专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基片处理装置、处理供给方法和计算机存储介质-CN202211579665.3在审
  • 矢野英嗣 - 东京毅力科创株式会社
  • 2022-12-09 - 2023-06-23 - G03F7/20
  • 本发明提供能够抑制处理供给管路内的处理的滞留,提高处理的清洁度的基片处理装置、处理供给方法和计算机存储介质。基片处理装置包括:保持基片并使其旋转的基片保持;向基片释放处理的释放;和供给装置,供给装置具有:向释放供给处理处理供给;回收从释放释放的处理处理回收;以及控制处理供给处理回收的控制处理供给具有:处理供给源;将处理处理供给源引导到释放的第一管路;使处理从释放连续地释放的第一送机构;和设置于第一管路的第一过滤器,处理回收具有将从释放释放的处理输送到第一管路中的处理供给源与第一过滤器之间的结构
  • 处理装置供给方法计算机存储介质
  • [发明专利]基片处理装置及基片处理方法-CN202010095517.9在审
  • 樱井宏纪 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-02-17 - 2020-09-01 - H01L21/67
  • 本发明提供一种基片处理装置及基片处理方法,该基片处理装置包括:能够保持基片的基片保持;向由所述基片保持保持的所述基片供给处理处理供给;药液供给,其向所述处理供给供给作为所述处理的构成成分的药液;纯净水供给,其向所述处理供给供给作为所述处理的构成成分的纯净水;低介电常数溶剂供给,其向所述处理供给供给作为所述处理的构成成分的低介电常数溶剂;和控制,其控制所述药液供给、所述纯净水供给、所述低介电常数溶剂供给,来调节所述处理中所包含的所述药液、所述纯净水和所述低介电常数溶剂的比率。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]基片处理装置和装置清洗方法-CN202011078492.8在审
  • 荒竹英将;黑田修;金川耕三 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-10-10 - 2021-04-20 - H01L21/67
  • 本发明提供在进行批处理的基片处理装置中,能够抑制排管路的堵塞的基片处理装置和装置清洗方法。本发明的基片处理装置包括:处理槽、承、承排出管、贮存、第一供给管、第二供给管、释放管、第一液流量调节和第二液流量调节。承承接从处理槽洒出的处理。承排出管从承排出处理。第一供给供给清洗液的第一,该清洗液含有第一和第二,用于除去来自处理的析出物。第二供给供给第二。释放管与第一供给管和第二供给管连接,向承释放清洗液、第一或第二。第一液流量调节设置于第一供给管,调节在第一供给管中流动的第一的流量。第二液流量调节设置于第二供给管,调节在第二供给管中流动的第二的流量。
  • 处理装置清洗方法
  • [发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202011147776.8在审
  • 小佐井一树;篠原和义 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-10-23 - 2021-05-11 - H01L21/67
  • 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。提供一种能够抑制在对基板处理进行了清洗处理之后处理的性能恶化的技术。本公开的一形态的基板处理装置具备基板处理、排以及控制。基板处理部从处理供给向所载置的基板供给处理而进行处理。排具有与积存处理的积存连接的回收路径,对处理使用后的处理进行排。控制执行处理处理制程以及清洗基板处理和排的清洗制程。另外,作为清洗制程,控制在执行了从清洗液供给供给清洗液而清洗基板处理和排的清洗动作之后,执行从处理供给供给处理而将附着于基板处理和排的清洗液置换成处理的恢复动作。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]基板液体处理装置和基板液体处理方法-CN201610177762.8有效
  • 佐藤秀明;永井高志;原大海 - 东京毅力科创株式会社
  • 2016-03-25 - 2020-10-30 - H01L21/306
  • 本发明提供一种基板液体处理装置和基板液体处理方法。该基板液体处理装置具有:液体处理,其利用被稀释稀释后的处理对基板进行处理处理供给,其供给所述处理;稀释供给,其供给用于稀释所述处理的稀释;浓度测量,其测量被所述稀释稀释后的处理的浓度;以及控制,其根据由所述浓度测量测量出的被所述稀释稀释后的处理的浓度来控制所述处理供给和所述稀释供给,其中,在利用所述液体处理对所述基板进行处理过程中判断为利用所述浓度测量无法正常地测量所述处理的浓度的情况下,使所述处理和所述稀释供给状态维持预先决定的供给状态,并使利用所述液体处理对所述基板进行的处理继续。
  • 液体处理装置方法
  • [发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202180015032.7在审
  • 小佐井一树;篠原和义 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-02-15 - 2022-09-30 - H01L21/304
  • 基板处理装置具备保持供给、回收、循环路、气体供给以及控制。所述保持用于保持基板。所述供给用于对保持于所述保持的所述基板的第一主表面供给处理。所述回收回收在所述基板的处理中使用过的已使用的所述处理。所述循环路用于使由所述回收回收到的所述处理返回到所述供给。所述气体供给对保持于所述保持的所述基板的与所述第一主表面为相反方向的第二主表面供给气体。所述控制控制所述供给和所述气体供给。所述控制在使得对所述第一主表面供给通过所述循环路返回到所述供给的预定的所述处理时,使得对所述第二主表面供给所述气体。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]基板处理装置、以及基板处理方法-CN201980077527.5在审
  • 松井浩彬;木村隆一;杉冈真治 - 株式会社斯库林集团
  • 2019-11-13 - 2021-07-23 - H01L21/304
