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[实用新型]医用电梯轿厢-CN202122214149.8有效
发明人：吴优琴 -专利权人：重庆威斯特电梯有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： B66B11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种医用电梯轿厢，包括由左侧壁板、右侧壁板、后壁板、顶板和底板围成的轿厢空间，所述左侧壁板的局部或者所述右侧壁板的局部向外延伸后形成外延结构，该外延结构的内侧形成外延空间，该外延空间与所述轿厢空间连通，所述外延空间呈矩形，且该外延空间的高度与所述轿厢空间的高度相同，在所述外延结构上设有折叠椅，该折叠椅位于所述外延空间内，在所述左侧壁板的前端设左操纵箱，在所述右侧壁板的前端设右侧操纵箱。既不影响电梯的运行，又增加了轿厢的使用空间，电梯运行时司机可坐在折叠椅上，不会占用轿厢空间，不会影响护理床或病床，方便医务人员或患者的进出，同时有两个操纵箱，方便乘客操作。
医用电梯

[发明专利]一种长波长VCSEL的制备方法及结构-CN202310484180.4在审
发明人：唐先胜;韩丽丽;王兆伟;宫卫华;张伟;翟瑞占;贾中青 -专利权人：山东省科学院激光研究所
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，提供了一种长波长VCSEL的制备方法，包括：在N‑InP衬底上，依次层叠生长N‑InP缓冲层、底DBR结构和N‑InP空间层，形成第一外延片；取出第一外延片，以光刻胶为掩膜，利用离子注入技术，向N‑InP空间层注入H离子，进而钝化部分N‑InP空间层，形成钝化区，未被钝化的N‑InP空间层形成发光区；去除掩膜，得到第二外延片；对第二外延片退火处理，以及清洗表面；在第二外延片的N‑InP空间层上依次层叠生长P‑InAlAs空间层、量子阱区、N‑InAlAs空间层和顶DBR结构，形成第三外延片；利用常规光电器件制备方法，制备第三外延片得到长波长VCSEL器件。
一种波长 vcsel 制备方法结构

[发明专利]保护栅极电荷平衡的MOSFET器件及其制造方法-CN202211731658.0有效
发明人：任炜强;春山正光;康剑 -专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种保护栅极电荷平衡的MOSFET器件，包括衬底、用于形成多层隔离栅阱的第一外延结构、用于形成屏蔽电场的第二外延结构以及与第二外延结构共同形成空间电荷区的第三外延结构。第三外延结构内开设有若干栅极沟槽。通过第二外延结构形成屏蔽电场以保护栅极沟槽的底面电场线密度较高的位置。同时，第二外延结构与第三外延结构组合形成空间电荷区，从而将栅极沟槽底部的电场部分转移至空间电荷区中，以减小栅极沟槽底部的电场，提高MOSFET工作的可靠性，实现较低的开关损耗。最后，通过隔离栅阱减小MOSFET内的JFET效应，与第二外延结构及第三外延结构形成的空间电荷区共同作用以降低MOSFET的导通损耗。
保护栅极电荷平衡 mosfet 器件及其制造方法

[发明专利]一种地库出入口的智能审查方法、装置及设备-CN202210643208.X在审
发明人：李一华;彭飞;周自强;吕明明 -专利权人：江西少科智能建造科技有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本发明提供一种地库出入口的智能审查方法、装置及设备，所述方法包括：判断平面设计图当中是否存在地库坡道入口空间；若存在，则将地库坡道入口空间的轮廓矩形的短边外扩第一预设长度，得到外延空间；将外延空间的尺寸标注标定为地库坡道入口的缓冲段长度；判断外延空间是否与基地红线相交；若相交，则判断缓冲段长度是否小于第二预设长度，若否则判定审查通过；若不相交，则判断缓冲段长度是否小于第三预设长度，若否则判定审查通过。本发明通过选择以地库坡道入口空间为基础外延得到的外延空间作为基准，并基于外延空间与基地红线来相交关系来区分不同场景，使地库出入库这类复杂多样的场景同样能够实现智能审图。
种地出入口智能审查方法装置设备

[发明专利]产生负离子的雾化式设备-CN201910168420.3在审
发明人：谢攀;梁羽翔 -专利权人：广东贺尔环境技术有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： F24F6/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够产生负离子的超声雾化设备，包括雾化专用容器，雾化专用容器用于盛装被雾化液体并为被雾化液体提供超声雾化空间，在雾化专用容器的底部设置有用于雾化液体的超声雾化发生器，其特征在于，还包括呈扁平状并连通超声雾化空间的外延出雾通道，外延出雾通道位于雾化专用容器的外面并以倾斜向上的方向延伸，从外延出雾通道的出雾方向看，外延出雾通道的宽度：高度至少为3:1；还包括形成外延出雾通道的上壁体和下壁体，从上下方向上看，位于外延出雾通道出雾口处的上壁体边缘的投影位于外延出雾通道内这样能够缩短雾化汽的流程，减少了负离子损耗，又能向比较宽的空间范围提供雾化汽，加大雾化汽的扩散空间。
出雾通道雾化专用容器雾化液体负离子雾化汽超声雾化上壁体超声雾化发生器超声雾化设备方向延伸扩散空间倾斜向上上下方向扁平状出雾口下壁体连通投影盛装

