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[发明专利]内窥镜和内窥镜系统-CN201780036601.X有效
发明人：木内英明 -专利权人：奥林巴斯株式会社
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： A61B1/045 文献下载
摘要：内窥镜系统具备内窥镜和处理器，其中，内窥镜具有：摄像元件，其设置于插入部，拍摄被检体并输出2值的图像信号；多值调制部，其经由规定的传输路径输出对所述2值的图像信号进行多值调制所得到的多值信号；存储器，其存储与信号传输有关的内窥镜信息，处理器具有：多值解调部，其经由所述规定的传输路径接收所述多值信号，通过多值解调来获得所述2值的图像信号并输出该2值的图像信号；以及控制器，其从所述存储器读出所述内窥镜信息，基于读出的所述内窥镜信息来决定所述多值调制部的所述多值调制中的多值数，来对所述多值调制部进行控制。
内窥镜系统

[发明专利]记录设备-CN201010249710.X有效
发明人：驹野雄亮;中西英城 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-08-05 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： B41J2/01 文献下载
摘要：使记录头以往复方式移动和扫描的记录设备包括：缓冲器，存储包括多值数据的光栅数据；表，对多值数据的值定义点模式，表包括与值对应的点模式；第一信息存储单元，根据记录头的扫描方向和多值数据的值存储点模式的初始值；第二信息存储单元，存储指示光栅的多值数据的值为“0”的空光栅的信息；确定单元，对各个光栅执行对多值数据的值的评价及关于光栅是否为空光栅的确定；光栅控制单元，根据确定单元的评价和确定结果执行：将初始值存储在第一信息存储单元上的控制，将信息存储在第二信息存储单元上的控制，将多值数据存储在缓冲器上的控制；生成单元，基于第一信息存储单元存储的初始值和表从缓冲器读取多值数据并基于多值数据生成点模式。
记录设备

[发明专利]半导体多值存储器件-CN99105776.7无效
发明人：日比野健次 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-04-14 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： G11C17/00 文献下载
摘要：一种半导体多值只读存储器件，将多值数据存储在一个存储单元阵列(21a)中，而将多值参考数据存储在一个参考单元阵列(22a/22b/22c)中，为了读出该多值数据及对应的多值参考数据，在不同定时(t11/t12/t13)逐级地将字线(WL)及参考字线(Wla/WLb/WLc)变为多种不同的有效电平(VG1/VG2/VG3)，以通过对每个多值数据与多值参考数据进行比较来确定其值，从而使其不会受到偏移阈值及无意中被偏移的有效电平的影响
半导体存储器件

[发明专利]一种基于导电丝和极化共控制的多值存储单元-CN201610223436.6有效
发明人：王金斌;侯鹏飞;钟向丽 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及了一种基于导电丝和极化共控制的多值存储单元，该基于导电丝和极化共控制的多值存储单元是从下到上依次为底电极、铁电功能层、半导体功能层和顶电极；该多值存储单元通过顶电极金属原子在半导体功能层中迁移，以及铁电功能层的极化翻转和氧空位浓度变化来实现多值存储的特性，该特性能实现非破坏性读取且储存密度高，此外操作简单，操作电压低，并且与Si工艺兼容，能实现低电压的写入和读取，克服了铁电隧道结以往使用探针写入读取多值存储、采用昂贵衬底、昂贵电极材料和不能与Si工艺兼容的局限，并且实现了多值存储，有利于实现工业化。
一种基于导电极化控制存储单元

[发明专利]一种三维多值非挥发存储器的制备方法-CN201010597578.1无效
发明人：刘明;朱晨昕;霍宗亮;闫峰;王艳花;王琴;龙世兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维多值非挥发存储器的制备方法，属于微电子制造及存储器技术领域。所述多值非挥发存储器具有立体结构，基于电荷局域存储的特性，每个单元具有多个物理存储点，从而实现多值存储的特性。基于单个器件的立体结构，可以实现存储器阵列三维集成，从而大幅度提高存储密度。本发明三维多值非挥发存储器密度高、易集成，采用现有存储器制造工艺即可实现，有利于本发明的推广和应用。
一种三维多值非挥发存储器制备方法

