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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202280012796.5在审
发明人： 樋口伦太郎;中森光则;香川兴司;关口贤治;中林肇;米泽周平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：基板处理方法包括下述(A)～(C)。(A)：准备形成有介电常数比SiO2膜的介电常数高的高介电性膜的基板。(B)：对所述基板供给包含第二金属元素的金属溶液，所述第二金属元素是与所述高介电性膜中包含的第一金属元素相比电负性高或者价数低的金属元素。(C)：在所述高介电性膜的表面形成将所述第一金属元素置换为所述第二金属元素而得到的掺杂层。
处理方法装置

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202080051958.7在审
发明人： 樋口伦太郎;香川兴司;稻田尊士 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种基板处理装置，具有：液处理部，其包括将基板水平地保持的基板保持部以及从被所述基板保持部保持的状态的所述基板的上方对该基板供给处理液的液供给部；液制作部，其制作在所述液处理部中使用的处理液；以及控制部，其控制所述液供给部和所述液制作部，其中，所述控制部控制所述液供给部来设为使从所述液供给部朝向所述基板的所述处理液的铅垂方向的流速比沿所述基板的上表面流动的所述处理液的水平方向流速快的所述处理液的供给速度。
处理装置方法

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202110309054.6在审
发明人： 樋口伦太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够高效地蚀刻基板上的贵金属膜。本公开的一个方式的基板处理装置具备基板旋转部、处理液供给部、阳极及阴极、以及控制部。基板旋转部保持基板并且使该基板旋转。处理液供给部向被基板旋转部保持的基板供给处理液。阳极及阴极向被从处理液供给部供给的处理液施加电压。控制部控制各部。另外，控制部进行控制，以使阳极和阴极分别独立地与处理液接触，并且在基板的旋转时，将与阳极接触的处理液和与阴极接触的处理液以相分离的状态供给至基板。
处理装置方法

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201980053508.9在审
发明人： 樋口伦太郎;绪方庸元;中森光则 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：课题在于，在基板的干燥处理中切实地防止图案崩塌。解决方案是一种基板处理方法，其将表面形成有凹凸图案的基板上的液体去除而使基板干燥，其具备如下工序：在所述基板的凹部内形成成为下层的固体状态的第一材料、和成为上层的固体状态的第二材料的工序；使第二材料升华、分解、气体反应而去除第二材料的工序；之后，使第一材料分解、气体反应而去除第一材料的工序。
处理方法装置

[发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN202010009300.1在审
发明人：广城幸吉;樋口伦太郎;香川兴司;关口贤治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理方法及基板处理装置。本发明的课题是提供能够改善针对多种材料暴露的基板的表面处理的选择性的技术。基于本公开的基板处理方法包括维持工序、供给工序、表面处理工序和去除工序。在维持工序中，将表面上暴露有金属即第一材料与第一材料以外的材料即第二材料的基板的至少表面所接触的气氛维持在脱氧气氛。在供给工序中，在利用维持工序维持在脱氧气氛的状态下，对基板的表面供给针对第一材料及第二材料中的第一材料选择性地形成膜的膜形成材料。在表面处理工序中，在通过供给工序在第一材料的表面形成了膜的状态下，进行第二材料的表面处理。在去除工序中，在表面处理工序后，从第一材料的表面去除膜。
处理方法装置

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