[实用新型]产生负离子的雾化式设备-CN201920283001.X有效
发明人：谢攀;梁羽翔 -专利权人：广东贺尔环境技术有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： F24F6/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种能够产生负离子的超声雾化设备，包括雾化专用容器，雾化专用容器用于盛装被雾化液体并为被雾化液体提供超声雾化空间，在雾化专用容器的底部设置有用于雾化液体的超声雾化发生器，其特征在于，还包括呈扁平状并连通超声雾化空间的外延出雾通道，外延出雾通道位于雾化专用容器的外面并以倾斜向上的方向延伸，从外延出雾通道的出雾方向看，外延出雾通道的宽度：高度至少为3:1；还包括形成外延出雾通道的上壁体和下壁体，从上下方向上看，位于外延出雾通道出雾口处的上壁体边缘的投影位于外延出雾通道内这样能够缩短雾化汽的流程，减少了负离子损耗，又能向比较宽的空间范围提供雾化汽，加大雾化汽的扩散空间。
产生负离子雾化设备

[发明专利]用于外延工艺的半导体制造设备-CN201280037955.3有效
发明人：金荣大;玄俊镇;禹相浩;申承祐;金海元 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：根据本发明一实施例，一种半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备包括：清洗腔室，其实施对基板的清洗工艺；外延腔室，其实施在所述基板上形成外延层的外延工艺；缓冲腔室，其具备用于载置所述基板的载置空间；搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室、所述缓冲腔室、及所述外延腔室连接，并且具备在所述清洗腔室、所述缓冲腔室、及所述外延腔室之间用于搬运所述基板的基板处理器，其中，所述基板处理器向所述载置空间依次载置已结束所述清洗工艺的所述基板后，并且将已载置的所述基板向所述外延腔室搬运，而且向所述载置空间依次载置形成有所述外延层的所述基板。
用于外延工艺半导体制造设备

[实用新型]用于外延设备的安装结构及电子设备-CN202222000896.6有效
发明人：刘常清;左其云 -专利权人：深圳市鸿合创新信息技术有限责任公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01R13/52 文献下载
摘要：本申请提供了一种用于外延设备的安装结构及电子设备，该用于外延设备的安装结构的内部形成容纳空间，该安装结构的表面具有一连通容纳空间与安装结构外部的开口；该开口固定设置有导轨，导轨由开口的侧壁朝向容纳空间内凸出形成利用该外延设备的安装结构，电子设备可以对封堵结构和外延设备进行选装，在需要电子设备单独进行工作的情况下，可以选装封堵结构，可以有效避免外延设备在不使用的情况下造成浪费；在需要电子设备和其他电子设备进行共同工作的情况下，可以选装外延设备，利用外延设备安装于外延设备的安装结构上，可以实现不同电子设备之间信号的传输，并且不占用现有的接口。
用于外延设备安装结构电子设备

[发明专利]一种用于金属有机物化学气相沉积的承载盘-CN201910324680.5有效
发明人：彭泽滔;万玉喜 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：所述承载盘包括：至少一个承载子盘，呈凹槽结构，用于放置外延晶圆衬底；在所述承载子盘内的第一空间填充有第一导热材料，所述第一空间为，当所述承载子盘放置有所述外延晶圆衬底时，所述外延晶圆衬底的平边和所述承载子盘侧壁之间的空间本申请实施例提供的承载盘可以提高外延晶圆衬底平边位置的热辐射加热效果，补偿了外延晶圆衬底平边位置的温度，可使得整个外延晶圆衬底温度更加均匀，由此抑制外延晶圆平边和边缘的黑点、雾边、裂痕等缺陷的产生，改善了外延片晶圆平边的晶体质量，从而提高外延晶圆整体的良率。
一种用于金属有机物化学沉积承载

[发明专利]外延硅晶圆的制造方法-CN201910554161.8有效
发明人：山本纯;松田信也 -专利权人：环球晶圆日本股份有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供能够减少外延膜中的碳浓度的外延硅晶圆的制造方法。在以载置硅晶圆的基座为界划分上部空间和下部空间而前述上部空间和下部空间经由既定的间隙连通的反应炉内、在前述硅晶圆的表面形成外延膜的外延硅晶圆的制造方法中，在前述反应炉内的上部空间形成沿硅晶圆的上表面沿横向流动的工艺气体的气流，并且在前述下部空间形成从前述基座的下方向该基座流向上方的主吹扫气体的气流，将在前述上部空间流动的工艺气体的流量设为100的情况下，使在前述下部空间流动的主吹扫气体流量为1.0~1.5，至少将前述上部空间的气压控制成大气压
外延硅晶圆制造方法

