专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]梯度线圈的匀方法和装置-CN201810509890.7有效
  • 陶红艳 - 上海东软医疗科技有限公司
  • 2018-05-24 - 2020-09-15 - G01R33/385
  • 本发明公开了一种梯度线圈的匀方法,包括:向梯度线圈输入直流信号;根据梯度线圈产生的磁场,确定匀架在多个方向上的偏移量;根据偏移量调整预定的计算模型,根据调整后的计算模型计算每个所述匀片的设置参数;根据设置参数在匀条中设置匀片,以及将匀条插入梯度线圈;通过所架测量匀指标。根据本发明的实施例,通过确定匀架在多个方向上的偏移量,并根偏移量调整了预定的计算模型,进而根据调整后的计算模型可以更加准确地计算每个匀片的设置参数,使得后续设置的匀片更加合理,从而测量的匀指标更容易满足需要
  • 梯度线圈方法装置
  • [发明专利]电机的结构-CN201210270623.1有效
  • J.K.布思;U.埃里克森;B.N.雅各布森;R.尼尔森 - 西门子公司
  • 2012-08-01 - 2013-02-06 - H02K1/06
  • 本发明描述了一种电机的结构,该场结构包括多个槽,其中,槽从结构的第一表面延伸到场结构的主体中,并且其中,槽包括大小被制成容纳磁极组件的T形横截面积,该磁体组件包括相应的横截面积。本发明还描述一种磁极组件,包括附接到载体的极片,其中,所述载体的至少一部分比极片宽,并且其中,所述载体包括大小被制成装配到这种结构的T形槽中的T形横截面积。本发明还描述一种电机,包括电枢结构和这种结构,以及被布置在所述结构的槽中的多个这种磁极组件。本发明还描述一种在电机的结构中形成T形槽的方法。
  • 电机结构
  • [发明专利]被动匀层及磁共振成像设备-CN202211446238.8在审
  • 张楠 - 深圳市联影高端医疗装备创新研究院
  • 2022-11-18 - 2023-02-28 - G01R33/385
  • 本发明涉及被动匀层及磁共振成像设备,被动匀层包括支撑组件、匀条组件以及固定组件,支撑组件包括弹性件和多个支撑条,多个支撑条沿圆周方向依次间隔固定于主磁体的内壁上,弹性件呈弧形结构设置在多个支撑条的内侧匀条组件插接在弹性空腔内。通过设置弹性件和支撑条,相邻两个支撑条、弹性件以及主磁体的内壁之间形成弹性空腔。在安装时,仅需将匀条组件插入至所述弹性空腔内,即可通过弹性件将匀条组件压紧于主磁体内壁上,从而使得匀条组件能够紧固于弹性空腔内,便于减小匀条组件的振动,改善成像质量。
  • 被动匀场层磁共振成像设备
  • [发明专利]监测区域亿级像素的光相机AI分析系统及其方法-CN202111452150.2有效
  • 袁潮;温建伟;邓迪旻 - 北京拙河科技有限公司
  • 2021-12-01 - 2022-07-12 - G06V20/52
  • 本发明提出监测区域亿级像素的光相机AI分析系统和方法,属于光成像与视频监测技术领域。系统包括:由多个相机组成的多个相机阵列;用于调节光相机阵列拍摄方向的监控区域调节子系统;对目标监测区域执行监测模式分析的AI分析子系统,在控制屏幕上显示目标监测区域的目标人物或者在控制屏幕上提示预警区域的显示和预警子系统方法包括基于监控区域调节信号调节相邻光相机阵列中的至少一个光相机阵列的拍摄方向;或者基于多个动作模式分析结果以及每个成像视角对应的景深信息判断局部目标监测区域是否存在异常,其中光相机阵列的成像分辨率超过一亿
  • 监测区域像素相机ai分析系统及其方法
  • [实用新型]IGBT器件及芯片-CN202221006202.3有效
  • 常东旭;李雨衡;王振达;周源;李静怡;王超;朱林迪;梁维佳;胡磊 - 北京燕东微电子科技有限公司
  • 2022-04-28 - 2023-01-24 - H01L29/06
  • IGBT器件包括半导体基板上间隔设置的多个限环,环绕在多个限环外侧的结终端延伸结构,最内侧的限环定义出有源区,有源区中设置多个刻开区;相邻限环的第一掺杂区接触或交叠;结终端延伸结构的第二掺杂区与最外侧限环中的第一掺杂区接触或交叠;第二掺杂区的深度小于或等于最外侧限环中第一掺杂区的深度;最外侧刻开区的第三掺杂区的深度小于或等于最内侧限环的第一掺杂区的深度;最外侧刻开区的第三掺杂区与最内侧限环的第一掺杂区接触或交叠。
  • igbt器件芯片
  • [实用新型]用于填埋场封基础结构-CN202220754688.2有效
  • 陈辉;黄志亮;郭晓静;周欣;刘靖 - 北京泾渭环境科技有限公司
  • 2022-04-02 - 2022-08-12 - B09B1/00
  • 本实用新型提供用于填埋场封基础结构,包括封层,封层上设有多个倾斜水管和多个水平水管,倾斜水管与水平水管连通,封层底部设有集水主管,集水主管与多个水平水管连通,封层一侧设有渗透液处理装置,渗透液处理装置与集水主管连通,还设有喷淋主管,喷淋主管与渗透液处理装置连通,封层底部设有渗透液收集管,渗透液收集管与渗透液处理装置连通。斜坡和种植平台减缓雨水对封层的冲刷效果,能够对雨水进行收集,避免种植平台上发生积水的现象。渗透液处理装置能够存储雨水,对雨水的重复利用。
  • 用于填埋场封场基础结构
  • [发明专利]超级结MOSFET器件及其制作方法-CN202310686122.X在审
  • 祁金伟;张耀辉 - 苏州华太电子技术股份有限公司
  • 2023-06-09 - 2023-09-05 - H01L29/78
  • 该超级结MOSFET器件包括基底以及多个板结构,其中,基底包括层叠的衬底以及第一外延层;多个板结构间隔设置在第一外延层中,板结构包括氧化层以及竖直板,氧化层与第一外延层接触,竖直板位于氧化层中,竖直板的延伸方向与第一外延层的厚度方向相同,相邻的两个板结构之间的距离大于板结构的宽度,宽度为板结构的垂直于厚度方向的宽度。保证了超级结MOSFET器件的通流能力较好,且由于板结构的存在,使得超级结MOSFET器件的耐压能力较好,保证了超级结MOSFET器件的性能较好。
  • 超级mosfet器件及其制作方法

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