“外延方式”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果2112390个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种形成P型重掺杂的方法-CN201010554524.7无效
发明人：孙智江 -专利权人：孙智江
申请日： 2010-11-23 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成P型重掺杂的方法，包括以下步骤：步骤①，在LED发光晶体外延片制作步骤中使用外延生长方式生长半导体发光材料；步骤②，在LED发光晶体外延片制作步骤中生成P型结构层；步骤③，停止LED发光晶体外延片制作步骤，进入LED芯片制作步骤；步骤④，在LED制作步骤中，通过注入或是掺杂方式，在所述的P型结构层外表面构成P型重掺杂。在外延生长P型重掺杂之前，停止外延生长，完成外延生长过程。通过注入或是掺杂方式，构成P型重掺杂。由此，通过改变P型重掺杂的生长方式，提高P型重掺杂的激活效率，降低P型GaN的欧姆接触电阻，从而提高LED芯片的发光效率。
一种形成掺杂方法

[发明专利]包含硅和碳的外延层的形成和处理-CN200710195484.X无效
发明人：邱永男;金以宽 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于形成并处理包含硅和碳的外延层的方法。根据一个或多个实施方式，处理将外延层中的间隙碳转换为替代碳。特定的实施方式涉及在半导体器件中，例如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件中外延层的形成和处理。在特定实施方式中，外延层的处理包含退火短时间周期，例如，通过激光退火、毫秒退火、快速热退火、瞬间退火及其组合。实施方式包括包含硅和碳的至少部分外延层的无定形化。
包含外延形成处理

[发明专利]带笔筒的键盘-CN201310583258.4无效
发明人：孙洁 -专利权人：西安智视芯电子科技有限公司
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： G06F3/02 文献下载
摘要：本发明属于计算机通讯技术领域，具体提供了一种带笔筒的键盘，包括键盘，还包括外延平板、笔筒，外延平板设置在数字键盘前方，所述外延平板通过铆接方式与数字键盘连接，笔筒设置在外延平板的上方，所述笔筒通过粘贴方式与外延平板连接通过设置在键盘上的外延平板上的笔筒，将所需用笔置入笔筒中，需要用笔时，触手可及，方便办公。
笔筒键盘

[发明专利]基于带的外延剥离设备和方法-CN200980155618.2无效
发明人：汤玛士·J·吉密特;何甘;美利莎·艾契尔;安德瑞斯·海吉杜斯 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明的实施方式大体上涉及用于通过外延剥离(ELO)过程来制作外延薄膜和器件的设备和方法。在一个实施方式中，提供了用于在ELO过程期间形成薄膜器件的方法，该方法包括：将多个基底连接至细长的支撑带，其中每个基底包括被布置在牺牲层上方的外延膜，该牺牲层布置在晶片上方；在蚀刻过程期间将基底暴露于蚀刻剂，同时移动细长的支撑带；以及蚀刻牺牲层并将外延膜从晶片剥离，同时移动细长的支撑带。实施方式还包括一些设备，连续型以及分批型设备，用于形成外延薄膜和器件，这些设备包括用于从外延膜生长所在的晶片上移除支撑带和外延膜的设备。
基于外延剥离设备方法

[发明专利]基于模拟方式获得外延平坦度的方法-CN201810837465.0在审
发明人：王华杰;曹共柏;林志鑫 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本发明提供一种基于模拟方式获得外延平坦度的方法，包括：1）提供第一衬底，在预设参数条件下，于第一衬底上生长外延层；2）测量外延层的第一实际厚度，并对外延层进行模拟以获得外延层外延模拟厚度；3）提供第二衬底，测量第二衬底的第二实际厚度，并对第二衬底进行模拟以获得第二衬底的衬底模拟厚度；以及4）将外延模拟厚度与衬底模拟厚度进行叠加以获得模拟叠加厚度，对模拟叠加厚度进行平坦度参数计算，获得在预设参数条件下生长的外延层的平坦度预测参数本发明通过模拟方式直接预测衬底外延后平坦度的优劣，从而可以对外延片衬底进行筛选，提高外延片平坦度性能与良率，同时可节省外延使用机时、减少晶片消耗以及外延设备损耗。
基于模拟方式获得外延平坦方法