[实用新型]发光二极管-CN202221631454.5有效
发明人：傅元慧;陈怡宏;胡秦祥 -专利权人：元茂光电科技（武汉）有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发光二极管，包括：衬底、不透光反射层、内外延层、外外延层、不导电层、欧姆金属体、第一电极及第二电极。内外延层与外外延层通过间隔空间相分离。自发光二极管的上方观看，出光孔被间隔空间形成的封闭路径所围绕。在垂直于该封闭路径的断面上，内外延层的外壁与不透光反射层的顶面的法线的夹角为2至30度，外外延层的内壁与不透光反射层的顶面的法线的夹角为2至30度。间隔空间具有将电流及发光区域阻绝于内外延层的效果。通过将由内外延层侧面发出的光线导向发光二极管顶侧，发光二极管具有低侧光比。
发光二极管

[发明专利]全空间ODR深紫外高光效二极管芯片及其制作工艺-CN201910693448.9有效
发明人：张爽;刘源;徐盛海;戴江南;陈长清 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：提供了全空间ODR深紫外高光效二极管芯片，包括从下至上依次设置的外延单元、电极单元和ODR膜系单元；外延单元包括第二外延结构和若干组固定在第二外延结构上表面的第一外延结构，第二外延结构的周侧设置有第二斜面，第一外延结构的周侧设置有第一斜面；电极单元包括N型电极环和P型电极环；ODR膜系单元包括覆盖在第二斜面、第二外延结构上表面、第一斜面和第一外延结构上表面的ODR增透膜，ODR增透膜上表面覆盖有ODR反射层本发明还提供了全空间ODR深紫外高光效二极管芯片的制作工艺，通过一体成型的全空间ODR膜系单元即可提高对芯片内多区域光子的反射，且一体成型的ODR反射层制作更加简单，成本更低，步骤简洁。
空间 odr 深紫外高光效二极管芯片及其制作工艺

[发明专利]一种应用于服装裤的单向延伸型高适应性拉链-CN202211114511.7在审
发明人：张清飞 -专利权人：张清飞
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： A44B19/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于服装裤的单向延伸型高适应性拉链，属于拉链领域，通过在布套内设置可倾斜向外延伸的外延布，当本发明存在闭合困难时，受到拉力的外延布会逐渐从布套中延伸而出，造成弹性布和延伸填料相互挤压，首先弹性布发生弹性拉伸，为延伸填料的存在提供空间区域，此为外延布的顺利向外延伸提供第一道延伸手段，与此同时，延伸填料之间也会造成彼此挤压，实现自行叠合，减小自身所占据的空间体积，为外延布的向外延伸提供第二道延伸手段，另外，在需要时，还可手动将部分延伸填料移入外延套中，进一步缩小弹性布与布套之间延伸填料的体积，为外延布的继续向外延伸提供第三道延伸手段。
一种应用于服装单向延伸适应性拉链

[实用新型]外延片手动移栽夹具-CN202220925256.3有效
发明人：胡雨;戴冬云 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B25B9/02 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种外延片手动移栽夹具。所述外延片手动移栽夹具，包括两个夹臂，每一夹臂包括相互连接的一夹柄部和一夹头部，两个所述夹柄部相互连接，两个所述夹头部相对设置；两个弹性构件，每一弹性构件连接于一夹头部，至少每一弹性构件的内缘部具有弧形轮廓，所述弧形轮廓与外延片的一侧周缘部吻合，两个所述弹性构件之间形成一夹持空间，所述夹持空间用于夹持所述外延片。本实用新型提供的外延片手动移栽夹具，通过弹性构件具有弧形轮廓的内缘部对外延片外延进行夹取，方便操作，且该夹具夹持外延片的外径表面，不会损伤外延片的上下表面。
外延手动移栽夹具

[发明专利]一种碳化硅外延片高温取片设备-CN202211353234.5在审
发明人：牧青;文成;宋来金;赵万顺;李宝 -专利权人：江苏汉印机电科技股份有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅外延片高温取片设备，涉及碳化硅外延片加工领域，解决了现有通过抽吸管负压取片时稳定性差的问题，包括密封气筒和固定连通于密封气筒侧边的气管，密封气筒的外侧套接有用于与移动装置连接的安装套架，密封气筒的底部设有碳化硅外延片，密封气筒的内部安装有延伸筒，本发明通过缓冲机构和封闭机构的配合，其气管在真空抽吸泵的作用下持续的抽吸，在密封气筒与碳化硅外延片之间的封闭空间的气体受热膨胀时，气管又可对膨胀后的封闭空间抽吸，使其封闭空间再次处于低压状态，便可保证密封气筒和碳化硅外延片之间气压的稳定性，便可保证碳化硅外延片在取片过程中，不会出现脱落的现象。
一种碳化硅外延高温设备

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