刻蚀氮化硅和多晶硅，形成顶部覆盖有氮化硅的多晶硅线；在多晶硅线一侧，以第一角度进行离子注入；去除多晶硅线上的氮化硅；在多晶硅线另一侧，以第二角度进行离子注入；在多晶硅线上热氧化生长二氧化硅膜形成硅纳米管。本发明采用氮化硅作为注入阻挡层，使得多晶硅线表面均匀掺杂，同时使得后续在多晶硅线上热氧化生长的二氧化硅膜厚度均匀，从而硅纳米管的性能提高。
纳米制作方法

[发明专利]用于半球形晶粒硅和纳米晶粒尺寸多晶硅的单晶片热CVD处理-CN200680010818.5无效
发明人：李明;凯文·坎宁安;石巴·帕纳意尔;邢广财;R·苏亚那拉亚南·耶尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2006-03-14 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：本发明提供了用于沉积半球形晶粒硅层和纳米晶粒尺寸多晶硅层的方法。在单衬底化学汽相沉积室中沉积半球形晶粒硅层和纳米晶粒尺寸多晶硅层。半球形晶粒硅层和纳米晶粒尺寸多晶硅层可以用作半导体期间中的电极层。在一个方面，提供了两步沉积处理来形成具有减小的粗糙度的纳米晶粒尺寸多晶硅层。
用于半球形晶粒纳米尺寸多晶晶片 cvd 处理

[发明专利]射频收发机中长条型热电与纳米硅薄膜光电集成发电机-CN201810208027.8在审
发明人：廖小平;陈友国 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明的射频收发机中长条型热电与纳米硅薄膜光电集成发电机，衬底为N型硅片，制作有非晶硅(a‑Si)薄膜、绒面和背电结结构，正负电极如图2所示进行连接，然后制备了第一氮化硅隔离层，用于隔离热电光电。热电式发电机的主要单元为热电堆，热电堆是由一系列的P型多晶硅纳米线簇和N型多晶硅纳米线簇构成的，溅射一层金属Ti/Au层作为热电堆电极，串联得到如图3所示的热电堆结构，最后PECVD生长第二氮化硅隔离层本发电机采用纳米硅薄膜，其热导率远低于传统体材料，可以实现一边维持电子运输，一边抑制热量输送，从而极大的提高了热电发电效率，在热电发电实用化上具有重要意义。
热电堆纳米硅薄膜发电机热电射频收发机光电集成纳米线簇热电发电长条型氮化硅隔离层热电式发电机热量输送正负电极重要意义层厚度传统体非晶硅热导率散热板电镀电极衬底电结溅射绒面制备薄膜串联隔离金属生长运输制作

[发明专利]射频收发机中方柱型热电与纳米硅薄膜光电集成发电机-CN201810208194.2在审
发明人：廖小平;陈友国 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H02S10/10 文献下载
摘要：本发明的射频收发机中方柱型热电与纳米硅薄膜光电集成发电机，选择N型硅片作为衬底，光电部分制作有非晶硅(a‑Si)薄膜、绒面和P型N型掺杂，正负电极按照图2所示进行连接，然后制备第一氮化硅隔离层，用于隔离热电光电热电发电机的基本结构为热电偶，本发明的热电偶采用垂直方柱结构，方柱由若干个P型多晶硅纳米线簇和N型多晶硅纳米线簇构成的，串联得到如图3所示的热电堆结构。本发电机实现了热电光电的单片集成，垂直型热电降低了内阻，采用纳米硅薄膜，其热导率远低于传统体材料，一边维持电子运输，一边抑制热量输送，同时还具有优异的光电特性和高电导率等，全面提高了热电光电发电效率。
热电纳米硅薄膜发电机射频收发机光电集成纳米线簇热电偶柱型热电发电机垂直方柱单片集成高电导率光电发电光电特性热电连接热量输送填充金属正负电极传统体垂直型氮化硅非晶硅隔离层热导率热电堆衬底方柱开孔刻蚀内阻绒面制备薄膜串联隔离运输制作

[发明专利]一种多晶硅基纳米结构锂电池的制备方法-CN201410284235.8有效
发明人：李传波;张春倩;张大林;薛春来;成步文;王启明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-06-23 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅基纳米结构锂电池的制备方法，包括取一多晶硅基材料，将该多晶硅基材料制备成多晶硅基纳米材料；将该多晶硅基纳米材料与导电剂、粘结剂及水混合制备成浆料，涂覆于铜集电极薄膜上，烘干称量后形成第一复合薄膜，以该第一复合薄膜作为多晶硅基纳米材料负极；将正极材料与导电剂、粘结剂及水混合，充分搅拌混合制备成浆料，涂覆于铝集电极上，烘烤、称量后形成第二复合薄膜，以该第二复合薄膜作为正极；将该多晶硅基纳米材料负极
一种多晶纳米结构锂电池制备方法

[发明专利]太阳能电池-CN200810066509.0有效
发明人：孙海林;姜开利;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2008-04-03 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，该太阳能电池包括一背电极、一多晶硅衬底和一碳纳米管结构。所述背电极设置于所述多晶硅衬底的下表面，且与该多晶硅衬底的下表面欧姆接触。所述碳纳米管结构设置于所述多晶硅衬底的上表面，且与该多晶硅衬底的上表面接触。
太阳能电池

[发明专利]空气侧墙围栅硅纳米线晶体管的制备方法-CN201110139383.7有效
发明人：黄如;诸葛菁;樊捷闻;艾玉杰;王润声;黄欣 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。包括：隔离并淀积SiO2；定义纳米线区域和大源漏区域；将光刻胶上的图形转移到SiO2硬掩膜上；淀积与Si有高刻蚀选择比的材料A；定义Fin硬掩膜；将光刻胶上的图形转移到材料A硬掩膜上；源漏注入；形成Si Fin和大源漏；形成纳米线；定义沟道区；将光刻胶上露出来区域的材料A去除；将光刻胶露出来区域的SiO2去除；形成栅氧化层；淀积多晶硅；多晶硅注入；淀积SiN；定义栅线条；形成栅线条；淀积SiN；形成SiN
空气墙围纳米晶体管制备方法