“后羿”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]穿线孔可调式配电箱-CN202123303810.9有效
发明人：皮春明;高锡春;后羿;李成辉 -专利权人：中交（广州）建设有限公司;广东力生电器有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H02B1/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种穿线孔可调式配电箱，包括箱体和至少一组遮挡组件，箱体侧壁开设有穿线孔；遮挡组件包括滑槽和挡板，滑槽设置于箱体侧壁，挡板活动设置于滑槽；其中，挡板能够沿着滑槽移动覆盖部分穿线孔或覆盖整个穿线孔。通过在穿线孔处设置遮挡组件，遮挡组件包括滑槽和挡板，挡板能够沿着滑槽移动并覆盖部分穿线孔或覆盖整个穿线孔，使得工作人员可以根据线缆的实际大小，将穿线孔调节至与线缆适配的大小；当穿线孔不使用时，也可以将穿线孔关闭，由此能够灵活调节穿线孔的大小，扩大配电箱的适用范围，提高配电箱的安全性能。
穿线调式配电箱

[发明专利]隧道洞内预制构件一体化智能拼装台车-CN202110907631.1在审
发明人：刘文;谭啸峰;曾德星;游关军;秦小锋;喻青儒;杨擎;皮春明;后羿;曹海波;黄剑;黄威;杨睿;李雪松;任梦 -专利权人：中交（广州）建设有限公司;中交第二航务工程局有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： E21D11/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧道洞内预制构件一体化智能拼装台车，包括相连的立柱吊装梁和车道板吊装梁，所述立柱吊装梁和车道板吊装梁的下部均设有底部支撑移动结构，车道板吊装梁的一端下部设有位于铺好预制车道板上的车道板吊装梁支撑移动结构，所述立柱吊装梁的下部设有用于吊装预制立柱的立柱悬吊结构，所述车道板吊装梁的设有用于吊装预制车道板的车道板悬吊结构。该隧道洞内预制构件一体化智能拼装台车结构设计合理，可对预制立柱和预制车道板进行快速一体化吊运配装，从而实现洞内双层结构快速装配化施工，提高了施工效率的同时保障了洞内结构施工的安全性。
隧道预制构件一体化智能拼装台车

[发明专利]一种盾构隧道洞内预制构件快速拼装的施工方法-CN202110902322.5在审
发明人：谭啸峰;曾德星;刘文;游关军;秦小锋;喻青儒;杨擎;皮春明;后羿;曹海波;黄威;杨睿;李雪松;任梦 -专利权人：中交（广州）建设有限公司;中交第二航务工程局有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： E21D11/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种盾构隧道洞内预制构件快速拼装的施工方法，包括以下步骤：预制构件工厂化预制生产；下部的预制底部支撑构件随盾构掘进同步拼装；在预制底部支撑构件侧部上浇注形成两侧浇注基座；利用拼装台车将预制立柱吊装在对应侧的浇注基座上施工；利用拼装台车将上层预制车道板架设在两侧预制立柱上；边板浇注部分施工；预制边板、预制防撞侧石以及预制排水沟施工；预制底部支撑构件和上层预制车道板的路面铺装层施工。通过对结构构件工厂化预制，相比传统现浇施工工艺，现场预制装配化拼装施工提高了施工效率，节省了施工工期；预制构件运输吊装采用一体化智能拼装设备施工，在提高施工效率的同时保障了洞内结构施工的安全。
一种盾构隧道预制构件快速拼装施工方法

[发明专利]基于阻变器件的多位全加器及其操作方法-CN201380039287.2在审
发明人：刘力锋;后羿;陈冰;高滨;韩德栋;王漪;刘晓彦;康晋锋;程玉华 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：公开了一种基于阻变器件的全加器及其操作方法。利用基于阻变器件的交叉阵列构成多位全加器电路，其中本位和数据非挥发性存储于交叉阵列主对角线上，进位数据存储于主对角线两侧相邻单元。利用存储回路(串扰回路)的连通与否存储进位数据。本技术大幅简化了多位全加器电路。减少进位信号产生的额外电路，减少电路延时和芯片面积，并使加法器具有非挥发性存储的能力。
基于器件全加器及其操作方法

[发明专利]具有存储器功能的场效应晶体管及其三维集成方法-CN201410085379.0有效
发明人：刘力锋;张伟兵;后羿;高滨;韩德栋;王漪;刘晓彦;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有存储器功能的场效应晶体管及其三维集成方法，由上选择管和下选择管及中间的存储单元组成三维结构，且所有的晶体管均为竖直结构，与水平晶体管相比竖直晶体管的布局面积更小，从而可以提高RRAM的集成密度，进一步降低成本。该方法包括：在衬底上依次沉积SiO₂、下选择管的重掺杂多晶硅控制栅层、SiO₂，通过反应离子刻蚀SiO₂、多晶硅、SiO₂层形成下选择管的沟道区域；顺序沉积多晶硅层和SiO₂层，反应离子刻蚀沉积的SiO₂和多晶硅层，形成存储单元的沟道通孔；沉积上选择管的重掺杂多晶硅控制栅层和SiO₂，通过反应离子刻蚀多晶硅层和SiO₂层，形成上选择管的沟道区域。
具有存储器功能场效应晶体管及其三维集成方法

