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[发明专利]一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构-CN201910245936.3有效
发明人：蒋宇;沈灵;严慧婕;李志芳;温建新;段杰斌 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构，包括存储器单元和控制MOS管，所述存储器单元包括3个首尾连接的阻变存储器簇，且相邻两个阻变存储器簇之间形成一个节点，从而形成存储器单元的3个节点，三个节点分别连接该多值阻变结构的两个控制端口和控制MOS管的漏极，所述控制MOS管的源极连接该多值阻变结构的一个读写端口，所述控制MOS管的栅极连接该多值阻变结构的选择导通信号。本发明提供的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构，最大化的减小了MOS管的数量，从而减少了多值阻变结构的面积。
一种基于多个单值阻变存储器多值阻变结构

[发明专利]一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制办法-CN201210104120.7有效
发明人：黄如;杨庚雨;张耀凯;陈诚;潘越;蔡一茂;谭胜虎;唐昱;黄英龙;毛俊;白文亮 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制方法。本发明的多值阻变存储器包括：n个阻变存储器R1至Rn以及n+1个端口ln1至lnn+1，n个阻变存储器中的每一个为二值阻变存储器，n个阻变存储器通过n-1个端口ln2至lnn串联在一起并连接至设置电路，本发明通过端口将两个以上的阻变存储器串联起来，实现了可变的多值存储的阻变存储器。本发明的多值阻变存储器，能够稳定控制，且可重复性好，而且可以实现等差的多值存储的阻变存储器。
一种适用于神经电路多值阻变存储器及其控制办法

[发明专利]一种多值阻变存储器及其制备方法-CN201210564552.6无效
发明人：黄如;陈诚;蔡一茂;张耀凯 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多值阻变存储器及其制备方法。一种多值阻变存储器，包括位于衬底上的下电极，位于所述下电极上的中间层，以及位于所述中间层上的上电极，其中，所述中间层包括至少两层阻变层，相邻两阻变层之间通过中间电极层隔离，所述至少两层阻变层可在外加电压作用下依次由低阻态转变为高阻态本发明实施例中的多值RRAM通过设置多层阻变层，并使这多层阻变层在外加电压作用下可以依次由低阻态转变为高阻态，实现了该RRAM的多阻值存储，而且，由于各阻变层在不同的阻态之间的转变比较好控制，某一阻变层由低阻态转变为高阻态时也不会影响其他阻变层的阻态，多值RRAM的稳定性更高。
一种多值阻变存储器及其制备方法

[发明专利]一种阻变存储器及采用其实现多值存储的方法-CN201410357066.6在审
发明人：赖云锋;辛璞聪;程树英;林培杰;俞金玲;周海芳;郑巧;章杰;张红;贾宏杰 -专利权人：福州大学
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种阻变存储器及采用其实现多值存储的方法，所述阻变存储器包括：一基片；一第一端电极，设置于基片上；一经等离子处理过的阻变存储介质，设置于第一端电极的右侧或上方；一第二端电极，设置于阻变存储介质的右侧采用所述阻变存储器实现多值存储的方法为：采用限制流经阻变存储介质电流的方式，对阻变存储介质的阻态进行调整。通过不同限制电流获得阻变存储介质的不同阻态，从而重复、稳定地实现多值存储。
一种存储器采用实现存储方法

[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法-CN202110266480.6有效
发明人：高建峰;项金娟;刘卫兵;杨涛;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器技术领域，解决了现有技术中器件高低阻态及多值存储的实际控制困难、工艺重复性差的问题。本发明阻变存储器包括依次设置的底电极、阻变层、插入层、Ti薄膜和顶电极；所述插入层形成一个阻变层氧空位向Ti薄膜扩散的势垒层。本发明可以实现可控的高低阻态和多值存储特性。
一种存储器及其制备方法