[发明专利]准备重启用于制造外延晶片的反应器的方法-CN201680044210.8有效
发明人：姜东昊;赵万起 -专利权人：爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：实施方式涉及一种用于准备重启外延反应器的方法，以执行晶片的外延生长。该方法包括以下步骤：将氮气引入设置在所述外延反应器内的处理室中并吹扫该气体一定时间；根据时间非线性地升高所述处理室内部的温度；以及在生长外延晶片之后测量外延晶片的MCLT。根据实施方式的准备重启外延反应器的方法与现有方法相比以更快的速率去除滞留在处理室内的湿气和污染物，缩短了达到重启外延反应器的最小MCLT值所需的时间，由此也缩短了准备重启外延反应器的时间。
准备启用制造外延晶片反应器方法

[发明专利]碳化硅外延晶片的制造方法-CN201480082708.4在审
发明人：滨野健一;服部亮;中村卓誉 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种碳化硅外延晶片的制造方法，该碳化硅外延晶片的制造方法能够高精度地形成预定的层厚的多个碳化硅外延层。在本发明中，在n型SiC衬底(1)之上，以使与n型SiC衬底(1)之间的杂质浓度的变化率大于或等于20％的方式形成第一n型SiC外延层(2)。在第一n型SiC外延层(2)之上，以使与第一n型SiC外延层(2)之间的杂质浓度的变化率大于或等于20％的方式形成第二n型SiC外延层(3)。
碳化硅外延晶片制造方法

[实用新型]倒装结构的LED高压芯片-CN201220575893.9有效
发明人：金木子 -专利权人：金木子;彭晖
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本实用新型揭示倒装结构的LED高压芯片，包括：生长衬底，形成在生长衬底上的至少两个单元半导体外延薄膜，支持衬底；相邻的单元半导体外延薄膜通过连接电极电连接；单元半导体外延薄膜键合在支持衬底上。全部单元半导体外延薄膜以串联方式连接，形成倒装结构的LED高压直流芯片。全部单元芯片以整流桥式的方式连接或者以串联和并联混合的方式连接，形成倒装结构的LED高压交流芯片。
倒装结构 led 高压芯片

[发明专利]一种水平外延结构的LED芯片及制备方法-CN202310937998.7在审
发明人：葛明月;王思维;方士伟 -专利权人：星钥（珠海）半导体有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种水平外延结构的LED芯片及其制备方法，所述LED芯片包括：衬底；位于所述衬底上方的外延层；所述外延层包括蓝光外延结构单元、绿光外延结构单元和红光外延结构单元；所述蓝光外延结构单元、绿光外延结构单元和红光外延结构单元均生长在同一所述衬底的上方本发明通过将现有至少三片芯片的衬底进行封装的方式，改进为采用一片芯片的衬底上进行外延生长的方式，能够大幅降低外延层的衬底的成本占比，同时采用一条芯片制程的流程即可完成，封装时不需要将多颗芯片封装到一起，
一种水平外延结构 led 芯片制备方法

[发明专利]一种组合式圆形竹纤维坑洞盖板及其制备工艺-CN202211478301.6在审
发明人：罗朝恩;兰丹;马秋红;王荒;郎文华;胡敏桂;祝捷;耿明科;黄俊;王勇 -专利权人：贵州送变电有限责任公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： E04G21/32 文献下载
摘要：该组合式圆形竹纤维坑洞盖板，包括两个半圆盖板组成的基准盖板、四个外延板一和四个外延板二，两个所述半圆盖板的内侧通过铰链相连接，四个所述外延板一的两端处均通过粘贴或者木钉的方式相连接成为外延盖板一，四个所述外延板二的两端处均通过粘贴或者木钉的方式相连接成为外延盖板二，所述半圆盖板、外延板一和外延板二的材质均采用的是竹纤维材质。使用的时候可以根据不同的坑洞大小对盖板进行调整，组合式盖板通过铰链、卡扣、置放等方式连接形成整体盖板，同时也具备结构简单、安拆和运输更方便、成本较低、可重复性使用等优点。
一种组合式圆形竹纤维坑洞盖板及其制备工艺