[发明专利]双极阻变存储器件-CN201210434899.9在审
发明人：康晋锋;张飞飞;高滨;黄鹏;陈冰;于迪;马龙;后羿;刘力锋;刘晓彦 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种双极阻变存储器件，包括阻变元件，包括阻变材料层和与阻变材料层接触的至少一个电极，以及反向二极管，包括相反导电类型的两个掺杂区，在两个掺杂区之间的界面上形成pn结，其中，反向二极管与阻变元件串联连接。该双极阻变存储器件利用反向二极管作为访问存储器件的双向开关，并且可以抑制串扰。
双极阻变存储器件

[发明专利]一种忆阻层及忆阻器-CN201310206768.X有效
发明人：刘力锋;后羿;陈冰;高滨;韩德栋;王漪;康晋锋;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻层，包括主要层和辅助层；所述辅助层位于所述主要层的上面；所述主要层的厚度大于辅助层的厚度；所述主要层由具有阻变特性的金属氧化物Ax1Oy1构成；所述辅助层由金属氧化物Bx2Oy2构成；x1、x2、y1、y2为与化学价相关的元素比例。本发明还公开了一种电学特性参数离散性较小的忆阻器。本发明所公开的忆阻层结构简单，性能优越，工艺复杂度低，节约了生产成本。
一种忆阻层忆阻器

[发明专利]忆阻器件及其制备方法-CN201210587167.3有效
发明人：刘力锋;后羿;李悦;于迪;陈冰;高滨;韩德栋;王漪;康晋锋;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器件，包括衬底层，所述衬底层之上有多层隔离层，每两层隔离层之间包括一层忆阻单元，忆阻单元包括两层可动离子阻挡层和中间的平面电极层；还包括从最上层的隔离层刻蚀至最下层隔离层的顶电极刻蚀槽；所述顶电极刻蚀槽及最上层隔离层的表面覆盖有电解质层；所述顶电极刻蚀槽内设置有顶电极；还包括分别从最上层隔离层表面覆盖的电解质层刻蚀至各忆阻单元的平面电极层而形成的多个底电极。本发明并提供了制备该忆阻器件的制备方法。本发明提出的垂直结构的忆阻器件，简化了三维忆阻器件的工艺，同时采用可动金属离子阻挡层技术，有效解决可动离子污染问题。
器件及其制备方法

[发明专利]基于忆阻器和薄膜晶体管的柔性存储器及多阻态的实现-CN201210587179.6无效
发明人：刘力锋;后羿;李悦;于迪;陈冰;高滨;韩德栋;王漪;康晋锋;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于忆阻器和薄膜晶体管的柔性存储器及多阻态的实现，该柔性存储器包括串联的薄膜晶体管和忆阻器，薄膜晶体管的衬底为柔性衬底。该方法包括如下步骤：在忆阻器件的RESET过程中，对忆阻器件施加栅压，同时在薄膜晶体管的源端施加正偏压，并将忆阻器件的顶电极接地，使忆阻器件反偏进入最高阻态；将栅压依次减小，减小栅压的过程中始终将所述薄膜晶体管的源端接地，使得忆阻器件的顶电极正偏，进入忆阻器件的SET过程得到不同的阻值。本发明通过薄膜晶体管和忆阻器串联方式，解决了忆阻器的多级电阻态控制问题，同时，利用薄膜晶体管的低温工艺特点，可以使基于忆阻器和薄膜晶体管的存储器应用到柔性电子存储电路中。
基于忆阻器薄膜晶体管柔性存储器多阻态实现

[发明专利]一种多阻态忆阻器-CN201210348359.9有效
发明人：刘力锋;后羿;陈冰;李悦;于迪;高滨;韩德栋;王漪;康晋锋;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种多阻态忆阻器，包括:自下而上依次生成的底电极层、阻变层、顶电极层，其中底电极层和顶电极层用于与外部电源进行电连接，阻变层用于实现多阻态之间的转换；使多阻态忆阻器工作在单、双极两种操作方式下，不同阻值间的变化由顶电极上所加电压激励的方向和大小控制；通过本发明解决了多值存储中多阻态的稳定性和一致性问题，满足了多值存储的需要。
一种多阻态忆阻器

1
共 10 条