[发明专利]一种实现多值非挥发存储的方法-CN202010502998.0有效
发明人：赖云锋;宫泽弘;林培杰;程树英;郑巧;俞金玲 -专利权人：福州大学
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提出一种实现多值非挥发存储的方法，通过提升阻变存储器的高低态阻值比，以及增加多值存储时各阻态的区分度来优化其多值非挥发存储性能；阻变存储器的电极之间设有可稳定所述阻变存储器高阻态工况导电通路的多层阻变介质；多层阻变介质包括第一介质层和第二介质层；所述第一介质层与第二介质层的界面间存在势垒；当阻变存储器处于高阻态工况时，所述势垒提升电阻值；第一介质层中分布有可稳定所述阻变存储器低阻态工况导电通路的金属纳米颗粒；当阻变存储器处于低阻态工况时，金属纳米颗粒降低电阻值；本发明通过在存储介质中嵌入纳米颗粒，实现阻变存储器各阻态的区分度的提高并保证器件的数据存储能力。
一种实现多值非挥发存储方法

[发明专利]实现多值存储的介质层、阻变存储器及其制备方法与应用-CN202111327435.3在审
发明人：周静;王志青;王雯雯;陈文;胡洋;李昂;吕承睿;刘曰利 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供实现多值存储的介质层、阻变存储器及其制备方法与应用，将CuSbS2用作RRAM的介质材料，其可以呈现双极性、非易失性阻变特征，具有较低的开关电压和高阻变开关比；同时利用Sb原子的孤对电子与S 3p形成反键轨道的较高能级再次与Sb 5p进行轨道杂化，形成了新的电荷俘获态，使介质层及阻变存储器呈现出多值存储的性能，获得了具有不同于现有技术的新型多值存储机制的介质层和阻变存储器阻变存储器的特征在于：介质层采用CuSbS2材料。制备方法的特征在于：采用CuSbS2材料形成介质层。
实现存储介质存储器及其制备方法应用

[发明专利]基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其操作方法-CN201610160484.5有效
发明人：沈轶;徐博文;王小平;陈林;陈凯 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其操作方法；所述基于忆阻的多值存储单元是利用忆阻器的阻变特性，由多个忆阻器以特殊的连接方式构成。这种连接方式组成的多值存储单元继承了忆阻器，体积小，功耗低，可拓展性强的优点。相较于传统忆阻器存储结构，所述多值存储结构提供了更大的存储空间，为存储器设计提供了一种新的思路。所述多值存储单元的读写电路包括存储单元、控制开关以及电压比较电路。
基于忆阻器存储单元读写电路及其操作方法

[发明专利]一种多阻态忆阻器-CN201210348359.9有效
发明人：刘力锋;后羿;陈冰;李悦;于迪;高滨;韩德栋;王漪;康晋锋;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种多阻态忆阻器，包括:自下而上依次生成的底电极层、阻变层、顶电极层，其中底电极层和顶电极层用于与外部电源进行电连接，阻变层用于实现多阻态之间的转换；使多阻态忆阻器工作在单、双极两种操作方式下，不同阻值间的变化由顶电极上所加电压激励的方向和大小控制；通过本发明解决了多值存储中多阻态的稳定性和一致性问题，满足了多值存储的需要。
一种多阻态忆阻器

[发明专利]一种多阻态双层薄膜结构阻变储存器及其制备方法-CN201510626464.8有效
发明人：金康康 -专利权人：金康康
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多阻态双层薄膜结构阻变储存器及其制备方法。该阻变存储器具有稳定的保持特性和多值存储性能，具体是指以金属Ti/Au为上电极、以ITO作为衬底和下电极，利用射频磁控沉积技术在ITO衬底上先后镀上TiOCu和Ga2O3薄膜而形成阻变层，然后在ITO衬底上和已经镀氧化镓的薄膜上溅射钛(Ti)和金(Au)薄膜，制成ITO/TiOCu/Ga2O3/Ti/Au结构的存储器件，并实现了多值存储功能。本发明的优越性在于通过异质结界面处缺陷的移动而产生单双极阻变，制备的阻变存储器件具有稳定的保持特性、循环特性以及多阻态阻变存储性能，提高了存储器的存储容量和使用寿命。
一种多阻态双层薄膜结构储存器及其制备方法