[发明专利]光谱编码多值光信息处理系统-CN200810073552.X无效
发明人：蔡泽思;蔡强胜 -专利权人：蔡泽思;蔡强胜
申请日： 2008-04-24 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： G11B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于多值逻辑理论的光谱编码多值光信息处理系统，包括光谱编码多值光信息存储介质、单元格的构成、编码方式、颜色校正技术、寻址技术、写操作技术、读操作技术、与二值光信息的相互解释技术，其存储技术中每个光信息存储单元格中有本发明是在符合CIE标准的前提下，光谱的多种颜色对应多种光信息编码值，通过多值光信息编码方式存储于光信息存储介质的多值光信息存储技术。由于多值光信息编码值的增加和存储介质形态的改变，使得光信息存储技术有了革命性的改变，提高了光信息存储量、和降低了存储空间和节约了设备成本等，在光信息存储领域有着非常广阔的前景。
光谱编码多值光信息处理系统

[发明专利]一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构-CN201910245936.3有效
发明人：蒋宇;沈灵;严慧婕;李志芳;温建新;段杰斌 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构，包括存储器单元和控制MOS管，所述存储器单元包括3个首尾连接的阻变存储器簇，且相邻两个阻变存储器簇之间形成一个节点，从而形成存储器单元的3个节点，三个节点分别连接该多值阻变结构的两个控制端口和控制MOS管的漏极，所述控制MOS管的源极连接该多值阻变结构的一个读写端口，所述控制MOS管的栅极连接该多值阻变结构的选择导通信号。本发明提供的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构，最大化的减小了MOS管的数量，从而减少了多值阻变结构的面积。
一种基于多个单值阻变存储器多值阻变结构

[发明专利]基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其操作方法-CN201610160484.5有效
发明人：沈轶;徐博文;王小平;陈林;陈凯 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其操作方法；所述基于忆阻的多值存储单元是利用忆阻器的阻变特性，由多个忆阻器以特殊的连接方式构成。这种连接方式组成的多值存储单元继承了忆阻器，体积小，功耗低，可拓展性强的优点。相较于传统忆阻器存储结构，所述多值存储结构提供了更大的存储空间，为存储器设计提供了一种新的思路。所述多值存储单元的读写电路包括存储单元、控制开关以及电压比较电路。所述读写电路通过外加脉冲信号对读、写、擦除操作进行选择，本读写电路结构简单，所需器件少，读取结果精确且可结合选址电路用于大规模阵列存储。
基于忆阻器存储单元读写电路及其操作方法

[发明专利]一种多值化逻辑电路、相关电路的实现方法及装置和应用-CN202310984464.X在审
发明人：孙京航;胜满德;福岛庆多 -专利权人：长沙市东方芯科技有限责任公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种多值化逻辑电路、相关电路的实现方法及装置和应用。该多值化逻辑电路包括：多电源及供电连接的多比特存储器；通过使用多电压的多比特存储器来保存多进制数字数据；所述多比特存储器使用多电源电路进行多比特化。本发明通过引入多值化逻辑电路和多比特存储器，不使用2个数值的二进制数据，而使用3进制、4进制、n进制的多值化运算，可以实现对多进制数据的处理能力提升。进一步可以实现以存储器为基础的可编程逻辑电路的多值化运算，提高处理能力和数据处理效率。另外，本发明提供一种使用多值化逻辑电路实现以存储器为基础的可编程逻辑电路在量子计算中的应用，不需要超低温环境，可以在常温下进行多值化运算。
一种多值化逻辑电路相关电路实现方法装置应用

[发明专利]一种多值存储器-CN202110159472.1在审
发明人：黄琨;赵立新;陈金鑫 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多值存储器。该多值存储器包括：多个存储子列；每个存储子列包括浮置扩散区和多个存储单元；所述存储单元至少包括：电荷存储区和对应的转移晶体管；每个存储子列还包括：复位晶体管和源跟随晶体管；所述源跟随晶体管采用鳍形场效应晶体管本发明通过设计新型的鳍形场效应晶体管应用于多值存储器，可以提高多值存储器的芯片面积，从而实现高密度存储。
一种存储器