  • 本发明的目的在于,在基板处理装置中容易地进行对基板实施的处理的定制。为了达成该目的,基板处理装置具备两个以上药液处理、存储以及控制。各药液处理包括处理槽和供处理槽利用处理对基板实施处理。供处理供给处理。存储针对各药液处理存储基板的每单位处理量的处理供给量的数值信息。控制具有获取、识别、算出以及供给控制。算出基于数值信息中的与由识别识别出的一个药液处理对应的基板的每单位处理量的处理供给量的数值、以及由获取获取的处理量信息,算出向一个药液处理处理供给处理供给量的数值。供给控制根据由算出算出的数值,利用供部将处理供给处理槽。
  • 处理装置以及方法
  • [发明专利]处理供给装置和包括该处理供给装置的基板处理装置-CN202210129163.4在审
  • 朴庸硕;姜辰求 - 显示器生产服务株式会社
  • 2022-02-11 - 2022-09-06 - H01L21/67
  • 本发明提供处理供给装置和包括该处理供给装置的基板处理装置,与供给装置的工作无关地使配管内的处理不会残留或滞留,从而可以防止细菌污染处理并提高处理的回收率,并提高所处理的基板的质量。本发明包括:用于喷射处理处理喷射;用于对储存在处理储存槽中的处理进行加压并将其提供给处理喷射处理供给;将处理供给处理喷射连接的配管模块,配管模块包括:与处理供给连接的主管;从主管部分支的多个分支管;从分支管部分支并与处理喷射连接的多个排出管,分支管包括第一配管、第二配管、第三配管,并且不形成与竖直方向正交的水平区间。
  • 处理供给装置包括
  • [发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202080051958.7在审
  • 樋口伦太郎;香川兴司;稻田尊士 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-07-13 - 2022-03-01 - H01L21/67
  • 一种基板处理装置,具有:处理,其包括将基板水平地保持的基板保持以及从被所述基板保持保持的状态的所述基板的上方对该基板供给处理供给制作,其制作在所述处理中使用的处理;以及控制,其控制所述供给和所述制作,其中,所述控制控制所述供给来设为使从所述供给朝向所述基板的所述处理的铅垂方向的流速比沿所述基板的上表面流动的所述处理的水平方向流速快的所述处理供给速度
  • 处理装置方法
  • [发明专利]基板的处理装置及处理方法-CN200610074624.3有效
  • 今冈裕一;矶明典 - 芝浦机械电子株式会社
  • 2006-04-20 - 2006-11-01 - B05C5/02
  • 本发明提供一种可向基板供给不含气泡的处理处理装置。本发明的基板处理装置,利用从处理供给装置(31)供给处理处理被搬运的基板的上表面,处理供给装置包括:容器主体(32);间隔体(33),将该容器主体内部划分成被供给处理的流入(34)和被供给到该流入处理溢出而流入的储(35);喷嘴孔(40),形成在储的底壁,将从流入流入到该储并按规定高度储存的处理供给到上述基板的上表面;凹凸(41),形成在流入的侧壁的上端,在被供给到流入处理面上升到与间隔体的上端大致相同的高度时,使浮游在其面上的气泡不流入储(35)而流出到容器主体的外部。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN202080076231.4在审
  • 加藤宽三 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-10-26 - 2022-06-10 - B05B13/02
  • 基板处理装置具备:旋转保持,其用于保持基板并使所述基板旋转;处理供给,其用于向基板的表面供给处理;涂布控制,其执行供给处理和涂布处理,所述供给处理包括一边使基板以供给用的旋转速度旋转、一边向该基板的表面供给处理,所述涂布处理包括在处理供给完成之后使基板旋转以使处理沿着基板的表面扩展;供给开始检测,其在供给处理的执行过程中基于处理的喷出流量的时间变化来检测处理供给开始定时;以及条件变更,其基于供给开始定时来至少变更处理供给完成定时或供给用的旋转速度,以抑制因供给开始定时相对于目标定时偏离而引起处理供给期间中的基板的旋转次数从目标旋转次数偏离。
  • 处理装置方法以及存储介质
  • [发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN201610317275.7有效
  • 佐藤秀明;永井高志;原大海 - 东京毅力科创株式会社
  • 2016-05-12 - 2020-10-27 - H01L21/67
  • 本发明提供一种能够对形成于基板的表面的覆膜良好地进行蚀刻的基板处理装置以及基板处理方法。本发明包括:利用蚀刻对形成于基板(8)的表面的覆膜进行处理处理(38);向所述处理(38)供给蚀刻的蚀刻供给(39);控制所述蚀刻供给(39)的控制(7),所述控制(7)以如下方式进行控制:将针对所述覆膜的蚀刻速率较低的状态的蚀刻从所述蚀刻供给(39)向所述处理(38)供给而利用所述处理(38)对所述基板(8)进行蚀刻处理,之后,将针对所述覆膜的蚀刻速率较高的状态的蚀刻从所述蚀刻供给(39)向所述处理(38)供给而利用所述处理(38)对所述基板(8)进行蚀刻处理
  • 基板液处理装置以及方法
  • [发明专利]基板处理装置和基板处理装置的运转方法-CN201911359689.6在审
  • 前园臣康;森祯道;诧间康司;信国力;佐竹圭吾;菅原慎二;吉田正宽 - 东京毅力科创株式会社
  • 2019-12-25 - 2020-07-07 - H01L21/67
  • 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的运转方法。基板处理装置具备:贮存;多个处理供给,其向贮存至少供给第一,该第一包括处理自身或者用于调配处理的原料;检测,其检测变量的值,该变量表示从供给向贮存供给的第一的状态、或者通过从供给供给第一而发生变化的处于贮存中的处理的状态;以及控制,其使多个处理依次执行相同的处理。控制基于变量的值的检测结果来判断是否能够以处理要求的条件同时从贮存向预先决定的数量的处理继续供给处理,如果判断为不能,则执行使同时执行处理处理的数量相比于预先决定的数量减少的同时处理限制控制
  • 处理装置运转方法

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