[发明专利]半导体外延片的压焊方法-CN200810106833.0有效
发明人：熊传兵;江风益;王立;王古平;章少华 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体外延片的压焊方法，该方法不需要通过热阻加热方式给压焊金属加热，可以防止热阻加热方式中的压焊金属由于热扩散而影响外延片的欧姆接触性能，该方法可最大程度的避免热阻加热方式给外延片造成的品质劣化一种本发明包括如下步骤：定位步骤：将待焊接的外延片和基板置于夹合装置上的工作台上，使外延片和基板的焊接面通过定位装置进行定位对接；电磁焊接步骤：接通电磁线圈，并通过焊接机构上的夹合装置对外延片和基板施加夹合压力，通过电磁线圈发出的电磁波来加热外延片或基板上的压焊金属，使外延片和基板压焊在一起。
半导体外延方法

[实用新型]一种组合式竹纤维坑洞盖板-CN202223119156.0有效
发明人：罗朝恩;兰丹;马秋红;王荒;郎文华;胡敏桂;祝捷;耿明科;黄俊;王勇 -专利权人：贵州送变电有限责任公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： E04G21/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及坑洞盖板设备技术领域，公开了一种组合式竹纤维坑洞盖板，包括两个半圆盖板组成的基准盖板、四个外延板一和四个外延板二，两个所述半圆盖板的内侧通过铰链相连接，四个所述外延板一的两端处均通过粘贴或者木钉的方式相连接成为外延盖板一，四个所述外延板二的两端处均通过粘贴或者木钉的方式相连接成为外延盖板二，所述半圆盖板、外延板一和外延板二的材质均采用的是竹纤维材质。本实用新型中，使用的时候可以根据不同的坑洞大小对盖板进行调整，组合式盖板通过铰链、卡扣、置放等方式连接形成整体盖板，同时也具备结构简单、安拆和运输更方便、成本较低、可重复性使用等优点。
一种组合式竹纤维坑洞盖板

[发明专利]一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法-CN202211267884.8在审
发明人：高达;王丹;李震;周朋;王丛 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法，包括：固定衬底；利用热偶控制外延表面温度，采用温度补偿生长方式，基于所述衬底生长碲镉汞材料，并进行As掺杂；在生长碲镉汞材料的过程中，确定不同深度As掺杂浓度的变化量；预测在对应深度处碲镉汞外延表面温度偏离碲镉汞生长温度窗口程度；基于所确定的外延表面温度偏离程度，修正所述温度补偿生长方式，并重复基于所述衬底生长碲镉汞材料，直至As浓度不随碲镉汞深度发生变化本申请实施例对温度偏离度的表征方式进行了设计，修正了生长温度降低曲线，解决了碲镉汞外延表面温度无法精确表征而造成碲镉汞材料质量差的问题。
一种分子外延碲镉汞表面温度控制方法

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN201510557555.0有效
发明人：陈一峰 -专利权人：成都嘉石科技有限公司
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：该制作方法包括：提供生长衬底，在生长衬底上制作多个孔洞；在生长衬底上形成外延片，外延片包括位于生长衬底上横向生长的成核层和位于成核层上的器件结构；提供支撑衬底，在器件结构上覆盖胶体，将支撑衬底与胶体粘合固定；将外延片与生长衬底分离；利用支撑衬底将外延片转移至目标载体，并在转移后去除胶体，得到半导体器件。通过上述方式，本发明能够通过外延片转移的方式集成不同材料衬底的优点。
半导体器件制作方法

[发明专利]半导体器件的分离-CN200880023028.X有效
发明人：康学军;袁述;林卉敏;林世鸣 -专利权人：霆激技术有限公司
申请日： 2008-07-03 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/26 文献下载
摘要：该方法包括提供其上设有多个外延层的衬底以及在保持外延层完整的情况下将衬底与外延层分离。这种方式保留了这些外延层的电气、机械和光学特性。
半导体器件分离

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top