专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]量子点的制备方法-CN201811173288.7在审
  • 程陆玲;杨一行 - TCL集团股份有限公司
  • 2018-10-09 - 2020-04-17 - C09K11/88
  • 本发明提供了一种量子点的制备方法,包括:提供初始量子点,将所述初始量子点与有机羧酸混合,使有机羧酸结合到所述初始量子点表面;在所述初始量子点表面制备,其中,在所述初始量子点表面制备的步骤在含有机羧酸的生长反应体系中进行;将生长反应完成后的溶液体系与有机胺混合,使所述有机胺与剩余的阳离子前驱体发生络合;或将生长反应完成后的体系与有机膦混合并加热;或将生长反应完成后溶液体系与有机胺和有机膦的混合溶液混合并加热
  • 量子制备方法
  • [发明专利]量子点、量子点组合物、发光二极管及显示装置-CN202210163356.1在审
  • 周礼宽;杨一行 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2022-02-18 - 2023-08-29 - C09K11/02
  • 本申请公开一种量子点,包括量子点/第1/······/第n,n为大于等于1的整数,第1的材料为ZnSe,量子点与第1之间、相邻的之间的晶格失配度均小于等于5%。所述第1有利于空穴注入量子点内并限制电子注入量子点内,使注入量子点内的辐射复合发光的载流子趋于平衡,避免过量的电子使量子点带电,产生非辐射俄歇复合而淬灭;晶格失配度小于等于5%,可以使相邻的之间、相邻的之间具有较少的界面缺陷,减少晶格应力所导致的在界面缺陷处形成的非辐射复合中心,从而提高发光二极管的发光效率及寿命。
  • 量子组合发光二极管显示装置
  • [发明专利]一种中性HgSe/CdSe/ZnSe双量子点及其制备方法-CN202010598195.X有效
  • 刘西京;刘红雨;陈云 - 湖北理工学院
  • 2020-06-28 - 2022-10-11 - C09K11/89
  • 本发明公开了一种中性HgSe/CdSe/ZnSe双量子点及其制备方法,所述的量子点为在HgSe/CdSe量子点外包裹ZnSe量子点形成的结构的双量子点,其发射波长为1000‑1400nm本发明在制备HgSe/CdSe量子点时,采用段瞬时微波增温法进行加热,不同于常规的加热方法,该加热方法可瞬时升温,避免了其他杂物的干扰,完美的实现了成核以及生长所需的最佳反应温度。该量子点具有完美的结构,其粒度均一,荧光稳定性好,荧光量子效率高,生物安全性高,发射波长位于第二近红外区域(1000‑1400nm),可以直接用于生物体内肿瘤检测、深度活体成像以及靶向给药,也可以用于水中三聚氰胺
  • 一种中性hgsecdseznse量子及其制备方法

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