[发明专利]一种多值阻变型非易失性存储器及其操作方法-CN201711249418.6有效
发明人：黄晓东;李帆;黄见秋 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开了一种多值阻变型非易失性存储器及其操作方法，该多值阻变型非易失性存储器包括由底栅、栅氧化层、源极以及漏极与半导体层构成的底栅底接触式薄膜晶体管以及顶栅与源极和漏极的交叠部分构成的阻变型存储器；本发明提供的多值阻变型非易失性存储器相较于传统的阻变型存储器而言具有结构紧凑，单元尺寸较小、存储密度高等优点。基于本发明的多值阻变型存储器的操作方法能够有效地进行多值存储。
一种多值阻变型非易失性存储器及其操作方法

[发明专利]一种非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法-CN201110250842.9有效
发明人：徐跃;闫锋;濮林;纪晓丽 -专利权人：南京大学
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：非挥发性快闪存储器高密度多值存储的操作方法，对局部俘获型多值单元的存储操作采用下面的步骤：1）首先将局部俘获型存储单元擦除到阈值电压-2V～-1V的初始状态；擦除后使局部俘获型存储单元左右两边存储位的阈值电压相同；2）存储单元的阈值电压调整到预定值-2V～-1V，以这个预定值为多值存储的初始状态，对局部俘获存储单元进行多值存储的编程操作；3）通过改变栅极或漏极的编程电压，或者改变栅极或漏极编程时间，实现8种以上的编程状态本发明有高的存储密度：多值存储单元总的编程窗口大。每个编程状态允许的阈值电压分布宽。不同编程状态所对应的阈值电压分布不会出现交叠及良好的编程/擦除的耐受力和保持性。
一种挥发性闪存高密度存储操作方法

[发明专利]一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制办法-CN201210104120.7有效
发明人：黄如;杨庚雨;张耀凯;陈诚;潘越;蔡一茂;谭胜虎;唐昱;黄英龙;毛俊;白文亮 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制方法。本发明的多值阻变存储器包括：n个阻变存储器R1至Rn以及n+1个端口ln1至lnn+1，n个阻变存储器中的每一个为二值阻变存储器，n个阻变存储器通过n-1个端口ln2至lnn串联在一起并连接至设置电路，本发明通过端口将两个以上的阻变存储器串联起来，实现了可变的多值存储的阻变存储器。本发明的多值阻变存储器，能够稳定控制，且可重复性好，而且可以实现等差的多值存储的阻变存储器。
一种适用于神经电路多值阻变存储器及其控制办法

[发明专利]一种多值存储的阻变存储器件的制备方法-CN201210065232.6在审
发明人：李培刚;申婧翔;张岩;王顺利;唐为华 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于界面氧空位而实现多值存储性能的阻变存储器件，具体是指以金属Ag和Ti为上下电极、以Nb:SrTiO3为阻变层的存储结构在多值存储性能上的实现。本发明是利用磁控溅射的方法在Nb:SrTiO3的衬底上溅射金属钛(Ti)薄膜，并涂覆金属银(Ag胶)，而得到了Ag/Nb:SrTiO3/Ti结构的存储器件并实现了多值存储的性能。本发明的优越性：在不同大小的正负偏压下通过氧空位调控势垒的高度来实现多值存储的优异性能。
一种存储器件制备方法

[发明专利]强电介体存储器-CN03800304.X无效
发明人：滨田泰彰 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-03-27 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明提供一种基本不用变更以往技术的电路便可以进行多值存储的强电介体存储器。由存储的值，通过改变施加写入脉冲的时间而进行多值存储。作为写入脉冲用的电压只要准备一个即可，只要将复位或读出用的电压与写入脉冲的电压作成一样，便可以提供仅以一个电源而具有多值存储功能的强电介体存储器。
强电介体存储器

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