[发明专利]一种多值存储的阻变存储器件的制备方法-CN201210065232.6在审
发明人：李培刚;申婧翔;张岩;王顺利;唐为华 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于界面氧空位而实现多值存储性能的阻变存储器件，具体是指以金属Ag和Ti为上下电极、以Nb:SrTiO3为阻变层的存储结构在多值存储性能上的实现。本发明是利用磁控溅射的方法在Nb:SrTiO3的衬底上溅射金属钛(Ti)薄膜，并涂覆金属银(Ag胶)，而得到了Ag/Nb:SrTiO3/Ti结构的存储器件并实现了多值存储的性能。本发明的优越性：在不同大小的正负偏压下通过氧空位调控势垒的高度来实现多值存储的优异性能。
一种存储器件制备方法

[发明专利]一种可实现多值存储的阻变存储器-CN201310753976.1有效
发明人：范春晖;左青云;周伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种可实现多值存储的阻变存储器，其包括半导体衬底、N‑1组双层结构以及位于N‑1组双层结构上的顶电极；其中，N‑1组双层结构由一个电极和一层位于所述电极上的阻变层组成，N‑1组双层结构位于衬底上且自下而上依次层叠，N为大于等于3的正整数；自下而上所有的第奇数个电极并联作为阻变存储器的下电极，自下而上所有的第偶数个电极并联作为阻变存储器的上电极。因此，本发明通过将多个电极和阻变层交替层叠的方式，使得每一层阻变层发生阻变所需的电压不同且发生阻变后的阻值也不同，从而实现存储器单元结构的多值存储，并且由于采用纵向层叠的结构，本发明的存储器单元不会占用额外的面积
阻变存储器双层结构电极多值存储阻变层电极并联衬底存储器单元结构存储器单元交替层叠依次层叠纵向层叠顶电极下电极正整数半导体占用

[实用新型]一种具有多值储存功能的阻变存储器结构-CN202121115463.4有效
发明人：孙堂友;高帅;涂杰;宁涛华;石卉;李海鸥;傅涛;刘兴鹏;王阳培华;肖功利;张法碧 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有多值储存功能的阻变存储器结构，通过在所述顶电极和所述底电极间设置有若干个上圆锥金属图案和下圆锥金属图案，所述上圆锥金属图案和所述下圆锥金属图案均为圆锥体设置，所述上圆锥金属图案和所述下圆锥金属图案圆锥的尖端的朝向相互对峙，同时在所述阻变介质层的中部插入所述金属插层，所述金属插层将所述阻变介质层间隔出距离相等或不等的上下层，当在所述底电极和所述顶电极上加载电压时，通过调节对阻变存储器的电压数值，调整所述阻变介质层内导电细丝的生成情况进而形成三种不同阻态，从而实现多值储存的功能，提高阻变存储器存储密度。
一种具有储存功能存储器结构

[发明专利]一次编程存储器的多值存储方法-CN200910310009.1无效
发明人：刘明;左青云;龙世兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G11C17/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种一次编程存储器的多值存储方法，属于微电子制造及存储器技术领域。一次编程存储器包括双极型阻变存储器和整流二极管，所述双极型阻变存储器和所述整流二极管之间相串联，对一次编程存储器施加至少两种不同电压值的编程电压或者不同电流强度的编程电流，使所述一次编程存储器从高阻态转变成至少两种不同的低阻态，实现多值存储。本发明的一次编程存储器的多值存储方法实现了一次编程存储器的多值存储、实现了更高的存储密度以及避免了交叉阵列结构中的误读。
一次编程存储器存储方法

[发明专利]一种多路复用多值阻变结构及其形成的神经网络-CN201910290334.X有效
发明人：沈灵;蒋宇;严慧婕;李志芳;温建新;段杰斌 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多路复用多值阻变结构，包括阻变存储器单元和MOS选择单元，阻变存储器单元包括M个阻变存储器子单元，MOS选择单元包括N个并联的复用MOS管；阻变存储器子单元包括阻变存储器和控制MOS管，阻变存储器的一端连接该阻变存储器子单元对应的控制信号，另一端连接所述控制MOS管的漏极，控制MOS管的栅极连接该阻变存储器子单元对应的选择信号，且M个控制MOS管的源极与N个复用MOS管的漏极共同连接至同一节点本发明利用了简化的MOS选择单元来实现多值的模拟量输出，减少了灵敏放大器和数字‑模拟转换器等电路模块，节省了电路面积。
一种多路复用多值阻变结构及其形成神经网络

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